Стекло

 

ОП ИСАНИ Е

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

Союз Советских

Социалистических

Республик (11) QQ QQ g g

К АВТОРСКОМУ т.ВИДЕТЙЛЬСТВае (61) Дополнительное к авт. свид-ву N(22) Заявлено 22. 12.75 (21) 2301968/33 с присоединением заявки _#_ (23) Приоритет (43) Опубликовано 05,08,77.Бюллетень М 29 (45) Дата опубликования описания 25.08.77 (51) М. Кл.-"

С 03 С 3/10

Государственный комитет

Совета Министров СССР по делам изооретений и открытий (53) УДК 666.112.6 (088,8) В. A. Спиоидонов. А. И, Кузнецов и Г, И. Журавлев (72) Авторы изобретения т --Г fl 7В

Пенннградокнд ордена Трудового Красного Знамене/фее технологический институт имени Ленсовета iAj (71) Заявитель (54) СТЕКЛО

Изобретение относится к области электронного приборостроения и может быть использовано для литья микропроводов со стеклянной изоляцией с целью изготовления малогабаритных конденсаторов и Яс -фильт- 5 ров, работающих при повышенных температурах (до 400-500 С) и в условиях высокого вакуума.

Известно стекло электроизоляционного назначения с высокой химической устойчивостью и термостойкостью, включающее

Si0,В О,R 0 (1)Наиоолее близким по технической сущности и достигаемому результату к изобре 15 тению является стекло, включающее 5Ю», .

Э 0 А 0 ВсиО, NgО grQ

11 0.(2).

Недостатком указанных стекол является довольно низкое значение диэлектрической 20 проницаемости

11елью изобретения является разработка стекла, обладающего повышенной диэлектрической постоянной С, позволяющей использовать его в качестве изоляции в малогабаритных RC -фильтрах .

Эта цель достигается тем, что известное стекло дополнительно содержит Се 0 и V O при следующем соотношении ингредиентов, вес. %:

510 60,0 62,0

В 0 4,06,0

ВстО 11,0 14,0

М 0 О, 5-2,0

Zt 0 2,0-3,0

К 0

N OzO 1,0-3,0

L1 0 0,5-1,0

Сес, 10 Зо

МО 10 20

Стекла варили из реактивов марки ч и чда при температуре 1480 С в о течение 6 час.

Конкретные составы стекол приведены в табл. 1.567691

Таблица l

Состав стекол, вес. %

ЫО, АЕ,О, В,О, в О ВаО---ХКО, К,р Иср ;,О Сjp, Ч,О, 1 610 30 40 05 125 30 90 20 10 20 20

2 63 0 115 4эО 1ЭО 14 0 ЗэО 1 1еО 1вО Ов5 . lэО lеО

3 600 30 6 О 20 ll 0 20 80 3 О 1 0 3 О 1 0

Та 6 ли

1 8,6

2 8,3

Ъ

3 8,4

Il 2

160

1110

11,0

170

1090

10,8

87

170

1080

Формула изобретения

Составитель Г. Буровцева

Редактор И. Квачадзе Техред Н. Андрейчук Корректор А. Власенко

Заказ 2681/15 Тираж 583 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 В табл. 2. приведены значения основных эксплуатационных характеристик: диэлектрической проницаемости 8, температурного коэффициента диэлектрической проницаемсти ТК 5, тангенса угла диэлектрических потерь 4g, удельного объемного электрического сопротивления 4, коэфСтекло, включающее 0, Ь О, Af О

2 3 2 3

ВоО, INg0,Zr0, К Q gyO о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с це;лью повышения диэлектрической постоянной 1, оно дополнительно содержит Ce0 è

Ч 0 при следующем соотношении ингредиентов, вес. %:

51 0 60-62

В О 4-6

AeО, l5 З

300 Il 14

i5 фициента термического расширения 4 и температуры литья микропровода, при которой вязкость стекла имеет значение

10 чу з.

Ю"

Р.з таблицы видно, что стекла обладают повышенной диэлектрической проницаемостыо порядка 8,4. м о

2(0 2 3

К О 8-11

Ng О

Ы2 О 0,5-1

СУ О, 1 3

1-2.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе.

1. Любимов М. А. Спаи металла со стеклом, М.; Энергия, 1968, с. 40.

2.Патент Франции № 1524179, кл. С 03 С ll/00, опублик. 1968.