Способ обработки монокристаллов ниобата лития
(61) Дополнительное к авт. свил-ву (5l) М. Кл.
Сф 03 Н 1/18 щ Заявлено.Ю.02.7В(ж) 2Э27ОО0 2д с присоединением заявки № йщда стмннггй иаитат гааатв Мггнагров ЩР агг дгглаи изггбрвйиигг и OYKph1TQN (53) УДЫ 772.99 (Oe8.8) (23) Приоритет (43) Опубликовано15.11.78.Бюллетень № Ф2 (45) ДЙТВ опубликования Опнсання 25. 1 1. 78
И. Б. Баркан и il. Н. Сафронов (72) Авторы изобретения
Институт физики полупроводников CB6HpcKopQ отделения .АН СССР и Новосибирский государственный университет
Изобретение относится к способам обработки монокристаллов ннобата лития и может найти широкое IIPHMeHGBBB при создании среды для реверсивной голографической записи с оптическим стиранием.
Известен способ обработки кристаллов киобата лития путем легирования их металлами (Fe, Cv, Мгг и др.) в процессе вы» ращивания из расплава (1), Способ не позволяет создать внутри кристалла реверсивную среду заданной формы, обладающую t6 симметричной эаписывакаце-стирающей zaрактеристнкой, Известен также способ обработки кристаллов ниобата лития высокотемпературной диффузией атомов металлов в кристаллы И
4i МЬО (2f.
Дпя этого тонкий слоЯ Fe, Иг или Со напыляют (1000-2000 А) на поверхность кристаллов. Затем кристаллы отжнгают s о атмосфере аргона при 1200-1230 С. Глу- 2Î бина проникновения Fe в ьгЙЬОз к концу отжига составляет 50-100 мкм.
Ближайшим техническим решением к предлагаемому является способ обработки
2 монокристаллов ниобата лития при создании реверсивной среды для голографической записи с оптическим стиранием путем создания фоторефракционньа центров облучениемф
Толстые фазовые голограммы записывают в монокристаллах ниобата лития благодаря дрейфу или диффузии фотовозбужггенных носителей с последующим захватом
Вх фоторефракционньгмн центрами» В резуль» тате возникает пространственно-распределенный объемный заряд, создающий внутри кристалла неоднородное электрическое ноле, модулирующее показатель преломления кристалла. Так возникает фазовая голограмма в кристалле. Голограмму, записанную в чистом (беспримесного) кристалле Ы b63, можно стереть нагреванием до 170 С или записывающим излучением, однородно освещшощим кристалл.
Известный способ характеризуется необходимостьго напылении на полированную поверхность кристалла металлической пленки, возможностью .повреждения этой поверхности при удалении пленки1 длитель
Выуди
«1
Заказ 6597/52 Тираж 522 Подписное
ПНИИПИ
Филиал ППП Патент", г. Ужгород, уа. Проектная, 4
S 568309 б (Е и л
Формула изîбретения троннымпучкомс дозой 10 -10 е/см и энергией не более 1-2 Мэв на 1 мм
Способ обработки монокристаллов нио- тощины и не менее 0,5 Мэв. бата лития для создания реверсивной сре- Источники информации, принятые во ды для голографической записи с оптичес- 3 внимание при экспертизе: ким стиранием путем создания фотореф- 1,РЬчИ рь А.О ApticaC and HoEographic ракционных центров облучением, о т л и - Storage Ргорвгties of Fransition Metal ч а ю шийся тем, что, с целью соз- Doped Lithium niobate RC.À.Rev".1972, дания реверсивной среды заданной формы ЗЗ, р. 94; внутри кристалла, обладающей симметрич- $9 2.Аллод@ g.Z.,&taetlfer D.Ь-Hofograными записывающе-стирающими характе- рМс Яьсо cbng in,АМогп niobate. RC.Àристиками, монокристаллы обпучают элек- Rev."1962, 39, Ю1,р-71.
