Травитель

 

О П И С А Н И Е !??> 568986

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик (61) Дополнительное к авт, свид,-ву— (22) Заявлено 04.01.76 (21) 2309863/25 с присоединением заявки ¹â€” (23) Приоритет— (43) Опубликовано 15.08.77. Бюллетень ¹ 30 (45) Дата опубликования описания 02.01.78 (51) 41.Êë.- Н 01 1 21/461

Государственный комитет

Совета Министров СССР по делан изобретений и открытий (03) УДК 621.382 (088.8) (72) Авторы изобретения (7!) Заявитель

И. А. Сарапинас и Ж. Ю. Сииявичюте (54) ТРАВИТЕЛЬ

Изоорете:!ие относится к электpoltaOII технике, а именно к процессу фотолитографии подслоя титана в произзодстзе планарных ИС.

В процессе производства планар-!b х поп р и 001?оз 3 Tp_#_IIO 70г?! и ИС с открытым эмиттером з качестзе металлизации не может быть применена однослойная система раззодки ?!з алюм,ния из-за закорач?!зания перехода эм?!ттер-оаза. Переход находится вблизи поверхности, и тонкий слой

ЯОа, создающийся зо время травления, не может маскировать от диффузии алюминия лс""èðîççнных областей во время получения омичсских контактов. Чтобы избе>кать закорачизания перехода, в качестве подслоя применяют некоторые тугоплавкие мета",.ëû, име ощие намного меньший коэффициент диффузи?! в Sio2, чем алюминий, это могут быть .Чо, у, Ti;I др. С применснием двухслойных с;?стем вози?IKHCT проблема качественного зы гразлиза?ня рисунка металлизации.

Иззсстс?! состав для травления пленки титана, содержащий хлористый а vlмоний, фторнстый аммоний, соляную кислоту и воду (1).

Да:.ный т ?aa. ITe71, работает пр:t 65 — 70= С.

Скорость травления титана = 0,13 з!кл ?ttt7.

К?озlе того, о:! зоздейстзует на алюминий: при 65 — 70 С растворяет его со скоростью

= 0,004 л!кл/лик.

Наиболее бл:!эким техн:гческ:!м решением является состаз травителя, преимущественно для титана, содержащ?I,"t фторпстозодороднук> кислоту ?I воду (2). Трав?!тель (объемные части) HF: Н О = 1: 5 при комнaT:-IOII температуре тразит т;!та.-l со скоростью

=- 0,24 .?!к !/.,?ин, но при этом действует на маскир сющ !й слой a,7þìин:?я и растзоряет

CEO CO CI 0pOCTblO = 0,6 1th.?t ttttC

Целью изобретен?я язляется улучшение с-7eI.T:tâHû.; свойств трав:.!теля, Это достигается з предлагаемом Tраз:!теле тем, что 0;I дополн.ггельно содерж?!т фтор":!етый аммо ?:?й, пере?тлlсь B070р07а и позе,?x?loci но-актизное зещестзо пр?! следующем соот .!ошении компонентоз з растворе, зес. ч.: фтористозодородная к:?слота 2,5 — 20. фтористый аммоний

36 — 75, перекись зодорода 20 — 160, поверхностно-акт;!зное вещество 2 — 5, вода 15 — 110.

Бы,7.! изготозле.;!ы тр:I состава тразителя.

Они приведены в табл. 1.

568986

Таблица 1

Содержание, вес. ч

1 2, 3 !

Компонент

2,5 19,5 25

Фтористоводородная кислота

Фтористый аммоний

Перекись водорода

75 ; 60 . 36

160 23 20 (2, 3 5

Поверхностно-активное вещество

СВ-1017 (ТУ-6-14-934-73) 15

84 1!О

Вода

Таблица 2

Формула изобретения

Скорость травления, .нк.н/яия

Травитель

А1

Поверхность А1 пассивпрует

=0,06+0,07

То же

= 0,16

= 0,16 — 0,18 0,007

2,5 — 25

36 — 75

20 — 160

Фтористоводородная кислота

Фтористый аммоний

Перекись водорода

Поверхностно-активное вещество

Вода

2 — 5

15 — 110

30

Составитель В. Мякиненков

Техред М. Семенов

Редактор T. Юрчикова

Корректор В. Гутман

Заказ 681/1710 Изд. Мз 676 Тираж 995 Подписное

UHHNIIN Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, K-35, Раушская наб., д. 4/5

Тип. Харьк. фил. пред. «Патент»

Каждый из составов был опробован при травлении учасгков пленки титана, маскированного слоем алюминия, толщиной 0,04—

0 45 мкм при рабочей температуре 20 -2 С в течение 15 — 20 с. Полученные результаты приведены в табл, 2.

Как видно из табл. 2, наиболее качественные характеристики травления показывает травитель 2. При травлении титана пленка алюминия практически не подтравливается, так как в этом травителе алюминий пассивируется. Поверхность окисла в местах травления титана чистая. Элементы полупроводниковых структур и токоведущие дорожки чисты.

Таким образом, предлагаемый травитель по сравнению с известными работает при комнатной температуре, пленка алюминия им практически не подтравливается. При изготовлении микросхем с большей степенью интеграции, когда токоведущие дорожки выполняют узкими порядка 3 — 5 л клг, боковое подтравливание приобретает решающее воз5 действие. Г1рименение предлагаемого травителя обеспечивает увеличение выхода годных и надежность микросхем.

Травитель, преимущественно для титана, содержащий фтористоводородную кислоту и воду, отличающийся тем, что, с целью улучшения селективных свойств травителя, он

15 дополнительно содержит фтористый аммоний, перекись водорода и поверхностно-активное вещество при следующем соотношении компонентов в растворе, вес. ч.

Источники информации, принятые во вни-, мание при экспертизе, 1. Авторское свидетельство СССР

No 391613, кл. Н 01 1 27/306, 1970.

2. Иванов-Есипов Н. К. Технология микросхем, «Высшая школа», М., 1972, с. 93.