Датчик магнитного поля

 

!

О П И C А Н И Е (tt)S74912

ИЗОБРЕТЕНИЯ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Н АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт, свил-ву (22) ЗаЯвлено15.12.75 (21) 2108384/21

2 (51) М. Кл, с присоединением заявки №

Cj 01 % 33/02

Гасударственный камнтет

Саватв Министрав СССР аа делам изобретений н аткрытий (23) Приоритет(43) Опубликовано 25.06.78Бюллетень № 23 (45) Дата опубликования описаиия22,06.78 (53) УДК 621.317,44 (088,8) И. А. Вальтас и B. - Б, В, Маргайтис (72) Авторы изобретения

Специальное проектно-конструкторское и технологическое бюро малых электрических машин Объединения "Эльфа" (7!) Заявитель (54) ДАТЧИК МАГНИТНОГО ПОЛЯ

Изобретение относится к приборостроению и может быть использовано в устройствах автоматики и измерительной техники.

Извес Гны датчики магнитного поляр вы полненные в виде полупроводниковой пластины с контактами, присоединенными к торцам ее, и с областями, имеющими различные скорости поверхностной рекомбинации носителей тока $1).

Однако у известных датчиков вследствие зависимосги свойств полупроводника от температуры недостаточны точносгь преоб разования и чувствительность к магнитному полю.

Бель изобретения - повышение чувствительности и точности преобразования.

Это досттггается тем, что в датчике магнитного поля, содержащем полупроводниковую пластину с выходным электродом, а токовыми контактами, установленными а ее торцах, и противоположно ориентированными областями с повышенными скорос гями поверхноспиой рекомбинации носите2 лей тока, каждая иэ двух параллельных граней пластины между ее торцами выполнена в виде двух равных между собой областей с различными скоростями поверхб ностной рекомбинации носителей тока, причем области с одинаковыми скоростями поверхностной рекомбинации носителей тока расположены на этих гранях у противоположных торцов пластины.

На чертеже изображен предлагаемый датч ик °

Он содержит полупроводниковую пластину

1, к торцам 2 которой присоединены токо вые контакты 3. Каждая из двух параллеле ных граней 4 и 5 пластины 1 имеет области 6 и 7 с различными скоростями поверхностной рекомбинации носителей тока (СПРНТ), причем области 7 с повышенными рр СПРНТ расположены на гранях 4 и 5 у каждого из противоположных торцов 2 пластины 1, между областями 6 и 7 расположен выходной электрод 8. Обласги 6 с малыми СПРНТ условно обозначены плошаatro, ограниченной внутри пластины пункти

57

poM„ o 8 7 c o i e H CHPHT условно обозначены утолшенными линиями. датчик работает следуюшим образом.

При воздействии магнитного поля, параллельного граням 4 и 5, на пластину 1, по которой между контактами 3 протекает электрический ток, происходит перераспределение носителей тока в сечении между этими гранями, В результате перераспределения у областей 7 с повышенными СПРНТ конден грация носителей тока практически не меняется, а у областей 6 с малыми

СПРНТ изменяется таким.образом, что при увеличении концентрации носителей тока у одной области 6 их концентрация у другой области 6 уменьшается.

Средние концентрации носителей тока также изменяются по сечению пластины 1 между областями 6 и 7 по разному - в се» чении между одной парой укаэанных областей средняя концентрация носителей тока увеличивается, а в сечении между другой парой - уменьшается, Изменения сопротивлений участков пластины 1, обусловленные противоположным изменением средних кон.центраций носигелей тока в сечениях этих участков, меняются пропорционально значениям напряженности магнитного поля, воз= действующего на датчик. Квадратичные составляюшие изменения сопротивлений уча4012

4 стков пластины 1 и температурные изменения их параметров взаимно компенсируют ся, так как выходной электрод 8 установлеи в средней зоне плас гины 1 между областями 6 и 7 с различными СПРНТ.

Формула изобретения

0атчик магнитного поля, содержаший полупроводниковую пластину с выходным электродом, с токовыми контактами, установленными в ее торцах, и противоположно ориентированными областями с повышенными скоростями поверхностной рекомбинации носителей тока, о т л и ч а ю ш и и о я тем, что, с целью повышения чувствителен ности и точности преобразования, в нем каждая иэ двух параллельных граней пла-. стины между ее торцами выполнена в виде ро двух равных между собой областей с раэ» личными скоростями поверхностной рекомбинации носителей тока, причем области с одинаковыми скоростями поверхностной рекомбинации носителей тока расположены л на этих гранях у противоположных торцов пластины, Источники информации, принятые во вни» мание при экспертизе:

1, Авторское свидетельство СССР зО Мо 356731 (j 01 Й 33/02, 1970, Составитель Е. данилина

Редактор П. Горькова Техред 3, Фанта Корректор E. Папи

Заказ 3307/4 Тираж 1112 Подписное

БНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4