Генератор синусоидальных колебаний

 

Сева Советских

Социалистических рас ублии

ОПИСАНИЕ избы итиния

И АВТОРСКОМУ СВИДИТЙДЬСТВМ (») 581563 (61) Дополнительное к авт. свнд-ву (22) Заявлено01.12.78 (2})2183866/18-0 с присоединением заявки № (23) Приоритет (51) М. Кл.

Н 03 В 7/08

Гасударственный «сяхтет йсаата Икнястроа СОР яс дмаи юсбрстсяхй я сткрмтхк

1 (53) ДК 621.373.422 (088.8) (43) Опубликовано25.11.77. Бюллетень F443 (45) Дата опубликования описания20.12.77.

А. В. Егоров, В. А. Вайсберг и М. B. Муркина (72} Авторы изобретения (71) Заявитель (54} ГЕНЕРАТОР СИНУСОИДАЛЪНЫХ КОЛЕБАНИЙ

Изобретение относится к автоматике и телемеханике.

Известен генератор синусоидальных колебаний, содержащий источник. питания и генерирующую цепь, выполненную в виде последовательно соединенных туннельного диода и катушки иидуктивности (l j.

Однако в известном устройстве большие нелинейные искажения.

Цель изобретения — уменьшение нелинейных искажений.

Для этого в генератор синусоидальных колебаний, содержащий источник питания и генерирующую цепь, выполненную в виде последовательно соединенных туннельного диода и катушки индуктивности, параллельно источнику питания подключены первый транзистор, два электрода которого объединены, а также последовательно соединенные второй транзистор и стабилитрон, при этом генерирующая цепь включена между точкой соединения двух элек-родов первого транзистора и базой второго транзистора.

На чертеже дана структурная электрическая схема предлагаемого устройства.

Генератор синувоидальных колебаний содержит источник l питания и генерирующую цепь, выполненную в виде последовательно соединенных туннельного диода 2 и катушки 3 индуктивности, параллельно источнику } питания. подключены первый транзистор 4, два электрода которого объединены, а также последовательно соединенные второй транзистор 5 и стабилитрон 6, при этом генерирующая цепь включена между точкой соединения двух электродов первого транзистора 4 и базой второго транзистора 5. а Устройство работает следующим образом.

Туннельный диод 2 неустойчив при холостом ходе. Ввиду этого туннельный диод, рабочая точка которого смещена в область отрицательной проводимости через последовательную катушку 3 индуктивности, будет самовозбуждаться, если суммарная проводимость колебательного контура будет отрицательна. В общем случае решения характеристических уравнений для эквивалентной схемы активного колебательного контура имеют вид a= o jco.

При о > О колебания возрастают, при а (Π— затухают, при a=0 они стационарны, В предлагаемой схеме величины резистора

7 и катушки 3 индуктивности таковы, что над чальное значение величины имеет весьма ма68! 563

Формула изобретения

1(1(Состави1ель Г. Серова

Техред О. Луговая Корректор 3. Мельниченко

Редактор Л. Гребенникова

Заказ 4590/43 Тираж 1065 11однисное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж --35, Раушская наб., n. 4/5

Филиал П((П «Патент», г. Ужгород, ул Проектная, 4 лую положительную величину, поэтоь(у амплитуда колебаний возрастает незначительно.

Так как рабочая точка туннельного диода

2 находится в пределе области отрицательной проводимости, где характеристика линейка, а амплитудд колебаний мала, нелинейные эффекты, влияющие иа искажения и устойчивость колебаний, иа работе генератора ие сказываются, Второй транзистор 5 работает в активном усилительном режиме, определяемом стабилитроиом 6, гасящим резистором 8 и источником питания. Благодаря этому в коллекториой цепи его возникнут устойчивые неискаженные синусоидальные колебания зиачительиой амп...(туды.

Предлагаемый генератор, по сравнению с известным, имеет меньшие нелинейные искажеиия.

Генератор сииусоидальиых колебаний, содержащий источник питания и геиерируюшую цепь, выполненную в виде последовательно соединенных туннельного диода и катушки иидуктивиости, отличающийся тем, что, с целью уменьшения нелинейных искажений, параллельно источнику питания подключены первый транзистор, два электрода которого объедиие(о ны, а также последовательно соединенные второй транзистор и стабилитрон, при этом геиерируктщая цепь вк(хючеиа между точкой соедииения двух электродов первого транзистора и базой второго транзистора.

Источники информации, принятые во виимаиие при экспертизе: !. Фомин H. H. и др. Современные полупроводииковые приборы. М., «Зиаиие», 1969, с. 64, рис. 44А.