Подложка для полупрозрачного фотокатода

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (11) 584363

Союз Советских

Социалистических

Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 04.10.76 (21) 2409989/18-25 с присоединением заявки № (23) Приоритет (43) Опубликовано 15.12.77. Бюллетень № 46 (45) Дата опубликования описания 01.12.77 (51) М. Кл. Н 01J 39/00

Гасударственный комитет

Совета ккиннстров СССР по делам изобретений и открытий (53) УДК 621.383.292 (088.8) (72) Авторы изобретения

И. Н. Зайдель, М. И. Коробов и А. А. Спектор (71) Заявитель (54) ПОДЛОЖКА ДЛЯ ПОЛУПРОЗРАЧНОГО ФОТОКАТОДА

Изобретение относится к области электровакуумных приборов, а именно к подложкам для полупрозрачных фотокатодов.

Известны подложки для полупрозрачных фотокатодов, состоящие из прозрачного изолирующего основания, например из стекла, и нанесенного на основание проводящего слоя, служащего для снижения сопротивления фотокатода, Проводящий слой может быть выполнен в виде металлической сетки (1).

В фотокатодах, выполненных па такой подложке наблюдается уменьшение чувствительности из-за потери светового потока.

Известна также подложка для фотокатода, состоящая из прозрачного изолирующего основания и прозрачного проводящего покрытия, выполненного, например из окиси олова или индия (2).

Проводящие покрытия из перечисленных материалов химически активных по отношению к щелочным металлам, которые входят в состав большинства эффективных фотокатодов. Вследствие взаимодействия щелочных металлов фотокатода с подложкой происходит уменьшение чувствительности фотокатода и снижение максимально допустимой величины фототока.

С целью повышения чувствительности фотокатода и максимально допустимой величины фототока, проводящее покрытие подложки для полупрозрачного фотокатода выполнено из «ермста, изготовленного, в частности иа основе дисилицида хрома и боросиликатного стекла.

Основными преимуществами проводящего покрытия из кермета является его инертность к щелочным металлам и сравнительно низкое сопротивление при высокой прозрачности. Êðîме того проводящие покрытия из ксрмета имеют хорошую адгсзию .к стеклу, высокую термостойкость и стабильность сопротивления.

Были изготовлены подложки для многощелочных фотокатодов из кермета иа основе дисилицида хрома (CrSi>1 и боросиликатного стекла (В Оэ SiOq), взятых в равных весовых отношениях. По традиционной технологии на данных подложках были изготовлены многощелочныс фотокатоды.

При диаметре фотокатода =2 см максимально допустимая величина фототока, при которой сохраняется эквипотенциальность фотокатода, составила 10 — — 10 — А, как в импульсном, так и в стационарном режимах, в то время как для многощелочных фотокатодов, изготовленных на стеклянной подложке тех же

25 размеров эта величина составляет всего

=10 —" А.

Формула изобретения

1. Подложка для полупрозрачного фотока30 тода, состоящая из прозрачного изолирующе584363

Составитель Ю. Кутенин

Техред И. Михайлова

Корректор Л. Котова

Редактор Л. Баглай

Заказ 2625/19 Изд. М 958 Тираж 995

НПО Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, 5К-35, Раупгская наб., д. 4/5

Подписное

Типография, пр. Сапунова, 2 го основания и прозрачного проводящего покрытия, отличающаяся тем, что, с целью повышения чувствительности фотокатода и максимально допустимой величины фототока, проводящее покрытие выполнено из кермета.

2. Подложка по п. 1, отличающаяся тем, что проводящее покрытие выполнено из кермета на основе дисилицида хрома и боросиликатного стекла.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Патент Франции № 1566316, Н01 J, опублик. 1973, 2. Соммер А. Фотоэмиссионные материалы, М,, «Энергия», 1973, с. 48.

Подложка для полупрозрачного фотокатода Подложка для полупрозрачного фотокатода 

 

Похожие патенты:
Изобретение относится к области получения мощных ионных пучков (МИП) и может быть использовано в ускорителях, работающих в непрерывном и импульсном режимах

Магнетрон // 2115193

Изобретение относится к ионно-оптическим ускорителям ионов и может быть использовано в ионных двигателях
Изобретение относится к микроэлектронике и предназначено для изготовления проводящих микроострий, которые могут быть использованы, например, в производстве вакуумных интегральных микросхем
Наверх