Устройство для разламывания полупроводниковых пластин на кристаллы

 

т ибт "о

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

Союз Советских

Социалистических

Республик (11) 587 53 3

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву (51) iN. Кл, Н 01 L 21/78 (22) Заявлено 050274(21) 1992718/18-25 с присоединением заявки М (23) Приоритет— (43) Опубликовано 050178.Бтоллетень Эй 1

Геетдаретееаеыр ееаетет

6ееета Иеееетрее CCCP ее лалла езееретееер е еткритеФ (63) УДК 621. 382

<088. 8> (45) Дата опубликования описания 230178 (72) Авторы изобретения

В.Б.Саркисян и Б,М.Чубич

Pl) Заявитель (54) УстРОЙстВО ДлЯ РАэлАмыВАниЯ пОлупРОВОДникОВых

ПЛАСТИН НА КРИСТАЛЛЫ

Изобретение относится к оборудованию для производства полупроводниковых приборов и интегральных схем и предназначено для раэламывания полупроводниковых пластин, прошедших операцию скрайбирования,на кристаллы.

Известно устройство для разламывания лолупроводниковых пластин после скрайбирования, состоящее из бесконечной ленты, натянутой на вращающиеся ролики,:жесткой опоры и консольно закрепленной на ней гибкой опоры t 1) .

При .работе. устройства скрайбированная пластина с помощью ленты, приводимой в движение одним из роликов, перемещается по направлению к опораМ. При прохождении над гибкой опорой пластийа, прижимаемая к ней лентой, изгибается и разламывается вначале на полоски, а после поворота пластины -на 90 — на кристаллы

Для изменения усилия разламызания с помощью системы рычагов регулируют усилие прижима ленты к гибкой опоре.

Недостатками устройства являются сложность системя рычагов для регулирования усилия и ненадежность прижима пластины к гибкой опоре, что приводит к некачественному разламыванию пластин на кристаллы — остается значительное количество нераэделившихся кристаллов, 8 Наиболее близко по техническому решению к предложенному устройство, содержащее разламывающий валик, ленту для транспортировки пластин, охватывающую валик, и привод для !

О вращения валика j2) . Транспортирующая лента натянута между двумя закрепленными в корпусе валиками, один из которых является разламывающим. Устройство снабжено также двут5 мя скрайбирующимк головками с установленными в них резцами.

При работе устройства полупроводниковая пластина размещается на ленте. По мере движения ленты пластина проходит под скрайбирующими головками и удерживается при этом пневматическими фиксаторами, При переходе от одной позиции скрайбирования к другой пластина поворачивается на

90,при помощи специального механизма.

После скрайбирования лента с пластиной перемещается к разламывающему валику. Для прижима пластины к поверхности разламывающего валика слу587533 лов, лента выполнена в .виде отрезка, один конец которого. жестко закреплен на цилиндрической поверхности валика, а другой снабжен средством для возврата ленты в исходное положение.

Источники информации, принятые

"0 во внимание при экспертизе:

1. Патент США М3.494523, кл. 22598 (В 26 Х 3/00, В 65 И 35/10), 10.02.70.

2. Патент ГДР В 45219, кл. 21 Я

64 11/02, 26.03.64. жит дополнительный механизм с кольцевой лентой, которая охватывает разламывающий валик с проходящей по

° нему транспортирующей лентой.

В процессе разламывания полупроводниковая пластина переворачивается на 180 поэтому перед размещением о на транспортирующей ленте ее предварительно закрепляют на тонкой лип.кой пленке с целью сохранения ориентации кристаллов.

После разламывания пластины в одном направлении ее вновь прокатывают по поверхности разламывающего валика, повернув предварительно на 900 .

Недостатком описанного устройства является его сложность,так как для на дежности работы устройства необходимо применение дополнительных механиэ" мов прижима пластины к разламывающему валику и регулировки натяжения транспортирующей и прижимной лент.

Кроме того, не исключено проскальзывание бесконечной транспортирующей ленты относительно разламываю. щего валика, что приводит к повреждению рабочей поверхности кристалла в процессе разламывания.пластины.

Цель изобретения . — упрощение конструкции устройства и улучшение к. чества,разделяемых кристаллов.

Поставленная цель достигается тем, что в устройстве для, разламывания полупроводниковых пластин на кристаллы, содержащем разламывающий валик, ленту для транспортировки пластин, охватывающую валик,.и привод для вращения валика, лента выполнена в виде отрезка, один конец которого жестко закреплен на цилиндрической поверхности валика, а другой снабжен средством для возврата ленты в исходное rîëîæåíèå.

На фйг . 1 схематично показано предложенное устройство, вид сбоку; на фиг. 2 — рабочая позиция устройства с разламывающим валиком и полупровоцниковой пластиной.

Устройство содержит корпус 1, на котором установлена стойка 2 с закреп. ленным на ней разламывающим валиком

3. Для транспортировки полупроводниковой пластины 4, помещенной для сохранения ориентации кристаллов в герметизированный вакуумный пакет 5, служит гибкая стальная лента 6, скрепленная жесткэ одним концом с разламывающим валиком. Другой конец ленты при помощи пружины 7 и,тяги 8 связан с корпусом устройства. Для увеличения прижима ленты к цилиндрической поверхности валика служит подпружиненный ролик 9. Вращение разламывающего валика осуществляют с полощью ,4 привода, например электродвигателя (не показан) .

Яб

Разламывание полупроводниковых пластин на кристаллы производят следующим образом.

Пластину 4, помещенную в пакет 5, укладывают рабочей поверхностью на транспортирующую ленту 6 так, чтобы аннин скрайбирбванйя располагались параллельно образующей разламывающего валика 3. С помощью привода вращают разламывающий валик, при этом на него наматывается транспортирующая лента. При вращении валикф пластина, прижимаемая лентой, обкатывается по поверхности валика и раэ ламывается на полоски по линиям скрайбирования. После окончания процесса разламывания привод отключают н под действием пружины 7 элементы устройства возвращаются в первоначальное положение. Затем пластину поворачивают на 90 и процесс повторяют.

Так как лента дополнительно прижимается к разламывающему валику ро ликом 9, то при обратном..ходе ленты происходит как бы повторное раэламывание пластины, что улучшает качество разделения пластины на кристаллы — неразделенные кристаллы отсутствуют.. Кроме того, поверхность кристаллов не повреждается от воэдействия ленты- проскальзывания ленты относительно валика не происходит, . поскольку один ее конец жестко закреплен с цилиндрической поверхностью валика.

Устройство просто по конструкции, после опробования в производственйых условиях показало надежность в работе. Применение устройства увеличивает процент выхода годных кристаллов на операции .разламывания полупроводниковых пластин на кристаллы.

Формула изобретения

Устройство для .разламывания полупроводниковых пластин на кристаллы, содержащее разламывающий валик, ленту для транспортировки пластин, охватывающую валик, и привод для вращения валика, о т л и ч а ющ е е с я тем, что, с целью упрощения конструкции устройства и улучшения качества разделяемых кристал587533

145/41 Тираж 960 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам иэобретений н открытий

113035, Москва, Раушская наб., д. 4/5

3ака э

Филиал ППП Пайунт, r. Ужгород, ул. Проектная, 4

Составитель О. Бочкин

Редактор Т, Орловская Техред H.ÁàáóðêàÊîððåêòoð E.Ïàïï

Устройство для разламывания полупроводниковых пластин на кристаллы Устройство для разламывания полупроводниковых пластин на кристаллы Устройство для разламывания полупроводниковых пластин на кристаллы 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к производству полупроводниковых приборов и может быть использовано при создании структур "кремний на сапфире", предназначенных для изготовления дискретных приборов и интегральных схем, стойких к воздействию дестабилизирующих факторов, например к радиации

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано в производстве микросхем

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано в производстве электронных приборов и интегральных схем

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано при изготовлении чувствительных элементов датчиков давлений

Изобретение относится к технологии производства полупроводниковых приборов и может быть использовано при изготовлении мощных СВЧ-транзисторов с использованием гетероструктур на основе нитридов III группы

Изобретение относится к области полупроводниковой нанотехнологии и может быть использовано для прецизионного получения тонких и сверхтонких пленок полупроводников и диэлектриков в микро- и оптоэлектронике, в технологиях формирования элементов компьютерной памяти

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано в новом технологическом процессе: изготовлении структур кремний на изоляторе или кремний на арсениде галлия (через окисел) путем прямого соединения полупроводниковых пластин

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано при изготовлении малогабаритных полупроводниковых датчиков давления
Наверх