Ячейка памяти

 

Союз Советских

Социалмстммеских

Республик

OnИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДВТЙЛЬСТВУ (11) 59VOOV (61) Дополнительное к авт. свид-ву(22) Заявлена 22. 12.76 (21) 2432420/18-24 с присоединением заявки № (6l) М. Кл, G 11 С 11/42 (23) Приоритет

Гаеударственныб немнтет

Совета Мнннетрев ВСТР не делам нзобретеннй н етнрытнй (53) УДК681. 327. .66 (088.8) (43) Опубликовано 05.03-78Бюллетень № 9 (45) Дата опубликования описания 20.02.78 (72) Автор изобретения

Г. Л. Коган (71) Заявитель (54) ЯЧЕЙКА ПАМЯТИ

Изобретение относится к области вычисЬительной техники и может быть применено и матричных преобразователях свечэлектрте ческий аналог.

Известны фотоприемные матричные устройства, каждая ячейка памяти которых со,стоит as фотодиода и полезных транэисто1 ров в качестве переключателей.

Матрица состоит из ячеек, каждая иэ которых содержит фотодиод. Между базой ó последнего и выходной шиной включены пос ледовательно два полевых транзистора двух» координатной выборки 11).

При использовании этой ячейки в режиме лавинного размножения носителей тока сок l5 рашается время хранения информации, выэ ванное лавинным размножением носителей, генерируемых термически, фоновой засвет

«ой, особенно в матрицах высокой размерности, так как в этом случае время цикла 20 определяется числом опрашиваемых ячеек.

Наиболее близким техническим решением к изобретению является ячейка памяти, содержашая полевой транзистор, включенный между выходом ячейки и анодом фотодиода, 2а катод которого соединен с шиной нулевого потенциала. Затвор полевого транзистора соединен с первым входом ячейки (2).

Недостатком такой ячейки являются утеч ки, связанные с лавинным размножением тепловых носителей, особенно в матрицах высокой размерности, так как в этом случае время lla«BB определяется числом опра шиваемых ячеек.

Целью изобретения является увеличение времени хранения информации.

Поставленная цель достигается тем, что в предложенную ячейку введен конденсатор, одна обкладка которого соединена с анодом фотодиода, а вторая — со вторым входом ячейки.

На фиг. 1 приведена принципиальная схема ячейки памяти; на фиг. 2 - диаграмма ее работы.

Ячейка памяти содержит фотодиод 1, меж.ду анодом которого и выходом ячейки включен полевой транзистор. 2. Затвор транзистора 2 связан с первым входом 3 ячейки, который соединен с источником импульсно го питания U . Конденсатор 4 включен

597 007

Ие 4, 1S68.

Составитель B. Боголюбов

Техред. Н. Бабурка Корректор A. Ьласенко

Редактор Л. Утехина

Заказ 1154/50 Тираж 717 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений н открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП Патент, r. Ужгород, ул. Проектная, 4

3 между анодом фотоднода 1 и вторьр.: входом 5 ячейки, подключенным z источнику импульсного напряжения О . Ячейка лама ти содержит также выходной зарядочувст вительный усялитель 6 и конденсатор 7. с

Ячейка работае1 следузощнм образом.

От источника импульсного напряжения

0 поступает прямоугольный импульс в момент времени t в процессе которого йеалифется чтение выходного сигнала и доэаряд барьерной емкости фотоднода до напряжения 0 соответствующего режиму без лавинного размножения (см. фнг. 2)

Зазем осуществляется засветка в момент ,speMeHR т. я 1 В процессе xo1 opoé действует прямоугольный импульс напряжения 0

При етом напряжение на фотодиоде смещаеч -. ся до величины 0, при которой реализуетcs заданный режим лавинного размножения носителей тока. По окончании засветки 20 прекращается действие импульса Ц, что вводит диод в" режим без лавинного раэмно жения при напряжении .U> .

Предложенная ячейка памяти позволяет ввести на время засветки все фотодиоды 2$ матрицы в идентичный режим с высоким коеффипиентом лавинного размножении, а на время опроса снизить напряжение на фо

4 тоднодах что уменьшает утечку и соотВЖ ственна увеличивает время хранения ивфор мащпи.

Формула изобретения

Ячейка памяти, содержащая полевой травзистор, включенный между выходом ячейки и анодом фотодиода, катод которого соединен, с анной нулевого потенциала, затвор поле вого транзистора соединен с первым входом ячейки, отличающаяся тем, что„ с целью увеличения времени хранения нвфор мации, в нее введен конденсатор, опна обкладка которого соединена с анодом фот<ь диода, а вторая со вторым входом ячейки.

Источники информации, принятые во вни мание цри вкспертизе:

f,.Petepj.%. КоЫе Self-Scanned Si8i cOn l age 2etestor Aptasz,3KEE T araacthenz an Hectwon ЭеМсак,моВ.ЕВ-И, <> 4. 1968.

2. М.CatbeEin Ilispositj fs с з ргтве dg оеа а acces a6catyjpe "- оп в ес 1 гое

1974,моВ.И ¹ Тр р-а49-З У