Способ определения степени амортизации кристаллических материалов
1. Способ определения степени аморфизации кристаллических материалов, например полупроводниковых, происходящей при облучении их ускоренными ионами, по разности оптических величин, измеренных для облученного и необлученного образцов материала, отличающийся тем, что, с целью повышения точности определения, образцы перед облучением легируют акцепторной примесью с концентрацией носителей заряда от величины, достаточной для компенсации доноров, образующихся при облучении, до величины, определяемой предельной растворимостью акцепторной примеси, а в качестве оптических величин измеряют на длине волны, соответствующей краю полосы собственного поглощения измеряемого образца, арктангенс отношения амплитуд комплексных коэффициентов отражения Френеля для компонент электрического вектора световой волны, параллельных и перпендикулярных плоскости падения света.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что образцы кремния легируют до концентрации носителей заряда от 1012 до 1021 см-3.
3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что образцы германия легируют до концентрации носителей заряда от 1011 до 1021 см-3. 4. Способ по п.1, отличающийся тем, что образцы антимонида индия легируют до концентрации носителей заряда от 1012 до 6
1021 см-3.
