Фотоэлектрический преобразователь

 

Фотоэлектрический преобразователь, выполненный на полупроводниковой подложке, содержащий считывающий регистр на приборах с зарядовой связью и средство для фотоинжекции носителей заряда под электроды переноса, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона спектральной чувствительности, средство для фотоинжекции выполнено из двух легированных областей, тип проводимости которых противоположен типу проводимости подложки, а промежуток между ними выполнен из компенсированного материала.

Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано для создания твердотельных фотоэлектрических преобразователей. Известен фотоэлектрический преобразователь на основе прибора с зарядовой связью, выполненный на полупроводниковой подложке [1] Однако область спектральной чувствительности таких устройств жестко задана материалом подложки. Наиболее близким техническим решением к предлагаемому изобретению является фотоэлектрический преобразователь, выполненный на полупроводниковой подложке, содержащий считывающий регистр на приборах с зарядовой связью и средство для фотоинжекции носителей заряда под электроды переноса [2] Недостатком известного фотоэлектрического преобразователя является узкий диапазон спектральной чувствительности. Для расширения диапазона спектральной чувствительности в предлагаемом фотоэлектрическом преобразователе средство для фотоинжекции выполнено из двух легированных областей, тип проводимости которых притивоположен типу проводимости подложки, а промежуток между ними выполнен из компенсированного материала. На фиг. 1 схематически показан предлагаемый преобразователь, вид сверху; на фиг. 2 то же, разрез. На полупроводниковой подложке 1 выполнены считывающий регистр 2 с электродами 3 переноса и средство 4 для фотоинжекции, содержащее две легированные области 5, тип проводимости которых противоположен типу проводимости 1, и промежуток 6, расположенный между ними, который выполнен из компенсированного материала, при этом электроды переноса расположены на диэлектрике 7, а одна из областей 5 имеет омический контакт 8. Устройство работает следующим образом. Носитель генерируется излучением в промежутке 6 и инжектируется под электроды 3 переноса считывающего регистра 2. Наличие средства для инжекции фотоносителей, выполненного из двух легированных областей, с типом проводимости, противоположным типу проводимости подложки, промежуток между которыми выполнен из компенсированного материала, позволяет существенно расширить диапазон спектральной чувствительности прибора.

Формула изобретения

Фотоэлектрический преобразователь, выполненный на полупроводниковой подложке, содержащий считывающий регистр на приборах с зарядовой связью и средство для фотоинжекции носителей заряда под электроды переноса, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона спектральной чувствительности, средство для фотоинжекции выполнено из двух легированных областей, тип проводимости которых противоположен типу проводимости подложки, а промежуток между ними выполнен из компенсированного материала.

РИСУНКИ

Рисунок 1, Рисунок 2



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к солнечным источникам света

Изобретение относится к области конструкции и технологии изготовления оптоэлектронных приборов, а именно фотоэлектрических преобразователей (ФП)

Изобретение относится к области интегральной микроэлектроники и может быть использовано при разработке и изготовлении гибридных интегральных детекторов инфракрасного излучения, стойких к многократным циклам охлаждения-нагревания

Изобретение относится к области конструкции и технологии изготовления оптоэлектронных приборов

Изобретение относится к области конструкции и технологии изготовления оптоэлектронных приборов, а именно фотоэлектрических преобразователей (ФП)

Изобретение относится к устройствам преобразования световой энергии в электрическую и может быть использовано как в концентраторных фотоэлектрических модульных установках, так и в космических солнечных батареях

Изобретение относится к конструкции и технологии изготовления оптоэлектронных приборов, а именно полупроводниковых фотоэлектрических преобразователей

Изобретение относится к области конструкции и технологии изготовления оптоэлектронных приборов, а именно фотоэлектрических преобразователей (ФП)

Изобретение относится к области конструкции и технологии изготовления оптоэлектронных приборов, а именно полупроводниковых фотоэлектрических генераторов (ПФГ)
Наверх