Способ изготовления мариц запоминающих устройств на цилиндрических магнитных пленках
Воасо <:-.,.в.я
Ыеитмо- <,-эх -: «-<:чмаее
Союз Советских
Социалистииеских
Реслублик 6я с т<-;. (1l) 60403О
ИЗОБРЕТЕН ИЯ (б1) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 01.08.76 (21)2З2997у18 2 с присоединением заявки ¹ (23) Приоритет (43) Опубликовано 26 04 78 Бюллетень %1 (45) Лата опубликования описания z0.09. 8 (51) М. Кл.
5. 11 С 5/02
Государственный комитет
Совета Министров СССР по делам изооретеннй и открытий (53) .УДК 681.327. .66 (088.8) (72) Авторы изобретения
B. А. Арсентьев, О. В. Кравченко и М. С. Бтепьмахов (71) Заявитель (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ MATPNH ЗАПОМИНАЮЩИХ
УСТРОЙСТВ HA ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ МАГНИТНЫХ
ПЛЕНКАХ
1 2
Изобретение касается вычислительной техники и может быть использовано в приборостроении, радиоаппаратостроении и других областях теxHIIKH при изготовлении плетеных матриц накопи1елей запоминающих устройств на цилиндрич< ских магнитных пленках, Известны способы изготовления матриц запомина<ощих устройств (ЗУ) на цилиндрическ< х магнитных пленках (ЦМГ!). основанные н натяжении технологических струн, их перемен<енин и последующем извлечении (1) и (2).
Один из известных способов изготовления матриц ЗУ на ЦМП основан на натяжении
7<.xII0логических струн, последовательном вплетснии в Ill<# адреснь.х обмоток, перемещении технолог«ческих струн, отделении от зоны плетения. заливке компаундом и извлечении технологичсских струн (!).
Недостатком этого способа является его невысокая точность.
Наиболее близким техническим решением к о
"<редлагаемому является способ изготовления матриц ЗУ на ЦМП, основанный на натяжении технологических струн с образованием между ними зева, перемещении сформованного про.водника к адресным обмоткам, перемещении технологических струн и отделении их от зоны плетения, заливке компаундом и извлечении технологических струн (2).
Однако этот способ обладает существенными недостатками, например, при увеличении числа технологических струн (разрядов) с одновременным уменьшением шага между ними не обеспечивается высокая точность формообразования витков и резко увеличивается деформация проводов, что вызывает нестабильность магнитного потокосцепления с цилиндрической магнитной пленкой и нарушение изоляции адресного провода. Приведенныс !I<.достатки обусловлены тем, что прн персмещении (подбивке) сформованного Bjp<. cll Целью изобретения является пов!meIII«точности изготовления матриц и стабильности их магнитных параметров. Поставленная цель достигается тем, что по предлагаемому способу изготовления матриц ЗУ и LIMP проводник адресной обмотки прокладь<вают на зев под прямым углом к технологи «гким струпам, продвигают его при îI 6(} 1(}3(} крытом зеве к ограничителю зева, удерживают его в заданном положении, обеспечивая тарированный стабильный натяг, и производят его формовку поочередно каждой в отдельности технологической струной. На фиг. 1 показана технологическая схема изготовления матриц по предлагаемому способу; на фиг. 2 — то же, внд сверху; на фиг. 3— сечение А — А фиг. 1; на фиг. 4 — схема последовательной формовки витков адресного провода поочередным опусканием каждой в отдельности технологической струной. Устройство для осуществления предлагаемого способа изготовления матриц ЗУ на ЦМП содержит технологические струны 1, 2, 3, 4,...п, натянутые,на рамку 5 ткацкого станка, ремизки 6, 7, 8, 9...п для перемещения струн 1, 2, 3, 4...n, адресную обмотку 10, прокладыввемый адресный провод 11, подпружиненный челнок (катушку) 12, зев 13, образованныи перемещением ремнзок 7 н 9 вверх и ремизок 6 и 8 вниз, ограничитель зева 14 и батан 15. го Предложенный способ осуществляется следующим образом. Ремизки 7 и 9 вместе с технологическими струнами перемещают, например, вверх, а ремизки 6 и 8 вниз, в образованный зев 13 25 прокладывают провод 11 под и ря мым углом к технологическим струнам. Проложенный провод 11 продвигают батаном !5 .при открытом зеве 13 к ограничителю зева 14. Провод 1! удерживается в заданном положении с помощью батана 15, после чего поочередно опускают каждую технологическую струну 1, 2, 3, 4...n в отдельности, последовательно формуя разрядные полувитки адресной обмотки 10 до того момента, пока не сформируют весь проложенный провод, начиная, например, со стороны его жесткого закрепления в направлении подпружиненного челнока (катуш ки) 12 (см. фиг. 4). Батан 15 выводят из зоны прокладки .провода, сдвигают ограничители 14 на шаг и перемещают ремизки 7 и 9 вниз, и четные 6 и 8 — вверх и образуют снова зев 13, прокладывают в него новый отрезок провода ! с подпружиненного челнока (катушки) !2, снова продвиа гают проложенный провод ! к ограничителю зева !4 с помощью батана 15 и удерживают в заданном положении, обеспечивая тарированный натяг, после чего производят поочередное опуска ние технологических струн, но теперь в обратной последовательности п...4,3,2,1, также начиная, например со стороны жесткого закрепления прокладываемого провода, перемещаясь в сторону подпружиненного челнока (катушки) 12 и сматывая при этом провод с челнока на длину сформованного адресного полувитка. Далее технологический цикл повторяют в описанной последовательности до изготовления заданного количества адресных обмоток, после чего изготовленную обмотку залива(от компаундом, а технологические струны извлекают, образуя каналы, в которые затем вставляют стержни с цилиндрической магнитной пленкой. Формула изобретения Способ изготовления матриц запоминающих устройств на цилиндрических магнитных пленках, основанный на натяжении технологических струн с образованием между ними зева, перемещении сформованного проводника к адресным обмоткам, перемещении технологических струн и отделении их от зоны плетения,, заливке компаундом и извлечении технологических струн, отличающийся тем, что, с целью повышения точности изготовления матриц и стабильности их магнитных параметров, проводник адресной обмотки прокладывают в зев под прямым углом к технологическим стручам, продвигают его при открытом зеве к ограничителю зева, удерживают его в заданном положении, обеспечивая тарированный стабильный натяг, и производят его формовку поочередно каждой в отдельности технологической струной. Источники информации, принятые во внимание при экспертизе; !. Авторское свидетельство № 489153, кл. G 11 С 5/02, 08.06.73. 2. Авторское свидетельство № 474842, кл. G 11! 1 С 55//0022, 14.02.73.
