Способ травления полупроводниковых материалов

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Севетсккх

Соцкалмстнческнх

Респубннк (11) 621367!

4 Л ( (61) Дополнительное к авт. свид-ву (2g) Заявлено 140124 . (21) 1989753/29-33 (23) Приоритет — (32) 28. 04. 73 (31) % РС23с/170509 (33) ГДР (43) Опубликовано 300878. БюллЕтЕнь № 32 (45) Дата опубликования описания220778 (5!) М. Кл.

В 01 У 17/00

С 03 С 15/00

Государственный комитет

Совета Министров СССР по дедам изобретений и открытий (5З) УДКббя.1.053.6 (088.8) (72) Авторы изобретения

Иностранцы

Райнер Меллер, Хорст Штельцер, Михаель Кляйнерт, Лутц Фабиан (ГДР) Иностранное предприятие ФЕБ Электромат (ГДР) (73) Заявитель (54) СПОСОБ ТРАВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ

МАТЕРИАЛОВ

Формула изобретения

Изобретение относитс я к способам травления подложек под действием газообразных травильных смесей.

Наиболее близким по технической сущности и достигаемому результату к 8 изобретению является способ травления стекла газообразной травильной смесью fl) .

Известный способ не обеспечивает высокой интенсификации процесса трав- 10 ления полупроводниковых материалов из кремния.

Целью изобретения является интенсификация процесса травления полу проводниковых материалов из кремния. 15:

Для достижения поставленной цели в известном способе травления полупроводниковых материалов обработку проводят в реакторе при давлении

1-10. торр в тлеющем разряде.

В данном способе может быть использована чистая травильная смесь или разбавленная газом, например водородом или аргоном.

В реактор, из которого удален воз-N дух, псдают через трубопроводы газообразное травильное средство — тетрафторметан, разбавленный водородом.

Давление в реакторе 5 торр. Между трубопрсвадом и стенкой реактора соз-о0 дают высокое напряжение, создающее тлеющий разряд, дополнительно гетеродинирующий поле постоянного тока °

Это поле ускоряет отрицательные ионы травильной смеси и позволяет осуществить концентрированную реакцию возбужденных ионов с материалом подложки, что значительно интенсифицирует процесс травления.

Преимуществом способа является также воэможность использования малоили абсолютно некорроэионноактивных и неядовитых травильных веществ.

Способ травления пОлупроводниковых материалов путем обработки газообразной травильной смесью, о т л и— ч а ющи и с.я тем, что, с целью интенсификации процесса травления полупроводниковых материалов из кремния, обработку проводят в реакторе при давлении 1-10 торр в тлеющем разряде.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:

1. Бахтик С., Поспихал В. Облагораживание стекла. М., Стройиздат, 1970 с. 172.