Способ определения коэффициента поверхностной диффузии

 

-(-ттт6263 94

Со>ов Советских

Сза! "лнстикеских

Респ,>блик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Доиолпительпое к авт. спид-ву (22) Заявлспо 25.12.76 (21) 2447757,18-25 (51) М. Кл.-

G 01 N 13 00 с присосдписписх! 3<<>! Вкп №

Государс3венный комитет (23) Г1риорптет (43) Оп3 бг(и!(Овапо 30.09.78. Бюллстс»ь ¹ 36 ((45) Дата опубликования описания 06.09.78 (53) УДК 543 542 (088.8) по лолам изо>бретеннй и открытий (72) Авторы изобретения A. Л. Суворов, Г. M. Кукавадзс. Б. Я. Кузнецов и В. А. Касаткин (71) Зая»итсль (54) СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ КОЭФФИЦИЕНТА

HOBEPXHOCTHOA ДИФФУЗИИ

Изобретение относится к ооласти экспсP l!3! C1ÃÃ i. Il>I!0! 0 IICC, 1 «ДО»2 ПНЯ 1 ИПСTlll(li IIO»срхносп!ы: я»,!Опий, в частности к измсрспи о коэффицис«та повсрхностнои дгпрфузии вещества.

113»cc r«II ciiocoo определения коэффициента ио»сркиостпой диффузии, в основе коT op 0 I л с ж и т и с и Ол ь 3 0 В а и и с р 2,t3, I I Q 2 ITT I I B I I bl Y изотопов.

11«,!остатками этого способа являются ограпичспносп изучасз!ы); веществ и относительно низкая чувствительность.

Наибо.!Се близок изобрстспгпо способ, »кл!о !а;ощий напыление на поверхпость образца »лепки исследуемого всщccTB2 в автоэлсктропиом микроскопс, полуtlciiiic автоэлсктро(иого изображения его иоверхносги и измерение скорости дви)кения границы пленки. 11сдостаток способа состоит в

cI0 пизкои !увствитсльпости, 2 также в отсутствии возмо)к»ости проводить пзмерсиия для 0 ä(лы1ы." кристалли lески. »paèñé.

Цель!о изобрст ll! III является измерение коэффициспта повсрхиостиой диффузии для отдельны кристалличсскик граней монокристаллов и повышения чувствительности способа.

Для этого измсреиис скорости движения границы пленки проводят путем регистрации низко 12cTQTIII>ix флуктуаций автоэлектронного тока. измерения «рсмс«и «Il;132

i 01i 2 В э 1 и. ф л < 1> 13 1 Ц и и >,

I. 013(PxIIo«T!1011 Ди(Рф>л3пи II

5 — 2)r г

L.oe а(7юКТа „Е а(\ )

1 tt—

LO " 777> A < а(а(I;1(С вЂ” разм«рная константа;

Го пот<и!циал образца; в - заряд э,1«ктроиа;

7,, — — радиус атома образца:

/7!it 7 i! — срсдп«с масса и ат031иый p

Дlli, С 0 TBTOilllOI О Газа;

>><> — ПОСТОЯ» I!а Я 1)ÎÃI»11312 и 2;

) 5 << о — восо. 1 lотпа Я тсхl пс13 а 1 < p2 00

Р 2311,2

J=, — — срсдияя энергия I!«!i;!pc!I!I» адсорбирован»огO;!TO I;I « iio»cpi:!10«òè ооразца; )(3 () — — Ст««СИ 1> 1101(P I>I T I ISI;

"!> — 10,1Я ЭПСРГИИ !1011« 311 POI>;ill!!ОГО 2 Г0312 О("I < TO 11101 О I ;i« i, ! I C P C;1, 1 13 <1 С . < 2 Я I I Г! С П К С I I P i i i I t) удар« о пог>срхпост!.

25 (110«ОО 0«3 Щсс Г13«1Ястся с,! «Ä3 IOÈIII31 Оор;1зом.

1 12 11013cpxIIocT!> oop23II;i и а»о«я

Ii,ëc11ic Всlцсства, II013cPxIIOcTII2II, 1«фф, зия

IioT01)ОГ0 исс,iiд3 стетl. Г10 получспиок!у;fo

30 напыления пленки 2»тоэлсктроииому и: 00()26394

"о Р ;, Ъ г

) г>3 с

1 — — СХ(3 о 4- cPcl(IIJJII Рац i c Iij)liHJ!зпы .!оБС(ЗКИО(Т!! ÎU )23Lld; (8 — — гсомс: р и ескпи фактор; . . 1 4 - — РЫ3Ъ:ЕРПЫЕ i<0!IC I l. .>>Дп<1 КО О Н!Щ(ППЫИ < JЪI БЫП:,С 3 I Ы П . КО=ффнцне>!ГГЫ 1!ОБСРКПО i l!Oll ДнффУзпп

i i >,! U ii, 1 Ы l i Л С П IС И I i 2 (cl I i I! Oil i i) Ы 1. I I, <, J) 0

О О, 1>К)!ЫД 3 ) Кс!зc! Illl0(32()aalu! ЫН!. (. ДЫС>т Ii

IJ51 Ое i cl! 0 1110. U i c .3>2: (. ОО I>L" < ГЗ> .0И;СС Сli БР С:< 5i г <, Оп(Э СДСЛ Я< . <.Я, П ОСИ()БИО)I, > i!!,LСl.JiC:il U(: J с! i U IIIÎ. 0 i с..>Ы. с>ОЩС .. Б() С

:.iМ II <т!LCЫ ..!3 ГОЭ,1(:" 130!l!101 0 Т01 <с!> рЫБПО:

Га

Г Г„

П!)CМ)1 3 !(ЭЫС! ЫНП51> uii(3(,I(,. !Я< Ъ<0

Го,!!>ко поБ ръиост1!ОЙ ди(()(()сз (сп

Ъ: :; Cul. 2,!cl ili!СПКП. .Р;.и и;< И(ЭЫКГИКС (<< II <(Пгг,!БЫ)1, и!Π—.m„f(1

-" r>, Ро

О,iOi!1iIu 01)РСДС, IIП Ь знаиеппс 4<» (скомос 3:!и !снпс коэафицисп1 2 110Hcj)êпостной диффъ>зии D;-„!!()èuë:?ILL!I!!0 раинос

8а!(Ыа 181)> 18 11ад.. и ()118

1ипо! 1)а(()и)1, пр. (> ° (»К<. Ji !ilu Ui (3L ()?;IIUC И 00(3 23ЦЫ i>lil(U ji,>(ОТ ...i)i

U.Бе()С)1 С Б ЫПОДС -- фЛОЪ (ЗССЦИР) )1ОЩСМ ЭКъ IJlij)ocI UIIU) Б соо !Бе! с! Зъ!Огнем ОЙ

-8 ы i съl и(3 ОБОД5! 1 и.!) 1 с(3(ипс ып10элскро>0 0 101< i, ЭЪIИТТП(3 СЪ!О! О . . ЬЫО()cl!:I:uli .. 3 ч !L, ко! Да

1!ОБ ji:>П:OC I Ь ПОКР!>I! и СЛUL 1 < .i, „C(3()uñli Ы 10 (,U,iC11Å0iI), ЫБТОЭ,!СI<Г"pui .ПЫ!1 ТОI 1 (. Иь!1ыз«(с и >зко !ыс ;uii!blc флуктуации, соо(псгстБ IULLIil Сд!Illliilllbl и ) Да(3 ЫЫ О Iiui)C()XIJOСТЬ :;>>32:5 .,i . i!u IÎH ОСI сl1ОЧИОГО Гс!32, 00(323>, JUЦиъс)! !> !()Oci р2пс l Бс мс?кД>3 Об!Зази см и J 8 .l lU)l — флъ орссциру!О!ц!Гъ) экраном ыБТО

:, !СК! 30!Iilul 0 МИК(ЗОСКОИЫ. (»ОМ02(ЗД)1(ЗЪ10п(пи iluHcj)xllocTb 00()ызцы иоп Отдыс! Плсli"! - < .0 12.сть сноси эпс(ЗГии, <Отора!1 идсT

ПЫ 10 U c!() CliU(12С I И П.IСНКИ, IIO.IЫ а!>1, !ТО ) J lJ UlCUIl25 РИ Э I ОЪI ПОБ(j)ëIIOC ÃJ> П МС(ГI К(ЗЪ : u3:0 (j)uj)ъ!ъ, c р(()1!!ъ с раис!;: г Ф ",, i) -- (, —

f-c

>", 0.-)п ()аоот(! Бы оды ч)!стоЙ позер (.!Ост)! 00j3 3l(i. Д !Я Дси!НОИ К(ЗПСТ<1;!Г!ИЧССКОИ Г(32IJII (()О Ъ Сlil>lU(ЧСЪI (3ЬI;ОДЫ Этu!i ИОБС(3

J IuCL Н, Пог (ЗЫ 1 0! l СЛОСЪ1 ЫДСОРО

l! Грэг скГРоппыЙ 10!i мн(г:UL:!H;!el > 5! Пы Б(, l!.:IИИЪ: 1 )!оа)!(1080

Сапунова, Ь) 110,1ппопо<

Отli )ill Ui!!u «(!L;J,IIL> 0 кзы 11)атичнОГО смс11,(ПИ51 КО Б(ЗС)!CU! l, Оп(3! >ТОЛЯ СТСЯ ОКОИЧ<1ТLЛЬНО

II3 ФОРМУЛ L!: с, г!„ег „.(;: г(,„1Ы< - 2),,1- „(Ъ)) с>с " »(:.c с(! о(ЪГ (ГОСКОГ! .К„Б,(ll ill.lcl;JÎ,)и ЭПСРГИИ бОМОЫ(ЗДII(33 !Ui!LLI 0 ИО:IЫ ОСI

Опр(.з . i J;I!51 П130БОДЯ1 э Гс!лопныи экспс ЗИМСпi C J)CЩ ". I БOМ, НС, I!1 lllll2 КОЭффlЩИСИ cl ИОБСРЪИОСi ПОП ДИГРф) зпп КОТОРОГО Ii;JL> СС Н cl.

i1сп0,1ь; uB2li.:Ic cil0c00ы иозБОГlяст 0 Ij)L",JL лЯЗ L коэфф!ILIi!LIIT. !IOJ)cP. Пос(ИОЙ Диффузии ! рп ci uj)uc Tяъ. миграции дпф(()уll,(иру)(3щс:. 0

БСЩССТВЫ il 0(35 >(I(2 j I) " <с, >"..) 1 О СОО I>C 1СTH) (. i ПОБЫГИСИП!О ЧЭ БС (БИI C;IbilOCI li СПОСО0 а ИО (?el UI:(. .Ii I:10 С II i) 01 0TIIIIO>>l П Ы СС ЪIЬ 1 0I) ЯДКОБ. (>(ЗОЫС 1 ОГО, IICiiÎ;i»30HЫНИС !i()СДЛО?Кс:>;IОГО Ci ОСООЫ ИС J ()CU CCT СОЗДЫИИЯ ) С.IOЬ :ill СБСРЪБЫСОКОГО БЫК), Ъ<Ы> 110 ЗНЫЧИ!С„!ЬUO СОКРЫЩс:.С1 Б(ЗСМ51 БС(11 ЭКСПСРИЪIСИТ2.11. . (ОП !1Р ОЦС!1 Ъ Р Ь:.

Lj3 U j3 м ) л и п з о о р е i е !1 и я (.).особ опрсдс,гения коэф((зъ!Циента иоБери (ОСЫПОЙ Д1!ф((3) ЗИИ U) 1саi ПснlЫГI ii!I5! 112.

I uI3cj)ë!J0ñòü оорызцы пленки исс, сдь съ!о! о

Бс!Цсствы Б ыБ(оэлскт()оппом ъ:пкроскопс, i. U,I) lсll051 2БIОЭ. 1(. К 1(ЭОИНОI О И 00()сl<КСИИЯ (. . 0 ПОБС(3. ПОСIИ i! iИзмс(ЭСПИ5! CILOPOC1 И ДБИ?><(" I, (5! Г13 Ы.l! i! (1>1 ll 1(. И КП > 0 1 . 1 И Ч а 10 Щ И ПС 5l I L"i1, I (0, С ЦСЛ(ПО 113. l,< ((j3(j) <, >ИИ ДЛЯ Îl дс.ii I >1? к()пс> !(,J.iiiч . Скпь ) 1>1!»СОк(ЗПС i ЫГ!ЛОБ И»ul blLli Нп)! J(.,i.:> .ÎC J П С!iuCUO2, И331 )L!!Ii(СКОРОС! И )1>И>КСП!1Я I (32UIIЦЫ ПГ!(ПКП Ilj)ubu i)J > il(. (Ъ! ji C! J>C! 1) с! Ипп

JiJ!3 T0iJciC 01. !Ь!. < Гр 13 гст c U, !и 2HJ(3».l . I()ullIi0. 0 I ОК J)j)С. ><(, lli С!! ilДЫ

КЫ Б ЭТИЛ ф.i ;1>;l ) ci.ц!(51 (> il КОЭф(()>!ЦИС.I J IIU

Б (3. <.>!Ос l Jluli, JU(j)(j) i .ii и !<(ъОД51! Jiu фОРЭI ЪЪ.С: > с; сс „аг.,(; г>г f

<)в г-.с г>гм !(г ° г->>(j>Ы3>« ji.li(5! iT0i>C i Ып! ci, < U i!U l L <Цi-Ö

Га j)iпд > < L ИГО К>ц(; пг), г „сред!:ис Ii .Le!i U ((Г(. :п ра,.и с

0(i Ытu iliÎi О 232; г:() — - !Ub,i(JlilL Ос I Гu lilÎJ 0 ГЫЗЫ;

)(— ПО i u)IUIIЫЯ )ЭОГ)г> ),Ман;!> ! n --- с. 0< О, J Iu (! i!I ß J С:>: ll(j) L(Э(П! Я5i Эн(. j) i I! 5! I;Сi! Ы(3(. iп5! с(д O(30li()Ui Ûil.iuTu liu. 1)ы i !Iß;

" — — ОЛ51 Эн . (3! 1 ll Иопнз i(ÇOHc llllu! О

21 0312 ОСТ (!ГО IU 01 0 а 3 сl, ИС(3 СДЫБс(СЪ!251 i:, iul>>!(C llj3!I СГО» Д)!РС О !

JuHcj3xI!uc и .

Способ определения коэффициента поверхностной диффузии Способ определения коэффициента поверхностной диффузии 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к способам определения молекулярно-массового распределения как линейных полимеров, так и межузловых цепей сетчатых полимеров

Изобретение относится к технологии материалов электронной техники, в частности к способам определения полярных граней полупроводниковых соединений типа AIIIBV (InSb, GaSb, InAs, GaAs, InP и Gap) и может быть использовано для ориентации монокристаллических слитков и пластин

Изобретение относится к оптической контрольно-измерительной технике и может быть использовано для физико-химического анализа жидкостей и поверхности твердых тел, в частности для определения смачивающей способности жидкости, изучения процессов растекания и испарения жидкостей, для определения коэффициента поверхностного натяжения жидкостей
Изобретение относится к области физики поверхностей

Изобретение относится к физике и химии поверхностных явлений и может быть использовано для определения параметров двойного электрического слоя на границе фаз

Изобретение относится к области исследования материалов, а именно к устройствам для испытания смазочных масел

Изобретение относится к измерительной технике, в частности к пневматическим устройствам для измерения поверхностного натяжения жидкостей, и может найти применение в таких отраслях промышленности, как химическая, лакокрасочная и пищевая промышленность

Изобретение относится к области подготовки нефтей и разрушения водонефтяных эмульсий, стабилизированных природными эмульгаторами и различными видами механических примесей
Наверх