Матрица для изготовления одноступенчатых фазовых оптических элементов

 

J,ÒÅÍ" }М ъ цщц q; . „ . чблиотеиа М п>6 6968 (61) Дополнительное к авт. свид-ву (>) Заивлвио28.03.77 (>>) 2467062/23-05

2 (51) И. Кл.

В 29011/00

B 2S С 1/00 с присоединением заявки № (23) Приоритет

Гкудерстееииый иемитет ьееете Мииистрев ььер ео делам изееретеиий и етирьпий (43) Опубликовано 05.10.7ЯБюллетень Зче 37

) (45) Дата опубликования описания l2.09.7в. (53) УДК 678. .057 (088.8) Ю. А. Харитонов, В. А, Шишкина, A. И. Песков, B. Г. Федосеев и A. Р. Звездочкин

,72) Автори и з о о р е т ъ и и я (71) Заявитель (54) MATPHUA ÖËß ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОДНОСТУПЕНЧАТЫХ

ФАЗОВЫХ ОПТИЧЕСКИХ ЭЛЕМЕНТОВ

Изобретение касается изготовлеция одноступенчатых фазовых оптических элементов из полимерных материалов в частности бинарных {одноступенчатых) фазовых йрозрачных или отражательных мультипликаторов для систем обработки оптических сигналов.

Известна матрица для изготовления оптических изделий, изготовленная из металлической пластины с нанесенным на нее рельефным рисунком (l).

Такая матрица имеет неравномерную высоту рельефного рисунка, что отрицатель но сказывается на характеристиках мультипликаторов с высотой рельефного рисунка, соизмеримой с длиной волны оптического диапазона.

Равномерность высоты получаемого рельефа по поверхности матриц с оттиснутым рисунком зависит от режима изготовления рельефных рисунков на них, например, от точности формообразующего инструмента, от точности его перемещений при механических способах изготовления и от локальных свойств материала матрицы.

Цель изобретения -- повышение равномерности рельефных рисунков по поверхности образца при изготовлении бинарных фазовых мультипликаторов-путем снятия рельефных копий с матриц, имеющих рельефный рисунок высотой в пределах от одной до нескольких долей волн излучения оптического диапазона.

Поставленная цель достигается применением окисной маски, выполненной в виде кремниевой пластины с выступами из окис-. ла кремния, в качестве матрицы для изго-. товления одноступенчатых фазовых оптических элементов из полимерных материалов.

На фиг. l изображена маска; на фиг. 2— маска с нанесенным на него слоем полимера и стеклянной пластиной, на фиг, 3 изделие.

Матрица содержит кремниевую пластину ! (подложку) с нанесенным на нее рисунком

2, образованным окислом кремния, Изготовление фазового мультипликатора осуществляют путем заливки матрицы полимером 3 с последующим наложением на поли» мерный слой стеклянной пластины 4. После отверждения полимерного слоя последний отделяют от матрицы. Рисунок, образованный окислом, соответствует изготовленному мультипликатору, а высота рельефа рисунка

62б 968

Формуяа изобретения

Составитель В. Зяблова

Редактор Л. Ушакова Техред О. Луговая Корректор А. Кравченко

Заказ 5541/19 Тираж 810 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений н от к р ыт ий

113035, Москва, Ж-З5, Раушская наб.. д. 4/5

Филиал П ПП Патент», r. Ул город, ул П рое ктна н, 4 составляет 0,31 мкм. Рельефную поверхность маски перед нанесением полимера покрывают антиадгеэионным слоем а стеклянную пластину подвергают адгезионной обработке. После отделения матрицы от стеклянной пластины с полимером (мультипликатор) на последней получают рельефный рисунок, обратный рисунку матрицы, В результате получают прозрачныв фазовый рельефный рисунок высотой 0,31 мкм с отклонениями в пре- 1© делах:й0,01 мкм по площади поверхности диаметром 32 мм.

Повышение равномерности высоты полу.чаемого рельефа по поверхности образца происходит за счет того, что высота рельефного рисунка бпределяется только толщиной окис- И ла материала подложки, которая может быть выдержана с помощью известной в практике технологии с высокой точностью по всей поверхности образца. Окисел материала может быть образован, например, вакуумным испарением, термическим окислением. материала подложки.

Опытами выявлена высокая износостойкость рельефного рисунка структуры, образованной окислом материала подложки и самой подложкой. Это позволяет многократно использовать описанную маску в качестве матрицы для изготовления. мул ьтипл и каторов.

Применение предлагаемой маски позволит повысить равномерность высоты рельефного рисунка по поверхности фазового мультипликатора в пределах 0,01 — 0,03 мкм при высоте рельефа от 0,15 до 1,0 мкм, что повысит точность работы систем обработки оптических сигналов, в которых используются фазовые мультипликаторы.

Применение окисной маски, выполненной в виде кремниевой пластины с выступами из окисла кремния, в качестве матрицы для изготовления одноступенчатых фазовых оптических элементов иэ полимерных материалов, Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:

1. Авторское свидетельство СССР № 211095, кл. G 03 С 7/14, 1968.