Устройство для создания высокого давления

 

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИН (19) (111

3(51) В 01 У 3 06

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К ABT0PCH0MV СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ (21) 1733404/25-27 (22) 03.01.72 (46) 23.06.83. Вюл. Р 23 (72) Л.Ф. Верещагин и Л.Г. Хвостанцев (71) Институт физики высоких давлений АН СССР (53) 621. 979. 062 (088. 8), (54) (57) УСТРОЙСТВО ДЛЯ СОЗДАНИЯ ВЫСОКОГО ДАВЛЕНИЯ, содержащее две матрипд,, расположенные соосно одна напротив другой, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью повьааения стойкости матриц и увеличения рабочих давлений, под опорными плоскостями матриц помещена твердая среда, а на опорных плоскостях матриц выполнены . концентрично расположенные канавки, заполняемые твердой средой.

637995

25

35

Техред A.Áàáèíåö

Редактор О.Юркова

Корректор Ю.Макаренко

Заказ 6485/2

Тираж 537 Подписное. ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент", r. Ужгород, ул. Проектная, 4 изобретение относится к устройствw для создания высокого давления.

Известно устройство для создания высокого давления, содержащее две одинаковые матрицы, расположенные 5 соосно одна напротив другой, между рабочими поверхностями которых помещается исследуемый образец.

В матрицах известного устройства возникают большие градиенты напряже- 10 ний, направленных параллельно вертикально оси матриц от Нх рабочих поверхностей к опорным плоскостям, что снижает их стойкость и ограничи« вает величину применяемых рабочих давлений.

Цель изобретения — повышение стойкости матриц, и увеличение рабочих давлений.

Для этого в предлагаемом устройстве под опорными плоскостями мат" риц помещена твердая среда, а на опорных плоскостях матриц выполнены концентрично расположенные канавки, заполняемые упомянутой твердой средой.

На чертеже схематически изображено предлагаемое устройство.

Устройство содержит две одинаковые, соосно расположенные одна напротив другой, верхнюю 1 и нижнюю

2 матрицы, между которыми помещаются исследуемый образец 3 и окружающая его твердая среда 4. На опорных поверхностях матриц выполнены концентрично расположенные канавки и 6.

Между верхней 7 и нижней 8 плитами пресса и опорными поверхностями матриц помещается твердая среда

9, заполняющая канавки 5 и 6.

В качестве предпочтительных материалов для твердой среды могут служить, например, катлинит, пирофиллит и другие подобные материалы.

В некоторых случаях материалаии для твердой среды могут служить металлы, например медь, или.комбинация нескольких материалов °

Работа устройства .осуществляется следующим образом, При сближении матриц 1 и 2 происходит изменение объема полости между их рабочими поверхностями и истечение иэ этой полости некоторого объема твердой среды 4, окружающей образец 3. Одновременно с этим воэ™ никает давление в твердой среде 9 и нормальные напряжения в матрицах, причем нормальные напряжения в рабочей я опорной зонах направлены навстречу друг другу и взаимно компенсируют друг друга. В результате матрицы испытывают всестороннее сжатие под действием больших давлений, что приводит к резкому повышению их прочностных характеристик, при этом отсутствует градиент напряжений параллельно вертикальной оси матриц. Возникающие в канавках матриц тангенциальные напряжения являются эффективной поддержкой центральной части опорной поверхности матриц, причем эти напряжения могут изменяться за счет количества канавок и их формы.

Устройство для создания высокого давления Устройство для создания высокого давления 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к взрывному синтезу алмазов и может быть использовано для синтеза алмаза непосредственно в процессе детонации углеродсодержащего взрывчатого вещества с отрицательным кислородным балансом (BB) и дальнейшего разлета продуктов взрыва

Изобретение относится к технике для производства сверхтвердых материалов (СТМ), например алмазов, путем синтеза

Изобретение относится к технологическим приемам получения искусственных кристаллов алмаза из углеродсодержащего сырья, при высокой температуре и в атмосфере сжатого газа, относительно низкого давления
Изобретение относится к изготовлению промышленных алмазов, а точнее к способам изготовления поликристаллических алмазных слоев для электронной промышленности, точной механики, микротехнологии
Изобретение относится к области изготовления сверхтвердых материалов из углеродной массы

Изобретение относится к области выращивания монокристаллов алмаза для алмазного инструмента

Изобретение относится к области неорганической химии, в частности к способам получения графитоподобного нитрида бора (ГНБ) в режиме самораспространяющегося высокотемпературного синтеза (СВС), который может быть использован в области получения керамических материалов, как исходный продукт для синтеза плотных сверхтвердых модификаций нитрида бора, в химической и абразивной промышленности
Наверх