Автоэмиссионный катод

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСК%ИУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Ъ

<»642789

Союз Сеевтсинк

Сециллистичесиик

Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 130176 (2t) 2312335/18-25 с присоединением заявки №вЂ” (23) Приоритет

Опубликовано 15,01,7 Э Бюллетень №

Дата опубликования описания 150179 (51) М. Кл.

Н 01 Т 1/30

Государственный комитет сссР

llo делам изобретений и открытий (53) УДК 6?1.385.032 ..212(088.8) (72) Авторы изобретения

К.E.Açoí, Г.К.Зырянов и С.A.Åíÿçåâ

)

f

Ленинградский ордена Ленина и ордена Трудойоло..гласного

Знамени государственный университет им. A.A.Æäàíîâà (71) Заявитель (54) АВТОЭИИССИОННИЙ КАТОД

Изобретение относится к катодной электронике, точнее к ненакаливаемым электронным эмиттерам, которые используются в качестве высокоэкономичных катодов в электронных микроско- о пах, электронографах, электронно-лучевых приборах и т.д.

Известны автоэмиссионные катоды, которые изготовляются химическим или электрохимическим травлением металли- 10 ческих заготовок в виде проволок и реже из монокристаллов полупроводников, причем последние пока не нашли практического применения (1) .

Известны также автоэмиссионные катоды, которые выполняются в виде металлических пленок, частично покрывающих диэлектрическую подложку )2j .

Эти катоды являются протяженными ис- ЯО точниками электронов, вследствие чего требуют достаточно высоких рабочих напряжений. Кроме того, катоды такого типа могут быть выполнены иэ ограниченного круга материалов. 25

Цель изобретения — расширение возможности применения и уменьшение рабочего напряжения.

Поставленная цель достигается тем,. что диэлектрическая подложка презла- ЗО гаемого катода имеет форму острия и выполнена из кварца.

На чертеже изображено предлагаемое устройство.

В устройстве в качестве диэлектрика использована тонкая кварцевая нить 1, изготовленная утоньшением в пламени горелки. Крепление кварцевой нити к металлическому основанию 2 (вольфрамовой проволочке) осуществляется с помощью аквадага 3. Эмиттирующнй слой металла 4 наносится испареНием в вакууме на боковую поверхность нити. Такая конструкция катода обеспечивает эмиссионный ток 10 А при напряжении l,5-2 кВ. Поскольку на изготовление одного катода используется кусок кварцевой нити около 5 см, а нить толщиной в десятые доли микрона получается в пламени горелки длиной в десятки сантиметров, то очевидно. что легко изготовить примерно одинаковые диэлектрические заготовки для катодов. Испарением металла или полупроводника в вакууме на большую партию одинаковых заготовок можно приготовить достаточное количество идентичных по параметрам катодов.

Предлагаеьий автоэмнссионный катод может найти применение, в частности, в растровых электронных микроскопах, изготовляемых СКБ рентгеновской аппаратуры.

3 6427S9 4 жения, диэлектрическая подложка катода имеет форму острия.

2. Катод по п. l, о т л и ч а ю шийся тем, что подложка. выполФормула изобртеения иена из кварца.

Источники информации, принятые вр

1. E.âòîýìèññèoííûé катод, содержа- внимание при экспертизе щий диэлектрическую подложку, частич- 5 1. Елиисон М.И. и Васильев Г,Ф. но покрытую металлической пленкой, Автоэлектронная эмиссия. М., 1958, отличающийся тем, что, с. 63-64. с целью расширения возможности при- 2. Авторское свидетельство СССР менения и уменьшения рабочего напря- Ф 291601, кл. Н 01 J 1/30, 1969.

Редактор И.Марголис

Заказ 7771/50

Составитель Г.Кудинцева

Техред Н.Бабурка КорректопС.йекмар

Тираж 923 Подписное

UHHHHH Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035 Москва, Ж-35 Раушская наб л. 4 5

Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная,4

Автоэмиссионный катод Автоэмиссионный катод 

 

Похожие патенты:
Изобретение относится к области получения мощных ионных пучков (МИП) и может быть использовано в ускорителях, работающих в непрерывном и импульсном режимах

Магнетрон // 2115193

Изобретение относится к ионно-оптическим ускорителям ионов и может быть использовано в ионных двигателях
Изобретение относится к микроэлектронике и предназначено для изготовления проводящих микроострий, которые могут быть использованы, например, в производстве вакуумных интегральных микросхем
Наверх