Стекло

 

Союа Соеетскик

Соцналнстняежнх

Республик

< >643447 (И) Дополнительное к авт. свил-ву (22) ЗаявлЕно 01. 04. 77 (21) 2468565/29-33 е прнсоеднненнем заявки №вЂ” (23) ПриЬрнтетОпубликовано25.01.7ВБюллетень N 3

Дата опубликования описания 30.03..79 (Я) М. Кл.

С 03 С 3/10

Гмуйарстееией юетет ссср

oI,аулам N306po TfNIN н еткрнтнФ (53) УЙК 666. l 12., 4(088.8) Т. П. Маркова, И. Н. Кузнецова, Л. С. Смарышедщ, В. Ф. Борисов

g Л. H. Ярмолинская (72) Авторы изобретения е (71) Заявитель (54) С Я:КДД

Изобретение относитса к составам сте кол и предназначено для использовании в элементах схем, выполненных на стеклин ных нодложках методом толстоппеночной технологии.

Известно стекло, содержашее1 вес.Ъ:

vuo 65-7 2

530 14»15

Вяоэ

5 6

Си0 1 13 т1 02 до 05

АС 0 до 0,3

Z,нО 1 3

Cd0 1- 4

Мп0 1» 5 (1).

Такое стекло имеет температуру оплав ез ленин 510-520 С (температура размнг ченин 360оС) и коэффициент термическо го расширении 74 10 1/град.

Это стекло было предназначено дли по26 лучениа пленок толщиной до 3 мкм.

Наиболее близким по составу к пред лагаемому ивлнетсн стекло, включающее, вес.Ъ:

Pb0 6S»75

ЬзО 8»12

В20з 7» 8

ZnO 5-15

Сц0 0,53

CdO 0,5-1,5 403 до 0,5 (2).

Ко иннент термического расширеннн

85 - 10 1/град.

Такие стекла не беспечивают получе» вин элементов схем методом толстопле» ночной технологии из паст.

Мель изобретении снижение кристал лизапионной способности стекла, пригодного к использованию в составах паст длн получении эпементов схем с примене нием толстопленочной технологии на стеклянных подложках, ковффидиент термичес кого расширения которых составляет

80-90: 10 1/град.

Это достигаетсн тем, %TO стекло goK0A нительно содержит Сг> 0 и СоО при следующем соотношении компонентов, sec.%:

643447

68 80

6 15

4-12

2 15

1- 5 5

1- 5

1 5

1- 5 приведены свойства соста О

PUO

В О

СцО

7.00

Cd0

СГ 0

СоО

B таблице вов стеколэ

Полученная плата, подвергалась десятв40 кратному термоииклированию 20-50020 С, Результаты термопиклировании показали, что покрытие сохраннетси целостньм без трещин, раковин, пэсечек.

Соиротивпение пленки изменяется в пределах не более 107.

Второй вариант @асты, Диэлектричес каи паста содержит, вес,%:

Предлагае мое стекло состава З 80,0

Полученное стекло бы о использовано дли приготовлении двух вариантов паст: проводниковой и диэлектрической.

Первый вариант пасты. Проводникован паста содержит весЛ;

Серебро 78,0

Предлагаемое стекло

COCTBBG 1 9,0

Поли винил-бутило вый эфир с молекулярным весом 3000 10,0

Виннлбутиловый эфир З,О

Пасту использовали для получении токоведуших дорожек методом толстогиеноч- "- ной технологии на подложках из натрийизвесткового стекла. Топшнна полученной пленки составлила 1012 мкм. Вжнгание пасты производили при 540 С втечение

15 мнн. 30

В процессе термообработки стекло рао плавлнлось, смачидало подложку и металлические частицы пасты, растекалось по поверхности подложки и обеспечивало спекание покрытии при 540 С.

Покрытие получалось сплошное, без трещин пузырей и раковин.

Поливиннлбутиловый эфир с молекулярным весом 3000 15,0

Винилбутиловый эфир 5,0

Пасту использовали дли получении ди электрического слон методом толстопле ночной технологии на подложку с проводниковой разводкой. Полученный слой тол шиной 40 мкм после термообработки при о

510 С в течение 15 мин приобретал вид ровноГо плотного стеклянного,покрытияэ имеющего четкий контур.

После проведения испытаний на термо циклирование в режиме 20-500 20 С о (10 циклов) покрытие оставалось без видимых трещин, скопов, посечек, т.е. узлы обладали высокой термомеханической прочностью. Удельное обемное сопротивление пленки составляло (1-7) ° 10 ом.см.

11

Таким образом, в рассмотренных примерах полученные элементы (проводниковаа разводка и диэлектрический слой) обладают высокими термомеханическими свойствами и стабильными электрическими характеристиками, Одновременное введение окиси хрома и закиси кобальта, а также выбор основного минералогического состава позволили получить стекло с требуемым комплексом физико=химических свойств, пригодного дпя использования в толстоппеночной технологии. Предлагаемый состав стекла обеспечивает получение толстых слоев при достаточно низких температурах термообработки (54ООС), что особенно важно при изготовлении изделий микроэлектроники не допускающих высокотемпературной об работки, как с точки зрении деформации подложки, так и с точки зрении возмож ного ухода параметров элементов микросхемы.

Использование предлагаемого стекла в составах паст„ наносимых методом тол стопленочной технологии, позволяет удов летворить ряд сложных требований: хорошее растекание по подложке и обеспечение четкого контура пленки, коэффициент термического расширения, равный

80-90. 10 1/град, и температуру о оплавления 540 С.

643447

Составитель A. Берсенев

Редактор А.,Морозова Техред Н. Бабурка, Корректор В. Кривошапко

Заказ 7930/21 Тираж 555 Подписное

0НИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113033, Москва, Ж35, Рдушсквв квб. ° д. 4/Б

Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Формула изобретении

Стекло, включающее Pb0,5 0, Ь 0

СцО,ХйО, С60, о т л и ч а ю щ ее с н тем, что, с целью снижениа крис- с. таллизацнонной способности, оно дополни» тельно содержит Ct О, Со О при следующем соотношении компонентов, вес.Ъ:

РЬО 68-80

& 0 6-15 1О

4-12

СиО 215

ZnO 1- 5

CdO 1- 5

Сг О 1» 5

СоО 1- 5

Источники информации, принятые во

Внимание При експертызе, 1. Авторское свидетельство СССР

Ы 258544 кл. С 03 С 3/10, 1966.

2. Авторское свидетельство СССР

М 349652, кл. С 03 C 3/10 1971,