Широтно-импульсный модулятор

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Сеюз 4-влетами»

Фецавлистичвежмя

Республик

«i> 652701 (6!) Дополиительйое к авт. свил-ву(22} Заявлеио230273 (21) 1406366/18-21 с присоедииением заявки РЙ (23} Приоритет (6!) М. Кл.

Н 03 К 7/08

Государствевный коамтет

СССР ко делан изобретений к открытей

Опубликовано 150379.бюллетень И 10 (63) ИК 621.376.54 (088,8) Дата опубликования описания 150379 (72) Автор. изобретеиия

Ю.П.Сташинов

Pl) Заявитель () 4 ) ШИРОТНО-ИМПУЛЬСНЫЙ МОДУЛЯТОР

Изобретение относится к области импульсной техники и может быть использовано в системах регулирования с широтно-импульсной модуляцией.

Известны широтно-импульсные моду,ляторы на транзисторах, эмиттеры которых соединены через первичные обмотки импульсного трансформатора с выходамн источников опорного и преобразуемого напряжений соответственно,база одного из транзистбров сбединена через обмотку обратной связи импульсного трансформатора с его эмиттером,база другого — с выходом вспомогательного источника импульсов, а коллекторы транзисторов соединены с источником питания (1).

Недостатком этого модулятора является низкая линейность характерис- тики .вход-выход.

Наиболее близким техническим решением к данному изобретению является широтно-импульсный модулятор на транзисторах, содержащий источники опорного и преобразуемого напряжений, отрицательные полюса которых соединены с коллектором одного из тран - - зисторов, импульсный трансформаторс обмоткой обратной связи и несколькими первичными обмотками (2).

Недостатком этого модулятора является сложность.

Цель изобретения - упрощение модулятора.

Для этого в широтно-импульсном" модуляторе на транзисторах, содер- жащем источники опорйого" и йреобраэуемого напряжений, отрицательные полюса которых соединены с коллек® тором одного из транзисторов, импульсный трансформатор с обмоткой об ратной связи, эмиттеры транзисторов объединены, с положительным полюсом источника опорного напряжения соеди® нен коллектор второго транзистора, база которого соединена с базой первого транзистора нейосредствейно, а с эмнттерами транзисторов — через обмотку обратной связи импульсного

@ трансформатора, первичная обмотка которого включена"межцу " положительным полюсом источника йреобразуемого напряжения и эмиттерами транзйсторов.

На чертеже представлена функцио 5 нальная схема. модулятора;

Модулятор содержйт транзисторы и

2 р-п-р и п-р-п:типа, импульсный трансформатор с первичной обмоткой

3 н обмоткой 4 обратной связи, выходЮ ные зажимы 5 и 6 соответственно ис652701 к = а

to+49 О

U =

Формула изобретения

ЦНИИПИ Заказ 1076/53 Тираж 1059 Подписное

Филиал ППП Патент, г.ужгород, ул. Проектная, 4 точников опорного и преобразуемого напряжений;

Модулятор работает следующим образом.

Пусть открыт транзистор 1, тогда к первичной обмотке 3 импульсного трансформатора прикладывается преобразуемое напряжение Uwy, под дейст- вием которого происходйт перемагничивание сердечника импульсного транс,форматора до насыщения за. время

2%юс

Упр где Ч с - потокосцепление насыщения, определяемое индукцией насыщения и числом. витков первичной обмотки 3 16 импульсного трансформатора.

На обмотке обратной связи 4 в течение этого времени наводится ЭДС, которая поддерживает транзистор 1 в режиме насыщения, а транзистор 2 — в ф) режиме отсечки 1 Йапряжение на выходе модулятора практически равно нулю.

В момент насыщения сердечника индуктивность первичной обмотки 3 резко снижается, коллекторный ток транзистора 1 возрастает и он переходит в активный режим, ЭДС на обмотках 3 и 4 импульсного трансформатора становится равной нулю, а,затем изменяет знак. Трайзистор

1 запирается, а транзистор 2 открывается.

К первичной обмотке 3 прикладывается напряжение U -U,,под действием которого сердечник импульсного трансформатора перемагничивается в обратном направлении в течейие времени

2Фнас а а 11 Ц а. к выходным зажимам модулятора в те.чение этого времени прикладывается напряжение Уо„.

Я и„

При насыщении сердечника аналогично предыдущему транзистор -2 закрывается, транзистор 1 открывается, и процесс повторяется.

Коэффициент Кэ заполнения импульсов и среднее значение выходного напряжения при этом пропорционально преобразуемому напряжению

Широтно-импульсный модулятор на транзисторах, содержащий источники опорного и преобразуемого напряжений, отрицательные полюса которых соединены с коллектором первого из транзисторов,.импульсный трансформатор — с обмоткой обратной связи, о т л и ч а ю щ и и ся тем, что, с целью упрощения .модулятора, эмиттеры транзисторов объединейы с положительным полюсом источника опорного напряжения соединен коллектор второго трахзистора, база которого соединена с базой первого транзистора, непосредственно, .а с . эмиттерами транзисторов . — через обмотку обратной связи импульсного трансформатора, первичная обмотка которого включена между положительным полюсом источника преобразуемого напряжения и эмиттерами транзисторов.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Патент Франции 9 1322290, кл. Н 03 С, 1972.

2. Авторское свидетельство СССР

Ф 181685, кл. Я 03 К 7/08, 1965..