Способ контроля микродефектов в прозрачных пленках
СПОСОБ КОНТРОЛЯ МИКРОДЕФЕКТОВ В ПРОЗРАЧНЫХ ПЛЕНКАХ, основанный на ионно-плазменном распылении, включающий создание плазмы, бомбардировку пленки положительными ионами плазмы и наблюдение микродефектов, отличающийся тем, что, с целью повышения достоверности контроля, в постоянном электрическом поле ведут ионно-плазменное распыление диэлектрика, а о наличии микродефектов судят по появлению вокруг них цветовых ореолов.
Изобретение относится к методам контроля микродефектов и может быть использовано в производстве полупроводниковых приборов для контроля слоев прозрачных пленок. Известен способ выявления сквозных дефектов окисной пленки на полупроводниковой пластине, который заключается в том, что дефекты наблюдают на увлажненной фотобумаге, помещенной между полупроводниковой пластиной и металлическим электродом. После выдержки в течение 3-60 с под напряжением 70-100 В фотобумагу проявляют и закрепляют. В местах соприкосновения фотобумаги с дефектов окисла возникает темное пятно. Недостатками такого метода являются сложность сопоставления дефектов на образце с их изображением на фотобумаге; невозможность выявления двух или нескольких близко расположенных дефектов из-за низкой разрешающей способности фотобумаги, а также выявление только сквозных дефектов. Известен способ контроля микродефектов в прозрачных пленках, основанный на ионно-плазменном распылении, включающий создание плазмы, бомбардировку пленки положительными ионами плазмы и наблюдение микродефектов. Этот способ включает следующие операции. В рабочей камере установки, в которую помещен испытуемый образец, создается плазма. При подаче отрицательного потенциала на стол-мишень, на котором расположен образец, последний подвергается бомбардировке ионами плазмы, что приводит к более четкому проявлению структуры образца. О дефектах судят по световому восприятию с помощью оптического микроскопа. Однако этот способ не дает достоверной информации о наличии микродефектов. При световом восприятии дефектов в силу низкой разрешающей способности оптического микроскопа невозможно наблюдать дефекты, размеры которых 
0,1 мкм, не наблюдаются также два или более близко расположенных дефекта, воспринимаемых при наблюдении как один дефект. Целью изобретения является повышение достоверности контроля. Поставленная цель достигается тем, что в постоянном электрическом поле ведут ионно-плазменное распыление диэлектрика, а о наличии микродефектов судят по появлению вокруг них цветовых ореолов. П р и м е р. Проводят исследование окисной пленки SiO2 на полупроводниковой пластине кремния (hSiO2 0,4 мкм). Пластину помещают в камеру установки ионно-плазменного распыления УРМЗ 279013, в которую подают аргон и создают вакуум 
10-3 мм рт.ст. На стол-мишень, на котором располагают исследуемую пластину, подают отрицательный потенциал, в результате чего пластина подвергается бомбардировке положительными ионами аргона. По истечении 20 мин под оптическим микроскопом МБИ-11 наблюдают цветовые ореолы поверхности окисной пленки, появляющиеся после ионно-плазменного распыления вследствие интерференции света. По ореолам судят о наличии дефектов и их размещении на пластине. Предлагаемый способ обеспечивает достоверные сведения о наличии дефектов и их расположении в прозрачных пленках. По появлению цветового ореола вокруг каждого дефекта можно обнаружить дефекты, размеры которых 0,1 мкм. Два или несколько близко расположенных дефекта выявляются благодаря перекрытию цветовых ореолов.
Формула изобретения
СПОСОБ КОНТРОЛЯ МИКРОДЕФЕКТОВ В ПРОЗРАЧНЫХ ПЛЕНКАХ, основанный на ионно-плазменном распылении, включающий создание плазмы, бомбардировку пленки положительными ионами плазмы и наблюдение микродефектов, отличающийся тем, что, с целью повышения достоверности контроля, в постоянном электрическом поле ведут ионно-плазменное распыление диэлектрика, а о наличии микродефектов судят по появлению вокруг них цветовых ореолов.MM4A Досрочное прекращение действия патента Российской Федерации на изобретение из-за неуплаты в установленный срок пошлины за поддержание патента в силе
Номер и год публикации бюллетеня: 36-2000
Извещение опубликовано: 27.12.2000
