Фотоэлектрический формирователь импульсов

 

::".ìàÿ "Ь п11660272

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИ Я

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 25.07.77 (21) 2510432 18-21 с присоединением заявки № (23) Приоритет (43) Опубликовано 30.04.79. Бюллетень № 16 (45) Дата опубликования описания 30.04.79 (51) М. Кл. Н ОЗК 4/08

Государственный комитет (53) УДК 621.376.5 (088.8) по делам изобретений и открытий (72) Авторы изобретения Н. П. Данченко, О. С. Каральник, А. М. Клинов, С. С. Олендер и Ю. Е. Тарнавский (71) Заявитель (54) ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ФОРМИРОВАТЕЛЪ

ИМПУЛЪСОВ

Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано в устройствах автоматики и телемеханики.

Известен фотоэлектрический формирователь импульсов, содержащий транзистор и фотодиод, в котором коллектор транзистора соединен с источником питания, а база — с источником входного сигнала (1).

Однако этот формирователь обладает узкими функциональными возможностями, Цель изобретения — расширение функциональных возможностей формирователя импульсов.

Для этого в фотоэлектрический формирователь импульсов, содержащий транзистор и фотодиод, в котором коллектор транзистора соединен с источником питания, а база — с источником входного сигнала, введены резистор и диод, причем резистор включен между фотодиодом и общей шиной, а диод — между фотодиодом и эмиттером транзистора.

На чертеже приведена принципиальная электрическая схема формирователя.

Фотоэлектрический формирователь импульсов содержит транзистор 1 и фотодиод

2. Коллектор транзистора 1 соединен с клеммой 3 источника питания, а база — с клеммой 4 источника входного сигнала. В формирователь введены резистор 5 и диод б. Выходами являются клеммы 7, 8.

Фотоэлектрический формирователь импульсов работает следующим образом.

При освещении фотодпода 2 световым потоком происходит генерирование электронно-дырочных пар, разделение их на основные и неосновные носители и концентрация в 12-области кристалла избыточных электронов, а в р-области — избыточных дырок.

Эквивалентная схема фотодиода 2 пред-10 ставляет собой в этот момент заряженный конденсатор, величина заряда которого определяется световым потоком.

При подаче на клемму 4 импульса управления транзистор 1 открывается, н импульс

15 прямого тока смещения выделяется на низкоомном резисторе 5 нагрузки, формируя передний фронт выходных импульсов. По мере рассасывания накопленны; ранее зарядов происходит уменьшение прямого то20 ка смещения, что приводит к формированию заднего фронта выходных импульсов.

Во время открывания транзистора 1 к фотодиоду 2 прикладывается импульс запи25 рающего напряжения от источника питания. При этом скачком уменьшается эквивалентная емкость фотодпода 2. Уменьшение емкости приводит к параметрическому усилению и к преобразованию фотосигнала

ЗО в импульсный электрический сигнал, выделяемый на низкоомном резисторе 5 нагруз660212

Формула изобретения

Составитель Ю. Еркин

Редактор Е. Караулова Корректоры: E. Осипова и Л. Орлова

Заказ 687/2 Изд. № 271 Тираж 1059 Подписное

НПО Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4!5

Типография, пр. Сапунова, 2 ки. Точечный диод б является коммутирующим. Он разрывает цепь резистора 5 нагрузки во время пауз между импульсами управления.

В точке соединения точечного диода б и фотодиода 2 формируется пилообразное напряжение, амплитуда которого пропорциональна световому потоку.

Таким образом, выделяемый на резисторе 5 нагрузки импульсный сигнал, амплитуда которого пропорциональна световому потоку, может быть использован без дальнейшего усиления по напряжению и мощности. Использование пилообразного напряжения позволяет существенно расширить функциональные возможности формирователя.

Фотоэлектрический формирователь импульсов, содержащий транзистор и фотоди5 од, в котором коллектор транзистора соединен с источником питания, а база — с источником входного сигнала, отл и ч а юшийся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей, в него вве10 дены резистор и диод, причем резистор включен между фотодиодом и общей шиной, а диод — между фотодиодом и эмиттером транзистора.

Источники информации, 15 принятые во внимание при экспертизе

1. Авторское свидетельство СССР

М 434580, кл. Н ОЗК 4/08 от 28.02.1972.