Многоэлементный источник света

Авторы патента:

H01L31/12 - связанные с одним или несколькими электрическими, например электролюминесцентными, источниками света конструктивным путем, например путем формирования на общей подложке или внутри нее, и кроме того электрически или оптически связанные с этими источниками света (полупроводниковые приборы по меньшей мере с одним поверхностным или потенциальным барьером, приспособленные для излучения света H01L 33/00; электролюминесцентные элементы и фотоэлементы H03F 17/00; электролюминесцентные источники света как таковые H05B 33/00)

МНОГОЭЛЕМЕНТНЫЙ ИСТОЧНИК СВЕТА, coflepKai'jjift герметизированный корпус, в ко^тором размещена керамическая подложка, кристаллы широкозонных полупроводниковых соединений с электролюминесцирующим р -п-переходом, расположенные на параллельных металлизированных полосках керамической платы и соединенные проволочньми выводами с проводниками, расположенными перпендикулярно ме-тя.плизированным полоскам керамической платы, о, т л и ч а ю щ и и с я тем, что, с целью повышения onTi-t- 4ecKofi изоляции и ко}1трастности его излучения, на керамической плате между металлизированными полосками и проводниками установлена изоляционная плсчстина с сеткой конических отверстий, центр которых расположен на средней линии металлизированных полосок керамической платы и на поверхность стенок которых нанесено металлизированное отражаю1цее покрытие, а кристаллы широкозонных полупроводниковых соединений с злектролюминесцирую1цим р -р-переходом, расположенные на параллельных металлизированных полосках керамической платы, размещены в сквозных конических отверстиях изоляционной пластины.(ЛS Wг /J /г п05OiоСП Осо

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИН 1 !! H 01 L 31/12

0 Ш 7 2 012 !!

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ (21) 2523013/18-2! (22) 29.08.77 (46) 15.05.85. Бюл. К 18 (72) Т.А.Кротова, В.И.Павличенко, В.П.Сушков и В.К.Скарин (53) 621.396.6(088.8) (56) 1. Патент США !"- 3821616, кл. 357-29, опублик. 1972.

2. Каталог фирмы "monsanto", опублик. 1977. (54)(57) МНОГОЭЛЕМЕНТНЫЙ ИСТОЧНИК

СВЕТА, содержащий герметизированный корпус, в котором размещена керамическая подложка. кристаллы широкозонных полупроводниковых соединений с электролюминесцирующим P -n â€ переходом, расположенные на параллельных металлизированных полосках керамической платы и соединенные проволочными выводами с проводниками, расположенными перпендикулярно ме„„su„„ecosoc таллизированным полоскам керамической платы, и т л и ч а ю шийся тем, что, с целью повышения оптической изоляции и контрас.тности его излучения, на керамической плате между металлизированными полосками и проводниками установлена изоляционная пластина с сеткой конических отверстии, центр которых расположен на средней линии металлизированных полос K керамической платы и на поверхность стенок которых нанесено металлизированное отражающее покрытие, а кристаллы широкозонных полупроводниковых coe;,инений с электролюминесцирующим p -!!-переходом, рас положенные на параллельных металлизированных полосках керамической платы, размещены в сквозных конических отверстиях изоляционной пластины.

660509

Составитель

Техред M. Надь

Редактор Л.Письман

Корректор о Билак

Заказ 2835/4 Тираж 679

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Подписное

Филиал ППП "Патент"., г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Изобретение относится к импульсной технике и может быть испольэовано в качестве источника света.

Известен многоэлементный источник света, содержащий несколько электролюминесцирующих р -и-переходов на одном полупроводниковом кристалле, размещенных на плате (1) . Недостаток этого источника заключается в наличии значительной опти- !О ческой засветки между элементами, Наиболее близким техническим решением к данному изобретению является многоэлементный источник света, содержащий герметизированный 15 корпус, в котором размещена керамическая подложка, кристаллы широкозонных полупроводниковых соедивЂ” нений с электролюминесцирующим p вЂ” ппереходом, расположенные на параллельных металлизированных полосках керамической платы и соединенные проволочными выводами с проводниками, расположенными перпендикулярно метаплизированным полоскам керамической платы (2j.

Однако этот элемент имеет недостаточную оптическую изоляцию и контрастность излучения.

Цель изобретения вЂ” повышение оптической изоляции и контрастности его излучения.

Для этого в многоэлементном источнике света, содержащем герметизированный корпус, в котором размещена керамическая подложка, кристаллы широкозонных полупроводниковых соединений с электролюминесцирующимp -П-переходом, расположенные на нараллельиых металлизированных

40 полосках керамической платы и соединенные проволочными выводами с проводниками, расположенными перпенвЂ” дикулярно металлиэированным полоскам керамической платы, на керамической плате между метаплиэированными полосками и проводниками установлена изоляционная пластина с сеткой сквозных конических отверстий, центр которых расположен»а средней линии металлизированных полосок керамической платы и на поверхность стенок которых нанесено металлизированное отражающее покрытие, а кристаллы широкозонных полупроводHHKoBblx соединений с электролюминесцирующим р -П-переходом, расположенные на параллельных металлизированных полосках керамической платы, размещены в сквозных конических отверстиях изоляционной пластины.

На чертеже приведена схема конвЂ” струкции источника света.

Многоэлементный источник света содержит кристаллы 1, например, полупроводниковых соединений GaP размером 0,34 0,34 мм с электролюминесцирующим р -n-переходом и вы-! водами 2 и 3, размещенные в горизонтальном направлении на керамической плате 4 через слой токопроводящего клея 5 на металлизированных никелем и золотом полосках 6. Крис таллы l расположены в конических отверстиях 7 светорассеивающей пластмассовой пластины 8, соединенной герметизирующим компаучдом (клеем) 9 с керамической платой 4, Изнутри конические отверстия 7 пластины 8 имеют отражающее покрытие 10. На верхвЂ” ней наружной поверхности пластины 8 имеются размещенные вертикально ме таллизированные полоски 11, к которым присоединены золотой проволокой 12 (9 40 мкм) верхние выводы 2 кристаллов 1. Кристаллы 1 на плате 4 герме-. тизированы в монолитном пластмассовом корпусе 13.

Похожие патенты:

Оптрон // 551730

Оптоэлектронный прибор // 434873

Патент 329602 // 329602

Преобразователь изображения // 298080

Полностью оптический регенератор // 2105389

Изобретение относится к области обработки информации, представленной оптическими сигналами, в частности к устройствам регенерации, усиления, коммутации оптических сигналов (ОС) полупроводниковыми структурами

Многофункциональный индикаторный оптрон // 2174269

Изобретение относится к оптоэлектронному приборостроению и может быть использовано для создания оптоэлектронных преобразователей и информационных матричных дисплеев

Светодиодное устройство // 2258979

Изобретение относится к конструктивным элементам полупроводниковых приборов, по меньшей мере, с одним потенциальным барьером или с поверхностным барьером, предназначенных для светового излучения, в частности, к железнодорожным светодиодным светофорам

Фотолюминесцентный излучатель, полупроводниковый фотоэлемент и оптрон на их основе // 2261502

Полупроводниковый диод для инфракрасного диапазона спектра // 2286618

Изобретение относится к области полупроводниковых приборов, конкретно к диодным источникам и приемникам, излучающим и принимающим излучение с поверхности в инфракрасном (ИК) диапазоне спектра, и может найти применение в приборах газового анализа, спектрометрах, в системах обнаружения и связи

Фотоприемник // 2462742

Изобретение относится к фотоприемникам и предназначено для селективной регистрации оптических сигналов в оптоэлектронных устройствах

Гибридное интегральное вакуумное микрополосковое устройство // 2073936

Оптоэлектронный прибор // 1329510

Изобретение относится к оптоэлектронике, в частности к монолитным оптоэлектронным приборам, и может быть использовано в вычислительной технике, устройствах автоматики, системах оптической связи

Оптоэлектронное устройство // 1787297

Термоотверждающаяся композиция эпоксидной смолы и полупроводниковое устройство // 2528849

Изобретение относится к термоотверждающейся композиции на основе эпоксидной смолы и полупроводниковому устройству, полученному с использованием ее. Композиция содержит (А) реакционную смесь триазинпроизводной эпоксидной смолы и ангидрида кислоты при отношении эквивалента эпоксидной группы к эквиваленту ангидрида кислоты 0,6-2,0; (В) внутренний агент высвобождения из формы; (С) отражающий материал; (D) неорганический наполнитель; и (Е) катализатор отверждения. Внутренний агент высвобождения из формы компонента (В) содержит сложный карбоксилатный эфир, представленный следующей общей формулой (1): в которой R11 и R12 представляют собой CnH2n+1, где n представляет собой число от 1 до 30, и соединение, представленное следующей общей формулой (2): в которой R1, R2 и R3 независимо выбраны из Н, -ОН, -OR и -OCOCaHb при условии, что, по меньшей мере, один из R1, R2 и R3 включает в себя -OCOCaHb; R представляет собой CnH2n+1 (в которой n представляет собой целое число от 1 до 30), а составляет от 10 до 30, и b составляет от 17 до 61. Полупроводниковое устройство содержит полупроводниковый элемент, капсулированный отвержденным вышеуказанным продуктом термоотверждающейся композицией на основе эпоксидной смолы. Изобретение позволяет получить гомогенный продукт, сохраняющий белизну, теплостойкость, светостойкость в течение длительного времени с пониженным пожелтением.3 н. и 5 з.п. ф-лы, 12 ил., 4 табл.