Фоточувствительный материал

 

Союз Советсннк

Соцналнстнчееннк

Республик

siss 662137 ъ », » .»

«

«, «) ",.(,, ( (51)М. Кл.

В 01 У 17/00

Н 01 1, 31/08 (й) Дополнительное к авт. саид-еу -, (22) Заявлено 070576 (21) 2359535/22-26 с присоединением заявки № .(23) ПрноритетОпубликовано150579 Бюллетень ¹18

Государственный комитет

СССР по делай нзобретеиий и открытий (53) УДК 621 315. .592 (088.8) Дата опубликования описания !6.06.79 (72) Авторы

H3O6POTOHS4R

П. Г. Рустамов, P. Ф. Мехтиев, М. А ° Алиджанов, В. Г. Сафаров и A. О. Халилов р1) З „В Е . Институт неорганическои и физической химии

АН Азербайджанской ССР (54 ) ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫЙ МАТЕРИАЛ

Изобретение относится к созданию новых Фоточувствительных материалов, применяемых в качестве Фоторезисторов, которые могут быть применены в схемах автоматического контроля и измерительной техники.

Известны различные фоторезистор ные материалы PbS, PbSe, PbFe, работающие в инфракрасной области спек- О тра. Однако эти материалЫ могут работать при комнатной температуре только в видимой области спектра.

Для того, чтобы применить эти материалы в приборах, работающих в ин- 15 фракрасной области спектра,: необходимо глубокое охлаждение (до 77ОK).

Известный фоточувствительный материал сернисто-свинцовый фоторезистор (ФС-А) работает в инфракрасной области спектра при длине волны

2,5 мк (1). Недостатком этого материала является то, что для работы в инфракрасной области спектра требуется охлаждение. Охлаждающие системы, имеющие значительные габариты и вес, затрудняют использование фоторезисторов в целом ряде аппаратурыэ 30

Известен также фоточувствительный материал на основе сплавов CdS и РЬЯ для работы в инфракрасной области спектра при комнатной темпе- ратуре (2), Однако составы, работающие в области 1,6-1,8 мкм, не быт и получены. еЦель изобретения - обеспечение работы материала в области 1,6-1;8 мкм, С этой целью предложено использовать материал, который имеет состав

Sn,„дпх - Se где х-О, 04-0, 1. дня синтеза указанного сплава в качестве исходных компонентов ис-, пользуют Zn, Sn и $е в соответст" вующих пропорциях. Синтез осуществляют в эвакуированных кварцевых ампулах с остаточным давлением порядка 10 4 мм рт. ст. в атмосфере аргоо на при 950 С с последующим охлаждением. Из синтезированных поликристаллических образцов по методу Бриджмена выращивают монокрйсталлы. Выращенные монокр .сталлические образцы однородны и параметры их стабильны.

Измерения проводят после отжига образцов монокристаллических при

350 С в течение 400 ч. Результаты испытания представлены в таблице.

662137 п

osoмос5,62 ° 10 405 (1,66 10 420

2,75 10 448

"8 10 460

3,5 ° 10

Фб

0,22

103

0,25 р х-0,01

7,9 10

1,68 10

125

145

11,5 0,63 х-0,03 х«О, 04

8 ° 10

ll 4

1,5

150 р х-0,05

5,62 10 470

4,12 10 478

-ь

3,56 10 494

-b

3, 47 10 505

153

1,4 ° 10

1,38 10

1, 36 10

1,35 10

11,2 3,0

155

1,75 .. p. х-О, 6

ji38

1,26

10,8

158 х-0,08

9,0

160. х-О, 10 формула изобретения

Составитель В. Безбородова

Редакто JI. Новожилова .Техред О. Андрейко Корректор A. Власенко

Подписное

Заказ 2551/6 Тираж 876

ЙЯИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

11303 Иосква Ж-35 Ра шская наб. . 4 5

Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Как видна из таблицы, с увеличением в составе япбе-селенида индия до 5 мол.Ъ фоточувствительность .Sn„ On „ Se увеличивается почти в

14 раз, а дальнейшее увеличение до

10 мол.В приводит к некоторому уменьшению фоточувствительности, имея при этом по сравнению с исходными все же достаточно высокую фоточувствительность (почти в 6 раз выше). Таким образом концентрацию 3nSe в SnSe необходимо взять в количестве 4-10 мол.%

ЗпБе, при этом обладающим оптимальйым свойством следует считать сплав, . содержащий 5 мол.Ъ вЂ” т.к. при этом достигается наиболее высокое 40 значение фототока 3,0 мка.

Образцы указанного состава имеют стабильные электрические и оптические свойства.

Фоточувствительный материал íà основе халькогенида элемента четвертой группы для работы в инфракрасной области -спектра при комнатной температуре, о т л и ч а ю щ и й— с я тем, что, с целью обеспечения работы в области 1,6-1,8 мкм, материал имеет состав БЬ4 х Qn< Se, где х-0,04-0,1.

Источники информаций, принятые во внимание йри экспертизе

1. Ступельман В. М. Филаретов Г.A.

Полупроводниковые приборы Советс- кое радио, 1973, с. 194.

2. Патент США 9 3900431, кл. 252-501, (Н 01.Т 31/08), 1975..