Способ управления давлением криогенной жидкости

 

Способ управления давлением криогенной жидкости, хранящейся в газификаторе, путем заполнения вакуумированной полости теплопроводным газом, отличающийся тем, что, с целью повышения быстродействия, заполнение вакуумированной полости производят путем нагревания редкоземельного интерметаллического соединения, например лантаново-никелевого, расположенного внутри вакуумированной полости.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к криогенной технике и предназначено для хранения и подачи криогенных продуктов к потребителям, например для подачи водорода и кислорода, хранящихся при криогенных температурах, в электрохимический генератор (ЭХГ) энергетической установки (ЭУ) на основе водородно-кислородных топливных элементов, предназначенной для установки на подводных лодках, кроме того, оно может быть использовано в космической технике для подачи криогенных продуктов к потребителям, установленным на космических кораблях (КК), а также в народном хозяйстве в составе автономных ЭУ на основе водородно-кислородных топливных элементов, предназначенных для использования в районах, куда прокладка линий электропередач затруднительна

Изобретение относится к области криогенной техники и предназначено для хранения и подачи криогенных продуктов к потребителям, например, для подачи водорода и кислорода, хранящихся при криогенных температурах в электрохимический генератор (ЭХГ) энергетической установки (ЭУ) на основе водородно-кислородных топливных элементов, предназначенной для установки на подводных лодках

Изобретение относится к области холодильной и криогенной техники и касается конструкции и эксплуатации емкостей для хранения криогенных, биологических и др

Изобретение относится к области холодильной и криогенной техники и касается конструкции и эксплуатации устройств для хранения криогенных, пищевых и биологических продуктов при низких температурах

Криостат // 2198356
Изобретение относится к криогенной технике, а именно к криостатам для исследования оптических и гальваномагнитных свойств материалов, в частности полупроводниковых, при низких температурах
Наверх