Термометр сопротивления

 

(i i! 6652I6

Ойй ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских Социалистических

Республик (б1) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 09.01,78 (21) 2568184/18-10 (51) М. К .

С 01К 7/16 с присоединением заявки №

Государственный комитет (23) Приоритет (43) Опубликовано 30.05.79. Бюллетень № 20 (45) Дата опубликования описания 30.05.79 (53) УДК 536.531 (088.8) по делам изобретений и открытий (72) Авторы изобретения

В. И. Суханов, А. А. Соколова, В. И. Смыслов и В. М. Школьников (71) Заявитель (54) ТЕРМОМЕТР СОПРОТИВЛЕНИЯ

Изобретение относится к области термометрии, а именно к пленочным термометрам сопротивления.

Известны термометры сопротивления, выполненные из монокристаллических слоев твердых растворов Ge+Si, выращенных на диэлектрической подложке (1), либо из эпитаксиальной высоколегированной пленки кремния одного типа проводимости, выращенной на кремниевой подложке другого типа проводимости (2).

Недостатком этих устройств является узкий диапазон рабочих температур, Известен также термометр сопротивления на основе гетероэпитаксиальной структуры кремний на сапфире, в котором чувствительным элементом является полупроводниковая пленка, легированная примесью и нанесенная на диэлектрическую подложку (3).

Недостатком этого термометра является довольно значительный разброс температурного коэффициента сопротивления (до

10% ) при массовом производстве.

Цель изобретения — достижение унификации градуировочных характеристик термометров сопротивления при массовом производстве.

Поставленная цель достигается тем, что в термометре сопротивления, содержащем чувствительный элемент в виде полупроводниковой пленки, легированной примесью и нанесенной на диэлектрическую подложку, полупроводниковая пленка выполнена в виде последовательности зон с различной степенью легирования.

Пленку выполняют с двумя зонами с различной степенью легирования и с отношением температурных коэффициснтов зон

10 11 13

Пример. Пленка кремния гстероэпитаксиальным осаждением наносится на сапфировую подложку и легируется бором до

15 концентрации 5 10" см — (удельное сопротивление 0,003 Ом. см) . Зона, составляющая 3/4 от общей площади пленки, дополнительно легируется бором до концентрации 10" см — (удельное сопротивление

20 0,001 Ом см).

Термометр состоит из двух последовательно соединенных зон со значениями

ТКС 0 15% и 0 13% на 1 град.

25 Подготовка значения сопротивления резистора к номинальному значению легко осуществляется лучом лазера, Предлагаемый термометр обеспечивает точность измерения при групповой градуи30 ровке приблизительно 0,5%.

665216

Составитель Ю. Андриянов

Техред А, Камышникова

Корректоры: Л. Орлова и Т. Добровольская

Редактор Т. Рыбалова

Заказ 831/18 Изд. Ке 321 Тираж 779 Подписное

НПО Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, К-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2

Формула изобретения 1. Термометр "сопротивления, содержащий чувствительный элемент в виде полупроводниковой пленки, легированной примесью и нанесенной на диэлектрическую подложку, отл и ч а ю щи и с я тем, что, с целью достижения унификации градуировочных характеристик термометров сопротивления прп массовом производстве, полупроводниковая пленка выполнена в виде последовательности зон с различной степенью легирования.

2. Термометр по п. 1, отл ° ч а ющи и с я тем, что пленка содержит две зоны с различной степенью легирования, причем отношение температурных коэффициентов зон составляет 1, 1 — 1,3.

Источники информации, принятыс во внимание при экспертизе

1. Авторское свидетельство CCCP

Ма 478202, кл. G 01К 7/16, 1973.

2. Патент США М 3881181, кл. 358 — 69, опублик. 1966.

3. Авторское свидетельство СССР

М 602796, кл. G 01К 7/16, 1976.