Программируемый постоянный запоминающий элемент
ОПИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Союз Советских
Социалистических
Республик (б1) Дополнительное к авт. свид-ву— (22) Заявлено 04.04.77 (21) 2472584/18-24 с присоединением заявки Ме— (51) М. Кл.
G 11 С 17/00
G 11 С 11/40 (43) Опубликовано 30.05.79. Бюллетень Ме 20 (45) Дата опубликования описания 30.05.79 (53) УДК 681.327.28 (088.8) по делам изобретений н открытий (72) Автор изобретения
В. И. Овчаренко (71) Заявитель (54) ПРОГРАММИРУЕМЫЙ ПОСТОЯННЫЙ
ЗАПОМИНАЮЩИЙ ЭЛЕМЕНТ
Государственный комитет
Приоритет
Изобретение относится к вычислительной технике и может быть применено при изготовлении однократно электрически программируемых полупроводниковых постоянных запоминающих устройств, сохраняющих информацию при отключении питания.
Известны программируемые постоянные запоминающие элементы, использующие способ пережигания плавких перемычек, содержащие разрядные и словарные шины, в местах пересечения которых находятся ключевые элементы и элементы связи (1).
Недостаток этих запоминающих элементов состоит в большой мощности импульса пережигания плавких перемычек, что ведет к усложнению всего устройства.
Для однократно электрически программируемых запоминающих элементов, использующих явление лавинного пробоя р-и-перехода диода транзистора, требуется импульс значительно меньшей мощности (2).
При этом ключевым элементом может служить транзистор, соответствующие выводы которого подключаются к словарной и разрядной шинам.
Наиболее близок к изобретению программируемый постоянный запоминающий элемент, содержащий ключевой диод, последовательно соединенный с лавинно пробиваемым диодом, соединенным с разрядной и числовой шинами (3).
Недостатком такого запоминающего элемента является большая сложность, так как применение технологии: кремний на сапфире и биполярной-требует изоляции элементов конструкции для устранения паразитных связей.
Цель изобретения — упрощение запоми10 нающего элемента.
Поставленная цель достигается тем, что в программируемом постоянном запоминающем элементе, содержащем подложку, на поверхности которой расположен полупро15 водниковый слой с диффузионными истоковой и стоковой областями МДП-транзистора, затвор которого подключен к словарной шине и размещен в диэлектрическом слое, расположенном на поверхности полупроводни20 кового слоя, диффузионная стоковая область
МДП-транзистора подключена к разрядной шине, расположенной на поверхности диэлектрического слоя перпендикулярно к словарной шине, подложка выполнена про-
25 водящей, например металлической, и образует с диффузионной истоковой областью
МДП-транзистора пробиваемый напряжением переход.
Кроме того, с целью уменьшения напря30 кения пробоя, предлагаемый элемент мо665327 жет содержать в полупроводниковом слое диффузионную эмиттерную область, подключенную к подложке и образующую с диффузионной с истоковой областью МДПтранзистора биполярный транзистор.
На фиг. 1 изображен предлагаемый запоминающий элемент; на фиг. 2 — запоминающий элемент с диффузионной эмиттерной областью в полупроводниковом слое.
Запоминающий элемент содержит подложку 1, полупроводниковый слой 2, диэлектрический слой 3, разрядную шину 4, диффузионные стоковую 5 и истоковую 6 области МДП-транзистора, затвор 7 которого соединен со словарной шиной.
В полупроводниковом слое 2 может быть расположена диффузионная эмиттерная область 8 биполярного транзистора, базой которого является полупроводниковый слой
2, а коллектором — диффузионная истоковая область 6.
Дополнительная диффузионная область
9, тип проводимости которой совпадает с типом проводимости полупроводникового слоя 2, также ведет к уменьшению напряжения пробоя перехода между истоковой областью 6 и подложкой 1, которая выполнена металлической и служит третьей шиной — шиной нулевого потенциала при записи и считывании информации из запоминающего элемента.
Запись информации в запоминающий элемент проводится подачей открывающего напряжения по словарной шине на затвор 7 и импульса программируемого напряжения на стоковую область 5 по разрядной шине 4, что приводит к закорачиванию истоковой области 6 на полупроводниковый слой 2, а следовательно, и на подложку 1.
Считывание информации осуществляется по величине тока в разрядной шине при подаче открывающего напряжения по словарной шине на затвор 7, наличие тока соответствует единичному состоянию, т. е. тому, что истоковая область 6 закорочена на подложку 1.
Введение областей 8 и 9 существенно уменьшает напряжение пробоя и снижает
5 требования к импульсу программируемого напряжения.
Такая конструкция за счет простоты позволяет снизить стоимость изготовлениязапоминающих устройств.
Формула изобретения
1. Программируемый постоянный запоминающий элемент, содержащий подложку, на поверхности которой расположен по15 лупроводниковый слой с диффузионными истоковой и стоковой областями МДПтранзистора, затвор которого подключен к словарной шине и размещен в диэлектрическом слое, расположенном на поверхно20 сти полупроводникового слоя, диффузионная стоковая область МДП-транзистора подключена к разрядной шине, расположенной на поверхности диэлектрического слоя перпендикулярной к словарной шине, 25 отличающийся тем, что, с целью упрощения элемента, подложка выполнена проводящей, например металлической, и образует с диффузионной истоковой областью МДП-транзистора пробиваемый на30 пряжением переход.
2. Элемент по п. 1, отл и чаю щи и ся тем, что, с целью уменьшения напряжения пробоя, он содержит в полупроводниковом слое диффузионную эмиттерную область, 35 подключенную к подложке и образующую с диффузионной истоковой областью МДПтранзистора биполярный транзистор.
Источники информации, принятые во внимание при экспертизе
40 1. Патент США ¹ 3611319, кл. 340 †1, опублик. 1971.
2. Патент США № 3699540, кл. 340 — 173, опублик 1971.
3. Патент США № 3733690, кл. 29 †5, 45 опублик. 1972.
665327
Риз.1 (Пиг. Е
Редактор Е. Караулова
Заказ 1033/15 Изд. № 341 Тираж 680 Подписное
НПО «Поиск» Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий
113035, Москва, 5К-35, Раушская наб., д. 4/5
Типография, п р. Сапунова, 2 составитель 10. Ушакоа
Техред Н. Строганова
Корректоры: Л. Орлова и Т. Добровольская
