Способ изготовления интегральных схем

 

СОЮЭ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИК йю дАРсвеннокплткнтнок .::.- ; -;. ., .:" .:,:. . :-. .; "@"." . %43 ". " I<- ЕНА К ASTOPCKOMY CBEQETFJILCTSY ., (21) 2498769/26 (22) 2ЙЖ77 (48) 36,11.93 Бой hh 43-44 (72) Черный.БИ

2 (54) CA0COS ЙЗГОТОЙЛЕНЙЯ ИНТЕГРАПЬНЫХ.СХЕМ

667011

3 .. 4

Изобретейие относится к производству: того, что сошлифованные области материаполупроводниковых приборов, s частности ла подложки занимают полезную часть плок производству йнтегральных схем.::, :: - щади пластины.. .Известен способ йзготовленйя интег-, :::: Целью. изобретения является повыше- ральных схем (ИС); В известном : способе 5 ние процента выхода годных интегральных изолированные области получаются путем -:: схем и улучшение качества поверхности травления через "окмсйую маску раздели- -: изолированных областей. тельных каналов, окисления реяьефной r»o-- ..::.: Указанная цель достигается тем. что верхности, наращивания на окисйую: .. удаление монокрифалла производят путем поверхность:поликристаллического слоя и ..1 О послойного анодирования мойокристалла с сошлифовки монокристалла для вскрытия:. . последующим растворением образовавше- разделительйых каналов. и йолучения необ- ..::., гося окисла; ", . ходимойтлубины з»легания областей моно-. :, : .:: Айодирование происходит только при кристаллического кремйия. Этот спосбб не —:-..: наличии положительного потенциала на мо- позволяет. получить: качественййе йзолиро-: 16 нокристалле;: следовательно, процесс,удаваннйе области ИС; что снижает процент- -:.:,":-. лейия; монокристалла будет продолжаться выхода годных ИС;:: ::: --:-,, - .: -:;:. " .;:::: -додостижения дна разделительнйх канаИзвестен способ изготовления й»1тег- ::: :,"лов,,т.е. до пояалеййя окисной пленки, ральных схем, включающий нанесение мас4:: " изолированных областей,:так как на изолики на пластину монокристалла, ..травление -20 роаанные области потенциала не попадает через маску разделительных-кайалов, окис- :-::: и,- следовательно,-. процесс . анодироаания ление рельефной -поверхности,.нанесение -,:::;:-этих областей происходить "не может. В на окисную поверхйость поликристалличе- "::.-.:предлагаемом. способе процесс удаления ского или диэлектрического слоя и удаление.." :.-. "монокристалла автоматически прекращает- монокристалла до выявления изолирован-,25..ся при достижении окисной пленки. разде-.

Для точного : определения момента . -", - полная электрическая изоляция -Структур. окончания сошлифовки монокристалла на ;; Таким образом,- глубина изолированных об : фоторезисторной маске располагают под контрольные углубления такой формы и ЗО.: ной вытравлейнога рельефа и не зависит от размеров, чтобы йри.травлении раздели-" "-.": прогиба подложки. На:поверхности вскры - тельных каналов на заданную глубину конт-, -:-:::: той пластины: находятся изолироааннйе об-. рольные углубления изготавливалйсь на :ласти,- разделенвые промежутками окйсла, . номинальнуЮ глубину зз4егания.монокри- : который образовался:йри:окислении каАасталла,.и сошлифоаку: ведут:до появления: 5 nba, вытрзал

oKNcHoA :пленки контрольнйх.углублений, :::::- . сталле;:этот окйсел является защитой от :,: .:. что позволяег увеличить процент. выхода . : :проникновения:нежелательных примесей, годных областей .монокристалла на"подлож-.": :. из несущей подложки, что ослабляет требо-., Л . ке.;,::.::.. ..;:-:. ;":. :;:;;: . ::.-:-":,:::- :.:-.. ;:::"..:,:. :-" .:::,,:: ".:.:- : вания к материалу несущей подложк . сталле обеспечивает одинаковую::.глубину" .;;-ло, макСимальна у поверхности. пластйны и

" вскрытия не по: всей плаотине, i только." ".;: ..::iiîìåðå углублейия.сужается и минимальна бежного изгиба подложки в процессе ее на -.. 45 удаления монокристалла при вскрытии пластину. Кроме, этого :известный: способ: - -;- до дна каналов, расстояние между изолирооснован на сошлифовке монокристалла.до: -:ванными областями монокристалла на, появления меток (контрольных углублений),:: :-.: вскрытой гюдложке будет определяться ши., а .так как метки расположены на глубине Щ риной дна канала и а любом случае будет меньшей, .чем глубина протравленйого : -,". меньше, чем а известном способе вскрытия рельефа, то одновременно с монокристал-. "сошлифовкой до появления окисной пленки

° . лическими изолированнымй областями со- . : . контрольных углублений. Кроме этого, в шлифоаыаается и -; что: . предлагаемом способе удаление монокри приводит, во-первых, к повышенным треба- .- . сталла не сопровождается механическим ваниям к материалу подложкй,чтобы исклю- нарушением поверхностного слоя монокричить проникновение нежелательных сталла, что всегда имеет место прй сошли.примесей в изолированные области моно- . фовке. Процессы анодироаания кристалла и, ао"BTOpblx, куменьшению плот:, монокОистзлля и чмййниа палмюнйлй и»

467011

Ф o P м у л а и з о б р е т е н и я " " :.",.:: удаление:. монокристалла до . выявления

: РАЛЬЙЫХ СХЕМ; включающий нан сен -.: теМ, что. с:Цмью повышениЯ пРоцента вы,маски на пластину монокристалла фа::55:хода тоднйх йнтегральных .схем и улучшение через маску разделительных кана,о -,нйя качесства поВврхностй изолированных у разделительных каналов, :окисление рельефной поверхности найе- .. -областей У4июйив моиокРисталла про зсение на окисную поверхность поли . водят путем по ойногоанодиРованйя мо,сталлического или диэлектрического слоя и нокристалла C последУющим Растворением образовавшегося окисла.

5 . 6 но-плазменными и плазмохимическими ме- плавиковой кислоты, фтористого алюминия тодами, что обеспечивает высокое качество, и воды в соотношении 1:3:5. Удаление моноповерхности изолированных областей мо- .:.кристалла кремния производится до появ нокристалла. :: :;::.: .:: . -; :; . ".. ления сетки разделительных каналов, и как

Пример. Исходная пластинамонакри-. 6 только.на каком-то участке пластины окисталлического кремния марки КЗФ 4,0 ори-: . - сел,. покрывающий:дно. Разделительных каентации 100 толщиной.400 мм:окисляется, : налов, выходит .на поверхность, процесс после чего на рабочей стороне пройзводит- :: анодирования в этом месте "прекращается ся операция фотолитографиидля получения :-: из-"эа прекращения доступа потенциала на рисунка разделительных каналов,.затем, ис- 10 . этот участок, т.е. праисходйт процесс сам6 польэуя окиси в качестве маски, вытравли-.." ="изоляции областей моносристалла, а на осШирина канала выбирается: такой,::чтобы "18 области монокристалла: не- свмоизолиру- глубйна его была равна требуемойтлубине .:::::ются. Нз пластинах, вскрытцх описанным изолированных областей монокристалла. - В".;;: способом, глубина изолированных моно.. данном" примере. глубина .изолировайных :-: ::.:: кристаллических областей составляет по тому ширина канала рассчитывается, такой. :. 20::что:.величина прогйба на этих пластинах по: ния .ориентации 100:соотношение Между :. .:-.:тельно ускорить врименяя для:низкоомширинойи глубиной получаемого каналасо-,:.: -": ного кремнйя совмещение .процесса

:.,ческого кремния толщиной 100-300: мкм,, 30 получения изолированных областей моно - Вместо поликристалла кремния можно на- ":" .:кристаллов в диэлектрических или поликриноситьслойстеклокерамикиилидругогома- ". " сталлических подложках обеспечивает, по роны монокристалла проводится" сошли.; 35 атей:монокристалла,"увелйчение плотности ... фовка монокристаллического :кремйия":.на :.:::.: Расположения элемвцтов ИС на,подложке, мон пленки окисла кремния. Анодироваййе про-:,:40:.:примесей из йодложки,. что позволяет:подборной кислоты при температуре 40-60."С и ".-., -- их качество., . ;:.. -. -:...,...,;:- . . ,подведении .положительного потенциала:..к -, : монокристалла порядка 0,5 мкм.:Растворе ;;.:: -:дио, 1975; с.39-:-43;.: "..;-; ние полученного бкисла производится в бу-,. : - ::Авторское свиДетельство СССР ф е р н о м .:тра в и тел е : состоя щем .:ив :М 382590; кл. Н 011 7/ОО, 1970.

\Q

50 .