Полупровдниковое устройство

Авторы патента:

ЕЛИНСОН М.И.

МАДЬЯРОВ М.Р.

ПОКАЛЯКИН В.И.

СТЕПАНОВ Г.В.

ТЕРЕШИН С.А.

ТЕСТОВ В.Г.

H01L29/12 - отличающиеся материалами, из которых они образованы

АНИЕ

ЕТЕНИЯ

Сви ЕТЕЛЬСТВУ

670023 авт. сеид-ву7 (2() 2509141/18-25 (51)М. Кл.

Н 01 L 29/14

8p.(Бюллетень № 37 (53) УДК 621.382. (088.8) я описания 23. 10. 80 (72) Авторы изобретения

М. И. Елинсон, М. P. Мадьяров, В. И. Покалякнн, Г. В. Степанов, С. A. Терешин и В. Г. Тестов

Ордена Трудового Красного Знамени институт радиотехники и электроники АН СССР (71) Заявитель (54) ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ УСТРОЙСТВО

Изобретение относится к .вычислительной технике и автоматике и может быть использовано при создании запоминающих устройств .

Известны устройства на основе гетероперехода, состоящего нз низкоомного слоя, например Si -р-типа и высокоомного слоя, например Zn Te t1) .

При подаче положительного токового импульса амплитудой, более чем пороговый S происходит переход из низкоомного в высокоомное состояние. Обратное переключение из высокоомного состояния в низкоомное осуществляется подачей отрицательного импульса напряжения с порогом Vn, При использовании инжектирукщего контакта реализуется биполярная схема.

Недостатками таких переключателей являются технологическая трудность изготовления тонких слоев бинарных соединений, невоспроизводимость параметров переключения, связанная, повЂ” видимому, с невоспроизводимостью свойств пленок. Такие материалы не используются для изготовления как пассивных, так и активных элементов интегральных схем.

Известны полупровбдниковые устройства на основе гетероперехода монокристаллический кремний вЂ” пленка двуокиси олова P) .

У такого прибора отсутствуют два устойчивых состояния вЂ” ниэкоомное

5 и высокоомное, бистабильность переключения, запоминание при отключенном питающем напряжении.

Цель изобретения вЂ” обеспечение биполярности переключения, заноми10 нания и сохранения памяти при отключенном питающем напряжении.

Это достигается тем, что пленка

S имеет дефекты с концентрацией не менее 5 ° 10 см создающими глубокие

15 энергетические уровни в запрещенной зоне.

Эти уровни создаются либо диффуэией соответствующих атомов примеси (например, Au, Zn и т.д .), либо за счет дефектов кристаллической решетки Snp (получение Sn0< методом ионоплазменного распыления олова в атмосфере кислорода) .

В исходном состоянии элемент об25 ладает высоким сопротивлением-10 0м.

При приложении напряжения (на двуокиси олова), превышающего пороговую величину (3-5 в), элемент переключается в состояние с малым сопротив30 лением «1 0 Ом. Это состояние запо1 б 703) 23

Составитель Г. Корнилова

Редактор Т. Колодцева Техред H.Бабурка Корректор Е. Папп

Заказ 8666 72 Тираж 844 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 минается и сохраняется при отключении, питания. При смене полярности напряжения и после достижения порогового тока (<1MA) элемент переключается вновь в высокоомное состояние 10 0м, которое сохраняется при отключении питания. Для неразрушающего считывания информации можно использовать импульсы тока или напряжения, амплитуды которых не превосходят пороговых величин. Время хранения информации при отключенном питании превосходит 3 16 месяца. Число обратных переключений элемента превосходит 10 .

Укаэанный SnO< бистабильный запоминающийся элемент легко изготавливают в интегральном виде .ло сущест- 3Я вуищей кремниевой планарной технологии.

Использование пленки двуокиси олова позволяет по одной технологии в едином цикле создавать в интегральном щ исполнении как бистабильные запоминающиеся устройства, так и резисторы, Мотки-диоды, конденсаторы на использовании емкости области пространственного заряда шотки-диода и полевые траиэис торы с Нотки-з ат вором.

Формула из обр ете ни я

Полупроводниковое устройство на основе гетероперехода монокристаллический кремний-пленка двуокиси олова, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью обеспечения биполярности переключения, запоминания и сохранения папяти при отключенном питающем напряжении, пленка имеет дефекты с концентрацией не менее 5 ° 10"з см, создающими глубокие энергетические уровнй в запрещенной зоне .

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1.йеиЬагу D.Ì. and others "Electrical

8eha,viour of p GenZnSe hetегоjunctious"Electr. Lett",1972, 8, t4 1, р. 104-105.

2. крячко В. В. и др. исследование электрофизических свойств гетеропереходов Sl-Sn0>, "Физика полупроводников и микроэлектроника". Воронеж, Изд-во Воронежского университета, 1972, с. 25.

Похожие патенты:

Пленочный диод // 550066

Сплав для омических контактов сило-вых полупроводниковых приборов // 508826

Полупроводниковый материал для записи голограмм // 453976

Патент 155871 // 155871

Селеновый выпрямительный элемент // 112331

Сульфидный выпрямитель // 86345

Полупроводниковый материал для адсорбционных сенсоров низкомолекулярных органических соединений и способ его изготовления // 2119695

Изобретение относится к составу полупроводниковых материалов, используемых в адсорбционных сенсорах для обнаружения и количественной оценки концентрации низкомолекулярных органических соединений, преимущественно кетонов в выдыхаемом людьми воздухе, и к технологии изготовления таких полупроводниковых материалов

Полупроводниковый материал // 2033986

Изобретение относится к керамическому производству, в частности к полупроводниковому материалу

Полупроводниковое запоминающее устройство // 789018

Порошковый материал на основе окиси алюминия для плазменного напыления теплостоков полупроводниковых приборов // 1661877

Изобретение относится к порошковой металлургии, в частности к порошковым материалам на основе окиси алюминия для плазменного напыления теплостоков полупроводниковых приборов, например электроизолирующих теплопроводных слоев на теплопередающих или теплоотводящих поверхностях полупроводниковых приборов

Переключающая схема и полупроводниковый модуль // 2557456

Изобретение относится к переключающимся схемам. Технический результат заключается в уменьшении нагрузки на схему формирователя сигналов управления затвором. Переключающая схема включает в себя: первый переключающий элемент; резистор, вставленный между управляющим электродом первого переключающего элемента и схемой управления, которая выполняет управление переключением для первого переключающего элемента; и первый конденсатор и второй переключающий элемент, подключенные между управляющим электродом первого переключающего элемента и электродом на стороне с низким потенциалом первого переключающего элемента. Электрод на стороне с высоким потенциалом второго переключающего элемента подключен к управляющему электроду первого переключающего элемента. Электрод на стороне с низким потенциалом второго переключающего элемента подключен к одному электроду первого конденсатора. Другой электрод первого конденсатора подключен к электроду на стороне с низким потенциалом первого переключающего элемента. Управляющий электрод второго переключающего элемента подключен к электроду резистора, подключенного к схеме управления. 2 н. и 8 з.п. ф-лы, 16 ил.

Способ управления трением в парах трения // 2639745

Изобретение относится к управлению трением в парах трения и может найти широкое применение в различных отраслях, таких как станкостроение, транспортное машиностроение, приборостроение и других. Способ регулирования трения в элементах пары трения включает предварительное нанесение на элементы пары трения покрытия из дихалькогенида переходного металла, причем на один элемент наносят дихалькогенид переходного металла, легированный примесью, обеспечивающей полупроводник n-типа, а на другой - дихалькогенид переходного металла, легированный примесью, обеспечивающей полупроводник р-типа. Легирующие примеси используют в концентрации от 1 до 10 атомов примеси на 107 молекул дихалькогенида переходного металла, затем на элементы пары трения подают постоянный ток с регулируемой разностью потенциалов. Положительный потенциал подают на элемент с покрытием из дихалькогенида переходного металла, легированного примесью, обеспечивающей полупроводник n-типа, а отрицательный потенциал подают на элемент с покрытием из дихалькогенида переходного металла, легированного примесью, обеспечивающей полупроводник р-типа, при этом напряжение изменяют от 0 до напряжения пробоя сформированного элементами пары трения р - n-перехода. Обеспечивается повышение эффективности управления трением в парах трения. 9 з.п. ф-лы, 1 пр.