Радиочастотный триггерный и логический элемент

 

"" 671033

CiIIsa Советских социалистических

Ресиуелик

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕ JlbCTBY (61) Дополнительчое к авт. свид-ву— (22) 3 ая влено 09.03.77 (21) 2460359. 1S-21 с присоединением заявки ¹â€” (23) Приоритет

Опубликовано 30.06.79. Бюллетень X 24

Дата опубликования описания 30.06.?9

1511 Кa

Н 03 К 19 20

fsñóäsðñòsåIIiIhIé кемитет ссср

Ils делам изверетеиий и открытий

1531 УДК 621.375. .063. (033.3) (72) Автор изобрете:-гня

В. Д. Дм итр ие в (71) Заявитель

Куйбышевский политехнический институт им. В. В. Куйбышева (54) РАДИОЧАСТОТНЫЙ ТРИГГЕРНЫЙ

И ЛОГИЧЕСКИЙ ЭЛЕМЕНТ

Предлагаемое устройство относится к области автоматики и вычислительный техники, в часгности к .радиочастотным тригге рам и логическим устройствам.

Известен радиочасговный трпггерный и логH IBGHHII элемент, содержащий TIpBнзисто1р, змиттер кото1рого через параллельно соединенные резистор и кондеисатор подключен к общей ш ине, между общей шиной и базой гранз истора вклточе н параллеаьны11 .колебатестьный контур, база T,ранзистора,соед1енена с источником переменного на пряжения через делитель на резиторах, средняя точ ка которого через конденсатор подключена к коллектору транзистора, змиттер гранзистора через резистор и диоды, включенные в прямом и обратном направлениях, соединен с шинами уп р а вл еипя.

Недоставкам такого усгройства является наличие колебательного контура и конде1нсатора бопьшой ем кости в цепи эмиттера транзисто ра, кокоторые .не .позволяют вы полнить уст1ройсгво,в виде единой (моHoLIIHT HoII) полу праваднико вой микросхемы.

Кроме того, наличие колебательного контура не позволяет применять готовое устройсгво в широком дианазоне частот без п ерестро|гки.

Цель изобретения — расширен1е чаTG TIH0 I o дп ада зон а.

Поставл енн а я цел ь до стига ется тем, что в радиочастотном тиггерном ol H Icc5 ком элементе, содержащем транзистор, колстектор кото рого через конденсатор, а база — через первый резистор соединена с источ ником псремен1!с "o на I ряжения, эмпттер гранзпстора .через,второй резистор соеди нен с обшей шиной, а через третий резистор и диоды в прямом и ооратном напра|влениях — с шинами уп равления, база гра нзистора через дополнительный диод сое1ди нена с обшей шиной, а через четвер-!

5 тый резистор — с эмиттером тра нзпсто|ра.

На фиг, 1 дана стру ктурная электрическая сыма радиочастогного трпггерного и фиг. 2 II pIIBCH,C H прафи к гистерезпсной хара,ктеристикп. g Радиочастотный приггерный и лог1 1сский элемент (фпг. 1) содержит транзистор 1, эмиттер которого через резистор 2 подкл1счен к обшей шине и через резисто р 3 и диоды 4 — 7 соЕдинен с ши-IaxiH

25 унфавления, на которые подаются управляюшие напряжения UI, Uz, (1, и У,, коллектор гранзистора 1 через кснден "атор нагрузки 8 и база через резистор 9 подключены,к источнику переменного напря20 жения (питания) U„. Между базен и

671033 эмиттерсм т ра нзи стора 1 включен резисToip 10, и между базой и общей шиной включен диомед 11. В исходном состоянии, если амплитуда напряжения U, ниже по рота отпирания тра нзистора 1, он заперт и на вымоде у стройства U,. мало, т. е. ,реализуется состояние «О». Еали а мплитуда Ha!11!p,aæåí!èÿ У„.на базе транзистора 1

Hb1IrIIe по рога его отпирания, о н отпирается и на выходе U„,,„. максималь но (U,„„. Х

U„), т. е.,реализуется, состояние «1». В исходи о м со стоян и и амплитуду иерем ел ного на пря?кения на базе устанавливают делител ем, colcTQH!IIIIIM из резистора в 9, 10, 2,,п ри чем BIMIII!1HT)да нап ряжения должнa быть |ниже у ровня порога отлира ния Тра; знстсра 1. Для оппи рания TpaiHBK4cTopa 1 илн запира ния открытого тра нзисто ра 1 служат у1правляюшие нап ря?ке ния Ь1, У, 3 И 4.

П|роцесс отлира ни я транзистора объяс няется аледующи1м образом. П ри амплитуде налряже ния .на базе TpaIH3HGTolpa 1 вы,ше его,порога оппира ния, в положительный полупер иод напряжения U „заря?к а ется конденсатор 8 через переход к олл екто р — база и диод 11, Illp Hiч ем од но в р смен но .заряжается и диффу3IHoHiHasf емкость диода. К моменту прихода отрицательной полуволны,на п ряжения U „конденсато р 8, за ря?кенный со зна ком минус на коллcIKTolpå gpà!H3H!cToipа 1, является источником для п ита н ия ppaIH3HIcTQ!pa 1. С приходом опри цательной полу1вол1ны нап ря?кения тра нзи сто1р 1 отпи рается. В момент отпи ра ния тра и зистора 1 между базой транзистolpB и о бщей IIIIHIHQA создается отрицатель ное нели нейное сопротивление.

ОПрицательное содроти вление резко у величи вает нап ря?кение на базе трaiHзистора 1 и п.одно стью его отпнрает. Увеличение,на пря жения на базе .продал?кается

BrIIJIGTb зо TlpaIHи цы насыщения транз истора 1. При этом ам|плитуда напряжения Ugp,y

cTBIHoIBHTIcH,I1IpHIM@piHo ра вно и амплитуде пита1ощего напряжения.

В оприцательной полу период напряжения сопротивление диода 11 большое, и амплитуда на пряжени я на базе определяется резисторами 9, 10, 2. Так ка к,на резисто1ре 2 п роиохо дит падение постоя иной и переменной соспа вля1ощей пап ряжения, то при значениях сопротивления более 300 ом, транзистор зал1нрается. С целью иаключения залира ния транзистора оди н вы вод!p!83II!c Tolp B 10 .подключен .к эмиттеру. Большое значение соп роти вления (13„.„, ) рези стара 2 необхо ди мо для ул40

Ц д

5

1 0

2 зо .Зо

4 ра вления по змитте ру транзистора 1 достаточ но,малbIIMè значениями улравляющих н Birr!p я?кен!и Й U4, U1 U2 3. ,На фиг. 2 по каза и графи к гистерезисной ха!ра ктеристнк и успройства. При у величенHIH а иплитуды нал ряже ния U „или на базе Tlpa!Ha!HOT!opa 1 в Tow!KC А п роисхадит резкий акачо к амллитуды напряжения U„,„(äo з начения в точке Б). П ри уменьшении амп литу1ды на п ря?кения U„ (или на базе транзистора 1) ары в (скача к) п роиоходит в точке В. При это м U,„„ изменяется со зна чения соо пветствующеIo точ ке В, до з начения в точ ке Г. Налнч ие гистерези аной а чплитудной хара ктеристики jicTIpoHicTIBB о бъяаняется нели ней ным1и па1рамед)ра1ми.

Та ким образом, из анализа работы устройства следует, что на его выходе,реаггизуюпся следующие операции: триггерный ре?ким («1», «О»), логичеакая операция ИЛИ вЂ” HF.

С,помощью предлагаемого элемента реализуется уннфици ро ва н ная диодно-TpaH3HIcTcrpIHBiH JIorHIKB (ДТЛ), работающая на высоких и н изких частотах. Кроме того, пр и1менен ие м нопозмиттерного транзистора вместо одноэмиттар ного п ри водит к построению у1ни фнцнрова н ной транзистор нотранзистор ной радиочастотной логики (ТТЛ).

П редла1гаемый элемент прост по конструкции, не содержит катушку индуктивности и,кон1де н сато1р большой e!MIKocTH в цепи э1митте1ра, и изготовленный элемент мо?ино иапюльзо вать в шнроком диапазоне частот без перестройки.

Ф о Ip м у л а и з о б р е т е н и я

PapHoHalcTIoTIHbrH трнггер ный и логический элемент, содер жа щий тра нзисто р, кол;I8KToip KoiToipGir через ко нденаато1р, а база через первый резистор соединена с

HIcToHIHIBKoiM перемен ного,напряжения, эмитте р TIpa!HB HcITopa через вто рой,резистор соеди нен с общей шиной, а через третий pe3HcToIp и диоды,в п рямои и обратном направлениях с шинами управления, отл ич а ю шийся тем, что, с целью расширения частотното диалазона, база тр а нзистора через QOIIIOIJIIHHITBJIbIHbIH диод соединена с общей IIIIH!HAH, а через четвертый резисто р — с эм иттеро м транзистора.

И сточ ники информации, п ри нятые .во в нима ние при эксперпизе

1. Лвторакое авидетельспво СССР

JA 503365, |кл. Н 03 К 19J20 25.02.74.

671033

Pig s,1

5 х

p » z

Составитель М. Назаров

Редактор Е. Караулова Техред Н. Строганова Корректор Л. Брахнина

Заказ 405б Изд. Хв 40,5 Тираж 059 Подписное

ЦНИИПИ НПО «Поиск» Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий ! !3035, Москва, 5Ê-35, Раушская наб., д. 4/5

Загорская типография Упрполиграфиздата Мособлисполкома