Способ изготовления фотопроводящего элемента
ОП ИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕН ИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
< 680081
Союз Советских
Социалисти месим»
Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 10 10.77 (21) 2532407!18-25 с прнсоедииеннм заявки № (23) Прноритет . Опублнковано15.08.79.бюллетень № 30 штата опубликования описания 18.08.79 (51) М. Кл.
Н 01 T 9/20
Гасударственный нвмнтвт
СССР но делам нэаврвтвннй
N вткрытнй (53 vgK 621 385. . 83 2 (088. 8) Г. Е. Маслов и В. A. Соловьев-Ефимов (72) А вторы изобретения (71) Заявитель (5 4) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ФОТОПРОВОДЯЩЕГО
ЭЛЕМЕНТА
Изобретение относится к области технической физики, в частно<-ти к оптоэлектронной технике.
Оно может быть использовано в устройствах оптической обработки информации, например в преобразователях и усилителях изображения.
Известен способ изготовления фотопроводящего слоя, в котором порошок фотопроводника смешивается с небольшим количрством органической связки и наносит ся в виде густой пасты на подложку, а после отверждения связки слой шлифуют до заданной толщины(1). Малое количество связки вводится в смесь, чтобы получить тесный механический контакт между частицами в слое, что улучшает электрический контакт между ними и, следовательно, сохраняет фоточувствительность слоа. Пористость получаемой структуры авляется недостатком этого способа.
Известен другой способ изготовления фотопроводящего элемента, состоящий в нанесении иа поверхность подложки слой суспензии порошка фотопроводника в жидком биндере и его отверждение (21.
Недостатком этого способа изготовления фотопроводящего элемента является относительно низкаа чувствительнос ть.
Жль изобретения является увеличение чувствительности элемента. вайль достигается тем, что по предлагаемому способу после нанесения слоя суспензии порошка фотопроводника производят его уплотнение путем механического давления через прослойку, проницаемую для биндера, но непроницаемую дла порошка, а после отверждения полученной структуры удаляют ее поверхностный слой до уплоч пенного слоя фотопроводника.
Фотопроводящий элемент изготавливают следующим образом. Готовят смесь, г:
Смола-эпоксидная жидкаа марки УП-640 10
Жидкий изо-метиптет1 агидрофталевой ангидрид, 8
Порошковый активированный сульфид кадмия 12
680081
Составитепь В. Белоконь
PsXaxxep И. Шубииа . texpeu П. Аафереаа
Заиаа 4804/4& Тираж 923
БНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий
113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4-5
Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, уп. Проектная, 4
Корректор М, Вигула
Подписное
Подготовленную смесь тщательно перемешивают в миксере и вакуумируютполучают суспензию. Полученную суспензию выпивают на токопроводящую поверхность горизонтально . установленной под- 5 ложки размером 120 х 120 мм " ровным. споем. В нанесенном слое идет самопроизвопьный процесс осаждения порошка фотопроводящего вещества на подложку.
Подложку с нанесенным слоем нагревают до,30-45 С и выдерживают при этой температуре 15-20 мине В результате про веденной операции нагревания дастигается предварительное уплотнение порошкового слоя у подложки и образова п е поверх него обедненного по порошковой фазе слоя жидкого биндера. Поддерживал температуру нагревания в прежних пределах, накладывают сверху на обедненный спой; биндера плоскую мембрану, вйитываюшую в себя биндер и не пропуокающую порошок. Мембрана делается иэ фипьтровапьной бумаги. После того, как первая мембрана самопропитывается биндером по всей площади, на нее накладываются сменяемые по мере их пропитки вторичные мембраны. Как только.пропитка очередной вторичной мембраны станет неэффективной, снова накладыва.ют свежие впитывающие мембраны и покрывают их плоским стеклом, защищенным Зй от крипипания смолы тонкой павсановой пленкой. Таким образом, собранную систе. му устанавливают в термошкаф гориэопTBJtbHo HB плоское стекло ставят груз весом 0,5-1 кг. В этом попоженни ведут
39 отверждение покрытия при 150=170 С ь течение 4-2 ч., после чего попу:ают от вержденное покрытие, содержащее у подложки плотно опресованный спой порошка Я под clloSM выжатого H впитанного прсспойкой мембран биндера. Далее механической обработкой покрытия на токарном стенке удаляют поверхностный спой покрытия, шлифовкой на плитах доводят толщину фоФЗ топроводящего слои до 60-90 мкм, затем полируют на сукне до получения гладкой поверхности. В реэупътате продепанных операций получают законченный фотопроводящий элемент.
Способ изготовления фотопроводящих элементов за счет более тесной упаковки частиц в их структуре позволяет повысить фоточувствительность и воспроизводимость фотоэлектрических свойств порошковых слоеве При этом улучшается однородность свойств по всей площади элемента. Благодаря отсутствию пор в структуре повышается электрическое пробивное напряжение слоя, что уп;учшает надежность и расширяет диапазон его примененияа
Способ изготовления фотопроводящих элементов допускает применение, кроме . указанных, и других материалов в качестве замещающих аналогов функциональных компонент суспензии, а также допускает использование дополнительно вводимых разжижитепей, летучих растворителей, присадок и других порошковых фотопроводящих веществ ипи их смесей
Формула изобретении
Способ изготовпения фотопроводящего эпемента, состоящий в нанесении на поверхность подложки слоя суспензии порошка фотопровсдника в жидком биндере и его отверждения, о т и и ч а ю щ и й-. с я тем,что, с цепью увеличения чувствитепьности, после нанесения слоя суспензия порошка фотопроводника производит его уплотнение путем механического давления эрез прослойку, проницаемую для биндера, но непроницаемую дпя порошка, а поспе отверждения подученной структуры удаляют ее поверхностный слой до уплотненного спок фотопроводника.
Источники информации, принятые во внимание при экспертизе
1. Казанник G. Н, и.др. Прикладная пюмииисценция", М., "Советское радио, 1974, с. 349.
2. Патент Польши M 64466, кп.
G 03 G 5/04, опубпик. 1972.
