Импульсный подмодулятор
О П И C А Н И Е
ИЗОБРЕТЕНИЯ
Союз Соватскнк
Соцналнстнческнк
Ресаублнк
<"1681551 (61} Дополнительное к авт. свид-ву (22} Заявлено21.1276 (21} 2430667/18-21 с присоединением заявки Hо (23} Приоритет (51}PA. Кл 2
Н 03 К 7/00
Государственный комитет
СССР по делам изобретений и открытий (53L) УДК621. 317 (088. 8) Опублиновано250879 Бюллетень 11о 31
Дата опубликования описания 2608.79 (72) Авторы
ИЗО тВИИя М,А . Васильев, В, П . 1 узий и К, П . Покровский (71) Заявитель
{ 54 ) ИМПУЛЬСНЫЙ ПОДМОДУЛЯ 1 ОР
Изобретение относится к импульс,ной технике и технике связи и может быть использовано в качестве устройства управления диодным модулятором.
Известен импульсный подмодулятор для управления диодным модулятором, использующий эмиттерный повторитель, параллельно базовому переходу которого включен диод, полярность его обратна полярности перехода j 1 j, Недостатком известного импульсного подмодулятора является низкое быстродействне.
Цель изобретения — повышение быстродействия.
Для достижения этого в импульсный. подмодулятор, содержащий эмиттерный повторитель и резистор, первый выход которого соединен с базой транзистора эмиттерного повторителя,. дополнительно введены источник постсг"янного тока, транзистор, проводимость которого обратна проводимости транk зистора эмиттерного повторителя,стабилитрон, резисторы и переключатель тока, выполи енный н а двух тран зист орах, к эмиттерам которых подключен:источник постоянного тока, коллектор одного из транзисторов переклю.чатт ел я т ок а через резист ор соедин ен с шиной питания и подключен к базе дополнительно введенного транзистора, а коллектор другого транзистора переключателя тока соединен с базой транзистора эмиттерного повторителя, эмиттер дополнит ельно введенного транзистора через резистор соединен с шиной питания, коллектор соединен с эмиттером транзистора эмиттерного повторителя, к которому подключен дополнительно введенный источник постоянного тока, а второй вывод резистора, соединенного первым выводом с базой транзистора эмиттерного повт орит ел я, через ст абили трон соединен с общей шиной и через резистор соединен с шиной питания.
На фиг . 1 дана принципиальная схема устройства; на фиг. 2 - то же, один иэ вариантов исполнения.
Импульсный подмодулятор содержит транзисторную пару на транзисторах
1, 2 с эмиттерной связью, базы которых соединены с входами 3, 4 устройства, к эмиттерам подключен источник 5 постоянного тока, коллектор 1 через транзистор 6 змиттерного повторителя соединен с выходом 7 устройства и источником 8 постоянного тока, через резистор 9 — с цепочкой, 681551 состоящей иэ стабилизатора 10 и резистора 11, коллектор транзистора 2 соединен с базой транзистора 12 и через резистор 13 - с источником . питания, резистор 14 включен между эмиттером транзистора 12 и источником питания, к выходу 7 подключен модул ят орный диод 15, Устройство работает следующим образомм.
Предположим, что в исходном состоянии на диодный модулятор поступа- 10 ет ток, открывающий его. При этом на входы устройства подано такое напряжение, при котором потенциал базы транзистора 1 переключателя тока выше потенциала базы транзистора 2, транзистор 1 открыт, т ок от и сточника 5, проходящий через этот транзистор создает на резисторе 9 такое падение напряжения, при котором потенциал на базе транзистора эмиттерного повторителя 6 ниже, чем потенциал на выходе 7 устройства, который определяется падением напряжения на открытом модуляторном диоде 15. Падение напРяжения на резисторе 13 отсутствует, так как транзистор 2 закРыт, поэтому дополнительный транзистор 12 тоже закрыт, и весь ток источника 8 поступает на выход 7 устройства.
При подаче на входы- устройства на- ЗО пряжения противоположной полярности транзистор 1 закроется, и ток от источника 5 проходит через транзистор
2. Напряжение на базе транзистора 6 становится почти равным напряжению на стабилитроне 10. Транзистор 12 открывается, и его коллекторный токр определяемый величиной резистора 14, компенсирует ток источника 8. Напряжение на выходе устройства определя- 40 ется выходным напряжением эмиттерного повторителя с низким выходным сопротивлением. Напряжение на базе эмиттерного повторителя задается цепью, состоящей из стабилитрона 10 и резистора 11. Оно меньше напряжения коллекторного питания, что предотвращает насыщение транзистора б.
Работа схемы устройства, приведен— ной на фиг. 2, аналогична.
Управл яющий и вы ходн ой т оки э адаются токовым повторителем на транзисторах 16, 17 и 18. В коллекторную цепь транзистора 19 переключателя тока включен токовый повторитель на транзисторах. Цепь из стабилитрона и резистора отсутствует, так как режим насыщения транзистора 6 невозможен. Этот вариант удобнее для интегрального исполнения, Формула иэобрет ения
Импульсный подмодулятор, содержащий эмиттерный повторитель и резистор, первый выход которого соединен с базой транзистора эмит терн or o повторителя,отличающийся тем, что, с целью повышения быстродействия, дополнительно введены источник постоянного тока, транзистор проводимость которого обратна проводимости транзистора эмиттерного повторителя, стабилитрон, резисторы и переключатель тока, выполненный на двух транзисторах, к эмиттерам которых подключен источник постоянного тока, коллектор одного из транзисторов переключателя тока через резистор соединен с шиной питания и подключен к базе дополнительно введенного транзистора, а коллектор другого транзистора переключателя тока соединен с базой транзистора эмитт ерн ого повторит ел я, эмиттер дополнительно введенного транзистора через резистор соединен с шиной питания, коллектоР соединен с эмиттером транзистора эмиттерного повторителя, к которому подключен дополнительно введенный источник постоянного тока, а второй вывод резистора, соединенного первым выводом с базой транзистора эмиттерного повторителя, через ст абилитрон соедин ен с общей шин ой и через резистор соединен с шиной питания.
Источники информации, принятые вс внимание при экспертизе
1.1EFE Trans on IA, 70, v. 8, 9 1, р, 19.
681551
Фиг. фиг.1
Составитель Т, Морозова
Редактор Н Рввтмова Тектед М. Летка Корректор Л. Л врннц
Заказ 5104/51 Тираж 1060 Подписн ое
IIHHH1IH Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий
Г33035 москва к-35 Ракшская нав. л. 4 5
Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул, Проектная, 4
