Способ управления стехиометрическим составом кристаллов полупроводниковых соединений цинка,содержащих металлоиды у1 группы

 

1. СПОСОБ УПРАВЛЕНИЯ СТЕХИО- МЕТРИЧЕСКИМ СОСТАВОМ КРИСТАЛЛОВ ПОЛУ-

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (59 4 С 30 В 31 00

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н ABTOPCHOMV СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 2470682/23-26 (22) 06.04.77 (46) 30.08.87. Бюл. М 32 (71) Томский институт автоматизированных систем управления и радиоэлектроники, Томский медицинский институт и Физический институт им. П.Н.Лебедева (72) А. Н. Георгобиани, M. Б. Котляревский, А.В.Лавров, В. Н.Михаленко и Б.Г.Урусов (53) 621.315.592(088.8) (56) Крегер Ф. Химия несовершенных кристаллов. М., "Мир", 1969, с. 77-78. (54) (57) 1. СПОСОБ УПРАВЛЕНИЯ СТЕХИОМЕТРИЧЕСКИМ СОСТАВОМ КРИСТАЛЛОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СОЕДИНЕНИЙ ЦИНКА, СОДЕРЖАЩИХ МЕТАПЛОИДЫ VI ГРУППЫ, включающий отжиг кристаллов в парах металлоида при давлении 0,01-3 атм и температуре 200-1200 С, о т л и ч а— ю шийся тем, что, с целью получения кристаллов дырочного типа проводимости за счет увеличения содержания металлоида в кристаллах вьппе стехиометрического состава, в процессе отжига пары металлоида подвергают фотолизу.

2. Способ по п.1, о т л и ч а ю— шийся тем, что при использовании в качестве металлоида серы, фотолиз ведут при длине волны света 25516 21

280 нм и потоке квантов 10 -10" с х х см 2.

684810

Техред M.Äèäûê

Редактор П.Горькова

Корректор В.Гирняк

Заказ 3986/3 Тираж 369 Подписное

ВНИИНИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, r. Ужгород, ул. Проектная, 4

Изобретение относится к технологии полупроводниковых материалов и может быть использовано для управления стехиометрическим составом кристаллов полупроводниковых соединений цинка, содержащих металлоиды VI группы.

Известен способ управления стехио. метрическим составом кристаллов полу проводниковьгх соединений цинка, содержащих металлоиды VI группы, включающий отжиг кристаллов в парах металлоида при давлении 0,01-3 атм и температуре 200-1200 С.

Недостатком указанного способа является то, что он не позволяет получать кристаллы полупроводниковых соединений цинка, содержащих металлоиды

UI группы, с проводимостью. дырочного типа даже при максимально возможном при данной температуре отжига давлении паров металлоида.

Целью изобретения является получение кристаллов дырочного типа проводимости за счет увеличения содержания металлоида в кристаЛлах выше стехиометрического состава.

Цель достигается тем, что в процессе отжига пары металлоида подвергают фотолизу. При использовании в качестве металлоида серы фотолиз ведут при длине волны света 255-280 нм и потоке квантов 10 -10 с см .

Это способствует диссоциации молекул металлоида на атомы и вследствие этого повышению степени взаимодействия пара с кристаллом, что и приводит ð к увеличению содержания металлоида в кристалле и получению кристаллов дырочного типа проводимости.

Пример 1. Отжигают кристаллы

ZnS п-типа проводимости с удельным

)б сопротивлением 10 Ом см при темперан о туре 750 С и давлении серы 1 атм в течение 10 ч при воздействии на паровую фазу ксеноновой лампой. Отожженные кристаллы обладают дырочным типом

20 проводимости с удельным сопротивленив ем 10 Ом см и подвижностью дырок

5 см /Вс.

Пример 2. Отжигают кристаллы

ZnS и-типа проводимости при темперао

25 туре 800 С в течение 4 ч и давлении серы 1 атм при воздействии света. Получены кристаллы с дырочным типом проводимости и удельным сопротивле нием 19 Ом.см.