Способ управления выходным устройством прибора с зарядовой связью

 

Способ управления выходным устройством прибора с зарядовой связью (ПЗС), включающий подачу напряжения на выходной затвор ПЗС, постоянного напряжения на сток транзистора сброса и импульсного напряжения на затвор транзистора сброса, отличающийся тем, что, с целью снижения уровня когерентной помехи, на выходной затвор ПЗС подается импульсное напряжение, совпадающее по фазе с импульсным напряжением на затворе транзистора сброса и противоположное ему по знаку.

Изобретение относится к полупроводниковой технике к области твердотельных преобразователей изображения. Для обеспечения работы прибора с зарядной связью ПЗС в целом и выходного устройства ПЗС в частности необходим некоторый набор управляющих напряжений как импульсных, так и постоянных. Выходное устройство обеспечивает преобразование зарядного пакета в импульс напряжения и вывод его из прибора. Известные способы управления выходным устройством сопряжены с появлением на выходе прибора импульсов тактовой частоты (так называемой когерентной помехи). Эти импульсы возникают вследствие имеющихся паразитных емкостных связей между элементами выходного устройства и приводят в существенному усложнению тракта дальнейшей обработки сигнала. Известно выходное устройство ПЗС с плавающей диффузионной областью, в котором для снижения уровня когерентной помехи на выходе ПЗС дополнительно к выходному затвору ПЗС введен затвор, расположенный между ПДО и затвором транзистора сброса и находящийся под постоянным потенциалом [1] Однако это приводит к усложнению конструкции выходного устройства и ухудшает его быстродействие. Известен способ управления работой выходного устройства ПЗС с плавающей диффузионной областью, включающий подачу постоянного напряжения на выходной затвор ПЗС, постоянного напряжения на сток транзистора сброса и импульсного напряжения на затвор транзистора сброса [2] Импульсное напряжение подается на затвор транзистора сброса таким образом, что этот транзистор открывается в паузах между поступлением зарядовых пакетов в ПДО, при этом обеспечивается сброс предыдущего зарядового пакета и подготовка к приему следующего зарядового пакета. Постоянное напряжение на выходном затворе определяет момент поступления зарядового пакета в ПДО, а именно при сбросе импульса последнего передающего затвора ПЗС. Однако существующий способ управления выходным устройством вызывает появление на выходе когерентной помехи. Это связано с существованием паразитной емкости между затвором транзистора сброса и плавающей диффузионной областью. Через эту паразитную емкость импульсы, поступающие на затвор транзистора сброса, попадают на ПДО. Периодические изменения потенциала ПДО, вызванные этими импульсами, являются когерентной помехой. Описанный эффект приводит к тому, что отношение сигнал/помеха на выходе ПЗС ухудшается и возникает необходимость в дополнительной обработке сигнала с целью подавления когерентной помехи. Целью изобретения является снижение уровня когерентной помехи. Поставленная цель достигается тем, что на выходной затвор ПЗС подаются импульсы, совпадающие по фазе с импульсами затвора транзистора сброса и противоположные им по знаку. Этот прием обеспечивает эффективное подавление тактовой помехи, вызванной действием импульсного управляющего напряжения на затворе транзистора сброса, так как между выходным затвором и ПДО также существует емкостная связь и импульсы с выходного затвора попадают на ПДО. Поскольку знак их противоположен импульсы на затворе транзистора сброса, то действием тех и других импульсов взаимно уничтожается. В паузах между поступлением импульсов на выходном затворе поддерживается напряжение, обеспечивающее нормальную работу выходного устройства. На чертеже показана временная диаграмма импульсных напряжений на электродах ПЗС и плавающей диффузионной области: 1 напряжение на фазе Ф3, 2 напряжение на затворе транзистора сброса, 3 напряжение на выходном затворе ПЗС, 4 выходной сигнал ПЗС (потенциал ПДО) в случае, когда на выходной затвор ПЗС подается постоянное напряжение, 5 выходной сигнал ПЗС при подаче импульсного компенсирующего напряжения на выходной затвор ПЗС. В момент времени t1 транзистор сброса открыт и потенциал ПДО фиксируется на уровне источника смещения стока транзистора сброса, сигнальный зарядовый пакет находится под электродом фазы Ф2, на выходном затворе ПЗС действует верхний уровень импульсного компенсирующего напряжения. В момент времени t2 транзистор сброса закрывается, причем заряд на емкости C0(емкость узла, связанного с ПДО) равен Q0 C0E. Напряжение на фазе Ф1 растет и сигнальный заряд начинает перетекать в образующуюся потенциальную яму. В момент времени t3 переходной процесс момента t2 закончен. С момента закрытия транзистора сброса напряжение на затворе транзистора сброса изменилось на +U1 напряжение на выходном затворе ПЗС на -U2. Перепады напряжения U1 и U2 через паразитные проходные емкости C1 и C2 изменяют заряд ПДО. Заряд ПДО в момент t3 равен Потенциал ПДО (напряжение на емкости C0) становится равным Паразитное изменение потенциала (когерентная помеха), определяемое величиной компенсируется обратным по знаку изменением Полная компенсация достигается при условии или В момент времени t4 происходит сброс напряжения на фазе Ф3 и сигнальный заряд Qc перетекает в ПДО, изменяя ее потенциал на величину .

Формула изобретения

Способ управления выходным устройством прибора с зарядовой связью (ПЗС), включающий подачу напряжения на выходной затвор ПЗС, постоянного напряжения на сток транзистора сброса и импульсного напряжения на затвор транзистора сброса, отличающийся тем, что, с целью снижения уровня когерентной помехи, на выходной затвор ПЗС подается импульсное напряжение, совпадающее по фазе с импульсным напряжением на затворе транзистора сброса и противоположное ему по знаку.

РИСУНКИ

Рисунок 1



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники и может найти применение в электронной технике для измерения напряжений на диэлектрике и полупроводнике, а также их временного изменения в МДПДМ-структурах

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Изобретение относится к электронике и при использовании позволяет повысить точность контроля заданной величины отрицательного дифференциального сопротивления за счет изменения соотношения глубины положительных и отрицательных обратных связей в элементе с регулируемыми напряжениями и токами включения и выключения

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при конструировании и производстве тиристоров

Изобретение относится к радиационной испытательной технике и может быть использовано при проведении испытаний полупроводниковых приборов (ППП) и интегральных схем (ИС) на стойкость к воздействию импульсного ионизирующего излучения (ИИИ)

Изобретение относится к области измерения и контроля электрофизических параметров и может быть использовано для оценки качества технологического процесса при производстве твердотельных микросхем и приборов на основе МДП-структур

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин

Изобретение относится к электроизмерительной технике и может быть использовано для контроля полярности выводов светодиодов

Изобретение относится к области теплового неразрушающего контроля силовой электротехники, в частности тиристоров тиристорных преобразователей, и предназначено для своевременного выявления дефектных тиристоров, используемых в тиристорных преобразователях, без вывода изделия в целом в специальный контрольный режим
Наверх