Способ форсированного запирания транзисторов

 

!г - (° -: ° . 1:-, б (А(1

1 й

ОПHCAHHE

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советскик

Социалистических

Республик

«н698104 (61) Дополнительное к авт. свид-ву (51)М. Кл. (22) 3assneHo 200278 (21) 2582554/24-07

Н 02 М 1/08

Н 02 P 13/16 с присоединением заявки №

I осударственный комитет

СССР но делам изобретений и открытий (23) Приоритет (53) УДК 6 2 1. 31 4 . .26(088.8) Опубликовано 15.1179. Бюллетень ¹ 42

Дата опубликования описания 18.11.79 (72) Авторы изобретения

В.И. Коновалов и И.Я. Бочарников (71) Заявитель (54) СПОСОБ ФОРСИРОВАННОГО ЗАПИРАНИЯ 1 РАН 3 ИС 1 ОРОВ

Изобретение относится к области преобразовательной техники и может быть использовано при разработке источников питания переключательного типа.

Известны способы форсированного запирания транзисторов (1),(2), состоящие в том, что подают запирающее напряжение на переход база-змиттер насыщенного транзистора, Однако эти способы имеют ряд недостатков: значительные времена выключения и спада коллекторного тока; большие динамические потери; возможность инверсного режима,транзистора при запирании.

Наиболее близким техническим решением к данному изобретению по технической сущности и достигаемому ре- 2О эультату является способ форсированного эапирания транзисторов (3) .иэ насыщенного состояния, состоящий в том что формируют запирающее н "ря- 25 жение на переходе база-эмиттер, Однако при коммутации транзисторов на частотах, соизмеримых по длительности импульсов с временами выключения, такой способ не обеспечивает достаточно высокий КПД и йадежность.

Целью изобретения является повышение КПД и надежности использования переключающих транзисторов.

Поставленная цель достигается тем, что в способе форсированного запирания транзисторов из насыщенного состояния, состоящем в том, что формируют запирающее напряжение на переходе база-эмиттер, одновременно формируют запирающее напряжение на переходе коллектор-база.

На фиг. 1 приведена блок-схема устройства, реализующего предлагаемый способ форсированного эапирания транзисторов иэ насыщенного состояния; на фиг. 2 — диаграмма токов и напряжений в различных точках схемы, t устройство (фиг.- 1) содержит транзистор 1, вторичную обмотку 2 коммутирующего трансформатора 3, конец которой соединен с эмиттером транзистора 1, параллельно соединенные резистор 4 и диод 5, соединенный катодом с началом вторичной обмотки 2, а анодом - c базой транзистора 1, диод 6, соединенный катодом с коллектором транзистора 1, а анодом — с концом вторичной обмотки 7 коммутирующего трансформатора 3, Начало вторичной

698104 (Фиг. 2

Составитель Е. Жданов

Ре акто Н Каменская Тех е М. Петко, Ко екто

Заказ 6941/38 Тираж 857 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035 Москва Ж-35 Ра ская наб.

4 5

Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул, Проектная, 4 обмотки 7 соединено с базой транзистора 1.

В насыщенном состоянии транзистора 1 к переходу база-эмиттер приложено отпирающее напряжение от вторичной обмотки 2 коммутирующего трансформатора 3. При этом величина отпирающего тока базы определяется напряжением на вторичной обмотке 2 трансформатора 3 и сопротивлением 4 в цепи базы транзистора 1. При этом диод р

5 запирается и оба перехода транэис- тора смещаются в прямом направлении.

Диод 6 заперт напряжением на вторичной обмотке 7 коммутирующего трансформатора 3.

При смене полярности напряжения на вторичных обмотках 2, 7 трансформатора 3 к переходу база-эмиттер транзистора 1 прикладывается запирающее напряжение через диод 5 и формируется импульс запирающего тока базы.

Одновременно через диод б к переходу коллектор-база насыщенного транзистора прикладывается запирающее напряжение с вторичной обмотки 7 коммутирующего трансформатора 3. В реэульта- 25 те этого происходит форсированное эапирание коллекторного перехода.

Предложенный способ позволяет уменьшить время выключения и спада тока коллектора, уменьшить динамические потери, а следовательно, увеличить КПД и надежность использования переключающих транзисторов.

Формула изобретения

Способ форсированного запирания транзисторов из насыщенного состояния, cocToHIIlHA B томр что формируют запирающее напряжение на переходе база-эмиттер, отличающийся тем, что, с целью увеличения КПД и надежности использования переключающих транзисторов, одновременно формируют запирающее напряжение на переходе коллектор-база.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Пауль Р. Транзисторы, М., Сов, радио, 1973, с. 417-420.

2. Коссов G.A. Усилители мощности на транзисторах в режиме переключения Энергия, М., 1971, с. 42-44.

3. Моин В.С. Лаптев A.A. Стабилизированные транзисторные преобразователи, М,, Энергия, 1972, с, 342, рис. 9-17 (прототип).