Способ изготовления дифракционной решетки на поверхности монокристалла

 

Ф Мгф 1 И я5 пм -ff, нг1. ь. чоу б,,-, . ., к(тя . -" 1 ч о т ... «1 а л

О П И С А Н И »705986

ИЗОБРЕТЕН И

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТ

Союз Советских

Социалистических

Республик ф

4 с

1, Ъ

l=-: —: т». (б1) Дополнительное к авт. свид-ву— (22) Заявлено 12.06.78- (21) 2625826/18 с присоединением заявки— (23) Приоритет— (43) Опубликовано 30.03.82. Бюллетень (45) Дата опубликования описания 30. (51) М.Кл з б 02 В 5/18

Государственный комитет ло делам изобретений и открытий (53) УДК 535.421 (088.8) B. Н. Волков, О. С. Лысогоров, М. Н, Мизеров, Е. Л. Портной и В. Б. Смирницкий (72) Авторы изобретения (71) Заявитель Ленинградский физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ДИФРАКЦИОННОЙ

РЕ1ИЕТКИ НА ПОВЕРХНОСТИ МОНОКРИСТАЛЛА

Изобретение относится к дифракционной оптике и может быть использовано в лазерной технике и оптике, особенно в оптике мощных световых пучков.

Известен способ изготовления решеток путем нарезки алмазным резцом мягкой металлической поверхности (1). Необходимый профиль штриха и наклон его отражаюших граней достигается соответствующим углом заточки и установки режущего алмаза. Данным способом получают решетки с пространственной частотой до

2400 шт/мм. Однако этот способ имеет малую производительность и не позволяет получать качественные решетки с высокой пространственной частотой.

Известен способ изготовления решеток нг поверхности монокристаллов путем получения маски на поверхности монокристалла с последующим селективным травлением поверхности через эту маску. Однако использование стандартно ориентированных подложек позволяет получать решетки только определенной формы (с определенным углом блеска), что существенно сужает область применения таких решеток (2).

Целью изобретения является получение решетки с наперед заданным значением угла блеска. Для этого перед травлением рабочую поверхность монокристалла обрабатывают под требуемым углом блеска к плоскости данного монокристалла, имеющей наи.

5 меньшую скорость травления.

При конструировании целого ряда спектральных оптических приборов огромную важность приобретает решение проблемы создания дифракционных решеток с одина10 ковым шагом и различными углами блеска. Решение этой проблемы позволяет существенно расширить спектральный интервал таких приборов, что ведет к расширению круга задач, решаемых .ими. Кроме того, при создании целого ряда интегрально-оптических и оптоэлектронных приборов возможность получать решетки с различными углами блеска позволяет направленно изменять их основные характеристики.

Предлагаемый технологический процесс изготовления решетки заключается в следующем.

Изготавливают монокристалл (подложка будущей решетки) с исходной кристаллографической плоскостью, наиболее устойчивой к какому-либо химическому травителю (аналогично устойчивой к фотохимическому травителю или устойчивой при ионно-плазменном распылении). у 1

705986 фф!мююфю4 м» мю3.«. м -

1. Зайдель А. Н., Островская Г. В., Островски11 Ю. И. Техника и практика спектроскопии. М., «Наука», 1972, с, 60.:

2. Applied Physiks, 25, 208, 1974, р.208 (прототип) .

%ж&йж ж в -"- + .: ";-л: — .аФЬИЫ Жау - ° с рР.Ж Мам -:. -:.. » . Ь:в..- ° -. ул -.

Составитель В. Вантории

@йь&4ии ..А -.." . —. :: :.—:.- - .:.. . т .. " ".

Редактор Е. Месропова Техред И. Пенчко Корректор С. Файн

Заказ 257/167 Изд. № 120 Тираж 516 Подписное

НП .«П ск» Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская иаб., д. 1!5

О ои

К„.

1ии. Харьк. фил. аред. «Патент»

Рабочую поверхность будущей дифракциокной решетки получают сошлифовыванием или резкой (например, алмазным диском) с последующей шлифовкой и rioлировкой так, чтобы рабочая поверхность составляла с исходной плоскостью угол, равный углу блеска.

На рабочеи" йовеьрхности решетки" голографическим путем создают картину решетки.

Получение профилированных штрихов ре12Ге1ки йройсходит при использовании од- ного нз следующим способов: фотохимического травления в избирательном травителе; при использовании фоторезйста, его

= засветке""й" проявлении с последующим травлением через фоторезистивную маску в избирательном химическом травителе; при использовании фоторезиста, его за=" сМетке и проявлении "с последующим ионноплазменным избирательным травлением.!

Формула изобретения

Способ изготовления дифракциой ной решетки на поверхности монокристалла, включающий селективное травление по верхности монокристалла; о т л и ч а ющи и с я тем, что, с целью получения ре шетки с наперед заданным значением угла блеска, перед травлением рабочую поверхность монокристалла обрабатывают под требуемым углом блеска к плоскости данного монокристалла, имеющей наименьшую скорость травления.

Источники информации, принятые во, внимайие при экспертизе: