Стекло для пеностеклокристаллического материала
ОПИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Союз Советских
Социалистических
Республик ри709582 (61) Дополнительное к авт. свид-ву— (22) Заявлено 14,0678 (21) 2628224/29-38 (51)М. КЛ.
С 03 С 11/00
С 03 С 3/22 с присоединением заявки ¹вЂ”
Государственный комитет
СССР по делам изобретений и открытий (23) Приоритет
Опубликовано 1501.80. Бюллетень ¹ 2
Дата опубликования описания 15.01,80
f53) УДК666.112.9 (088.8) (72) Авторы изОбрЕтения
Л.К,Советова и S.Ñ.×åðåïàíîâ
Государственный научно-исследовательский институт строительной керамики (71) Заявитель (54) СТЕКЛО ДЛЯ ПЕНОСТЕКЛОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО
МАТЕРИАЛА
Изобретение относится к радиотехническим материалам.
Известен стеклокристаллический состав, включающий
S iO2 53 — 73,5
A 12 О 16, 2-34, 5
Li2О 4,3-14, 0
TiO2 4, 5-7, 5 (1) .
Наиболее близким к изобретению является состав, включающий следую-. щие компоненты, вес.Ъ:
810 58 — 80
Al 2 О 10-30
LipO 2,5-7,0
TiO2 2,25-5
SiC 0,25-5
ZnO до 15
MgO, В, О>, ZrO2, СаО до 2
1а2О, К20 до 1 (2).
Недостатками указанных составоВ является то, что иэделия из этих масс имеют высокие диэлектрические потери и диэлектрическую проницаемость, которые делают весьма затруднительным или невозможньм применение материала при необходимости соблюдения требований по малой кажущейся плотности из2 делий, пониженных значениях диэлектри чес кой проницаемости и ди элек T рических потерь в сочетании .с улучшен5 ными теплоизоляционными свойствами.
Целью изобретения является обеспечение диэлектрической проницаемости
1,23-1,77 и тангенса угла диэлектрических потерь tg а 0,001-0,002 °
Это достигается тем, что стекло для пеностеклокристаллического материала, включающее S10g А1 03 В О тз, Li>O, TiO2, MgO, CaO, SiC, дополнительно содержит Вао и PbO при следующем соотношении компонентов, мас.Ъ:
15 8102 52 4 60 т4
А12 О 16, 5-17,0
В2 О О, 5-0,8
Li2O 2,3-3, 4
Т102 1, 7-2, 5
20 Mgo j 3-1 7
СаО 0,4-0,7
SiC 0,1-0,5
ВаО 15,0-19,0
PbO 1,8-2, 0 Стекло для пеностеклокристаллического материала изготавливают по следующей технологии. Сырьевые мате риалы (кварцевый песок, каолин, углекислый барий, углекислый литий, дву-.
З0 окись титана, силин ат свинца, тальк, 709582
1,24
Формула изобретения
0,002
О, 0015
Составитель 3.Вощакина
Редактор A.Ìîðîçîâà Техред М.Келемеш Корректор А, Гриценко
Заказ 8691/28 Тираж 528 Подписное
ЦНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий
113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5
Филиал ППП Патент, г.ужгород, ул.Проектная,4 борат кальция) размалывают в требуемом соотношении и смешивают в шаровой мельнице мокрым способом в течение
15-20 ч, затем шихту обезвоживают и высушивают. Высушенную массу брикетируют и подвергают предварительному обжигу при 1200 С до образования спека.
Спек дробят на бегунах и тонко размалыварт в шаровой мельнице, куда добавляют тонкомолотый карбид кремния. Полученную вспенивающуюся в обжиге массу обезвожив ают, высушивают, засыпают в металлические формы и направляют на вспенивание в тепловые агрегаты. Вспенивание производят при
1180-1210 С, вспененные заготовки вынимают из форм и обрезают под требуемый размер.
Пример 1. Пеностеклокристаллический материал на основе стекла следующего состава, мас,Ъ: S10p
59,59, Аl Оь 16,6, Li<0 2,45, Т102
1,8, MgO 1,38, В ОЭ 0,55, Са0 0,45, ВаО 15,2, PbO 1,83, SiC 0,15, полученный вспениванием в обжиге при
1180ОС, имеет следующие свойства:
Кажущаяся плотность 0,55 г/см
Диэлектрическая проницаемость . 1,75
Тангенс угла диэлектрических потерь
Средний коэффициент линейного термического расширения в интервале 20-700О С 1, 3xl 0 1/ "С .
Пример 2. Пеностеклокристаллический материал на основе стекла следующего состава, мас. Ъ: S102
57,56, А1 0 16,75, Lip 0 2,74, Т102 .2, 12, Mgo 1,47, В> О О, 62, СаО О, 52, ВаО 16,07, PbO 1,9, . SiC 0,25, полученный вспениванием в обжиге при
1200 С, имеет следующие свойства:
Кажущаяся плотность 0,35 г/см
Ди влек трич еск ая прон иц аемо сть .1,45
Тангенс угла диэлектрических потерь
Средний коэффициент линейного термического расширения в интервале 20-700 С 1 4х10 1/ оС
Пример 3. Пеностеклокристаллический материал на основе стекла следующего состава, мас. Ъ: Si02
53,53, А 1 03 16,85, LiZO 3, 28, TiOg
2,37, MgO 1,53, В О 0,67, СаО 0,57, ВаО 18,73., PbO 1,97, SiÑ 0,5, полученный вспенив анием в обжиге при
1200 С, имеет следующие свойства:
Кажущаяся плотность О, 21 r/см5
Диэлектрическая проницаемость
Тангенс угла диэлектрических потерь 0 i 001
Средний коэффициент
20 линейного термического расширения в интервале 20-700 С 2,0х10 1/ С.
Стекло для пеностеклокристаллического материала, включающее 810
Al< O, В О, L1 0, T10, MgO, СаО, Я1С,отличающеесятем, что, с целью обесПечения диэлектри-. ческой проницаемости 1,23-1,77 и тангенса угла диэлектрических потерь
tg h 0,001-0,002, оно дополнительно содержит Вао и PbO, при следующем соотношении комПонентов, мас,В:
Б 0 52,4-60,4.AlZ 05 16 5-17, О
В 0 0,5-0;8
LiZO 2, 3-3, 4
Т i0
40 MgO 1 3-1,7
СаО 0,4-0, 7
SiC 0,1-0, 5
ВаО 15,0-19„0
PbO 1,8-2.
45 Источники информации, принятые во внимание при экспертизе
1. Справочник Стекло ° M.
Стройиздат, 1973, с. 412, с. 424, 2. Заявка Великобритании 9 1287970
50 кл, С 1 М, опублик. 1972.
