Полупроводниковый переключающий прибор
Полупроводниковый переключающий прибор, содержащий тиристорную и диодную структуры с общей слаболегированной базой, причем слаболегированная база тиристорной структуры имеет слой с повышенной концентрацией легирующей примеси, прилегающей к эмиттеру, отличающийся тем, что, с целью защиты от ложного срабатывания, слаболегированная база диодной структуры имеет толщину меньшую, чем база тиристорной структуры, по крайней мере на 1/4.
Похожие патенты:
Силовой полупроводниковый прибор // 710085
Силовой двухоперационный тиристор // 661658
Тиристор // 594904
Тиристор // 592292
Тиристор // 455685
Симметричный тиристор // 397122
Симметричный тиристор // 397121
Патент 395030 // 395030
Симметричный тиристор // 2106720
Изобретение относится к полупроводниковым приборам, а именно к симметричным тиристорам, представляющим собой интегральный прибор, состоящий из двух встречно-параллельно включенных тиристоров с общим управляющим электродом, и может быть использовано при создании новых типов симметричных тиристоров
Тиристор // 2173917
Изобретение относится к области электронной техники, в частности к конструированию и технологии изготовления полупроводниковых кремниевых управляемых тиристоров многослойной структуры с тремя электродами, и может быть использовано в электронной промышленности
Тиристор с двухсторонним управлением // 2194339
Изобретение относится к области силовых полупроводниковых элементов
Изобретение относится к области полупроводникового приборостроения
Изобретение относится к области силовой полупроводниковой техники
Запираемый тиристор с запирающим слоем // 2214650
Изобретение относится к области силовой полупроводниковой технологии
Тиристор с "мягким" восстановлением // 2279734
Изобретение относится к области мощных полупроводниковых приборов и может быть использовано при конструировании тиристоров с пониженной амплитудой тока обратного восстановления и увеличенным коэффициентом формы тока обратного восстановления
Изобретение относится к конструкции полупроводниковых приборов с самозащитой от пробоя при перенапряжениях в закрытом состоянии, а именно к конструкции динисторов и тиристоров, в том числе симметричных
Полупроводниковый прибор с самозащитой от пробоя в период восстановления запирающих свойств // 2297075
Изобретение относится к конструкции полупроводниковых приборов с самозащитой от пробоя в период восстановления запирающих свойств, а именно к конструкции тиристоров, в том числе фототиристоров