Устройство для формирования ферритового поля запоминающих матриц

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

< 721849

Союз Советскна

Социалистических

Реслублии

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (6l ) Дополнительное к авт. свнд-ву— (22) Заявлено 13.09.78(21) 2665828/18-24 с присоединением заявки Ж (23) П риоритет 1 2.0 1. 78.

Опубликовано 15.03.80. Бюллетень Рй 10 (5!)Ъ Кл2

6 1%. С 5/02

РВударатееннмй кемнтет

СССР де делам нзабретеннй н открытий (53) УДК 681,327, . 66(088.8) Дата опубликования описания 20.03.80.

Н. Ф. Скворцов, Э. Д, Галин, Ю. И. Минин, В, Г. Рабынин и В. В. Улыбин (72) Авторы изобретения (7I) Заявитель (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ФОРМИРОВАНИЯ ФЕРРИТОВОГО

ПОЛЯ ЗАПОМИНАЮЩИХ NATPHll

Изобретение относится к области вычислительной техники и может быть использовано при изготовлении запоминаюших матриц на тороидальных ферритовых сердечниках.

Известно устройство для формирования ферритового поля запоминаюших матриц, содержашее бункер с ферритовыми сердеч» никами, расположенный в соленоиде, и трафарет, механически связанный с виб10 ратором (1 .

Недостатком такого устройства явля ется его относительная сложность.

Наиболее близким техническим решением к данному изобретению является

5$ устройство для формирования ферритово» го поля запоминаюших матриц, которое содержит соленоид, в котором располо» жен бункер с ферритовыми сердечниками, и вакуумную камеру, основлн< которой выполнено в виде трафар<.та 121.

Недостатком этого устрой<.тна являет» ся то, ло фсрритошяе серп<.чники насыпаются и. но<.род<.тн< нно на тр«фарет, а

2 под трафаретом создается вакуум. Лежа шие на трафарете сердечники под дейст вием вакуума притягиваются в оФверстия трафарета, при этом большая часть сер» дечников притягивается сразу нескольки ми отверстиями и оставаясь в гориэон тальном положении, мешают заполнению трафарета. Эти сердечники необходимо удалить, а незаполненные отверстия заполнить вручную, Другим недостатком является недос таточно эффективное заполнение трафарета кистью или магнитным полем при вакуумировании под трафаретом.

Белью изобретения является повышаем ° ние надежности устройства для формирования ферритового поля эапоминаюших матриц.

Поставленная цель достигается тем, что вакуумная камера расположена в бункере с ферритовыми сердечниками, который выполнен в виде открытого саер ху короба с отверстиями в ro основании.

На чертеже изображ на кон< трукппя предложенного устГюйства для фо(мирования ферритового поля запомин июших матриц.

Устройство содержит соленоид 1, в котором расположен бункер 2 с ферритовыми сердечниками 3, и вакуумная камера 4, основание которой выполнено в виде трафарета 5, подлежашего заполнению сердечниками.

Предложенное устройство работает следуюшим образом.

Сердечники 3 под действием пульсиру юшего магнитного поля занимают вертикальное положение и колеблются с необходимой амплитудой и частотой. Под действием воздушного потока сердечники захватываются прямоугольными отверстиями трафарета 5 и над трафаретом создается вакуум, который и удерживает сердечники в положении, необходимом для прошивки их проводами.

1 849 4

Формула изобретен ия

Устройство для формирования ферритового поля запоминаюших матриц, содержашее соленоид, в котором расположен бункер с ферритовыми сердечниками, и вакуумную камеру, основание которой выполнено в виде трафарета, о т л ичаюшеес ятем, что,сцельюпо>0 вышения надежности устройства, вакуумная камера расположена в бункере с ферритовыми сердечниками, который выполнен в виде открытого сверху короба с отверстиями в его основании. !

Источники-. информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Патент Великобритании

Зо № 777676, кл. Н 3 В, 1971.

2. Патент США N 3594897, кл, 340-174, 1971 (прототип).

1IHHHI1H Заказ 138/41 Тираж 662 Подписное

Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Устройство для формирования ферритового поля запоминающих матриц Устройство для формирования ферритового поля запоминающих матриц 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к ПЗУ Х-конфигурации

Изобретение относится к вычислительной цифровой технике, конкретно к конструкции ячейки памяти с вертикально расположенными друг над другом пересечениями

Изобретение относится к устройству для создания отрицательного высокого напряжения, которое требуется, например, для программирования электрически стираемой программируемой постоянной флэш-памяти

Изобретение относится к схеме для генерации отрицательных напряжений с первым транзистором, первый вывод которого соединен с входным выводом схемы и второй вывод которого соединен с выходным выводом схемы и вывод затвора которого соединен через первый конденсатор с первым выводом тактового сигнала, со вторым транзистором, первый вывод которого соединен с выводом затвора первого транзистора, второй вывод которого соединен со вторым выводом первого транзистора и вывод затвора которого соединен с первым выводом первого транзистора и со вторым конденсатором, первый вывод которого соединен со вторым выводом первого транзистора, а второй вывод которого соединен со вторым выводом тактового сигнала, причем транзисторы являются МОП-транзисторами, выполненными, по меньшей мере, в одном тройном кармане (Triple Well)

Изобретение относится к средствам, обеспечивающим возможность адресации в устройстве, содержащем один или более объемных элементов

Изобретение относится к устройству хранения данных, к способу осуществления бездеструктивного считывания данных и способу придания поляризации парам субъячеек памяти

Изобретение относится к игровым системам и, в частности, к способам и средствам, позволяющим определять местоположение игрового устройства в казино
Наверх