Сверхвысокочастотный генератор

 

() )) 725195

ОПИСАН И Е

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союа Советских

Социалистических

Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 15.11.78 (21) 2684610/18-09 а с присоединением заявки №вЂ” (51) М. Кл.

Н ОЗВ 7/14

Государственный комитет (23) Приоритет (43) Опубликовано 30.03.80. Бюллетень № 12 (45) Дата опубликования описания 30.03.80 (53) УДК 621.373 (088.8) по делам изобретений н открытий (72) Авторы изобрете)п я В. Н. Гололобов, М. Г. Ищенко, В. И. Мисевич, В. И. Цымбал и Г. Н. Шеламов (71) Заявитель Киевский ордена Ленина политехнический институт им. 50-летия

Великой Октябрьской социалистической революции (54) СВЕРХВЫСОКОЧАСТОТНЫй ГЕНЕРАТОР аl,=

R„Rä, Следовательно, / е1 е2

R„R. +R„

Изобретение относится к радиотехнике и может использоваться в радиотехнических установках различного назначения, в частности, в радиоизмерительной технике и технике средств связи. 5

Известен сверхвысокочастотный (СВЧ) генератор, содержащий намагниченный магнитостатический резонатор, окруженчый двумя витками связи, причем первый виток соединен с активным элементом, а (О второй виток — с нагрузкой (1).

Однако в известном генераторе при изменении уровня выходной мощности изменяется частота выходного сигнала.

Целью изобретения является повышение (5 стабильности частоты при регулировке уровня выходной мощности.

Для этого в СВЧ-генераторе нагрузка подключена к средней точке второго витка связи, к одному из концов которого подсое-. 20 динен дополнительно введенный управляющий полупроводниковый диод, например

pin-диод.

На фиг. 1 приведена принципиальная электрическая схема предложенного гене- 25 ратора; на фиг. 2 — эквивалентная схема генератора.

СВЧ-генератор содержит активный элемент 1 (например, диод с отрицательной проводимостью), намагниченный магнито- 30 статический резонатор 2, окруженный витками 3 и 4 связи, причем первый виток 3 соединен с активным элементом 1, а второй виток 4 — с нагрузкой 5, подключенной к средней точке витка 4 через разъем

6. Конец 7 витка 4 заземлен, к концу 8 подключен pin-диод 9 с источником 10 управляющего напряжения Uyrzp.

Работает СВЧ-генератор следующим образом.

Во втором витке 4, являющемся витком отбора мощности, наводятся электродвижущие силы (ЭДС) е и е>. Резистор RH представляет собой сопротивление нагрузки 5, а резистор R — управляемое сопротивление pin-диода 9. Ток IH, протекающий через нагрузку 5 (R ), равен сумме токов 1 и 1з (/н — I 1+ /2)

В свою очередь е

Рн

Так как нагрузка 5 подключена к средней точке витка 4 симметрично относительно концов 7 и 8, ЭДС ез равна ЭДС еь но

725195 н / н + д

Формула изобретения

Рие.1

Составитель Г. Теплова

Техред А. Камышникова

Корректоры: Л. Корогод и Т. Трушкина

Редактор И. Грузова

Заказ 529/2 Изд. № 240 Тираж 995 Подписное

НПО «Поиск» Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2 противоположна по знаку, т. е. е= — еь откуда

Из этого выражения следует, что ток в нагрузке 5, а следовательно, и мощность равны нулю при Яд — — О. При Яд»Р„(что легко осуществимо, так как обычно Я=

= 50 Ом, а сопротивление pin-диода 9. в отсутствии управляющего напряжения сое ставляет единицы килоом) 1„т —, что со/ в ответствует максимальной мощности, отдаваемой генератором в нагрузку 5.

Следовательно, изменяя в определенных пределах сопротивление pin-диода 9 (путем изменения управляющего напряжения), можно в .широких пределах управлять уровнем СВЧ-мощности на выходе генератора.

Таким образом, предложенный СВЧ-генератор позволяет без увеличения габаритов и веса в широком частотном диапазоне электрически управлять уровнем выходной

4. мощности генератора, что допускает применение системы автоматической регулировки мощности при использовании генератора в широкодиапазонной измерительной

5 и приемной аппаратуре.

Сверхвысокочастотный генератор, содер10 жащий намагниченный магнитостатический резонатор, окруженный двумя витками связи, причем первый виток соединен с активным элементом, а второй виток — с нагрузкой, отличающийся тем, что, с

15 целью повышения стабильности частоты при регулировке уровня выходной мощности, нагрузка подключена к средней точке второго витка связи, к одному из концов которого подключен дополнительно введен20 ный управляющий полупроводниковый диод, например pin-диод.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Патент США № 3576503, кл. 331 †, 25 опублик. 1971 (прототип).

Сверхвысокочастотный генератор Сверхвысокочастотный генератор 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к радиотехнике и может использоваться в установках СВЧ диапазона

Изобретение относится к радиотехнике и может использоваться в радиотехнических устройствах различного назначения, в частности в радиоизмерительной технике

Изобретение относится к технике СВЧ, решает задачу генерирования и преобразования колебаний СВЧ полупроводниковыми диодами, стабилизации частоты, формирования диаграммы направленности в единой открытой резонансной излучающей системе

Генератор // 2183045
Изобретение относится к радиотехнике, конкретно к диодным генераторам миллиметрового диапазона длин волн

Изобретение относится к области техники сверхвысоких частот (СВЧ) и может быть использовано в качестве источника электромагнитных колебаний в радиопередающих устройствах

Изобретение относится к радиотехнике, в частности к радиопередающим устройствам, и может быть использовано в качестве выходного каскада импульсных РЛС или в качестве модулятора

Изобретение относится к области электронных приборов и может использоваться в полупроводниковой электронике

Изобретение относится к электронной технике, а именно к генераторам СВЧ на транзисторе с электрической перестройкой частоты

Изобретение относится к области радиотехники и может быть использовано в малогабаритной приемопередающей аппаратуре широкополосных систем связи в качестве частотно-задающего генератора, управляемого напряжением, синтезатора частот

Изобретение относится к электронной технике

Изобретение относится к области твердотельной сверхвысокочастотной электроники и микроэлектроники
Наверх