Полупроводниковый материал для элементов памяти

 

(19)SU(11)736810(13)A1(51)  МПК ⁵    _H01L45/00(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 17.12.2012 - прекратил действиеПошлина:

(54) ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ МАТЕРИАЛ ДЛЯ ЭЛЕМЕНТОВ ПАМЯТИ

Изобретение относится к полупроводниковой электронике, в частности, к полупроводниковым материалам для элементов памяти и может быть использовано в вычислительной технике, средствах связи, автоматике и телемеханике. Известен ферритовый материал для элементов магнитной памяти, содержащий двуокись кремния, при следующем соотношении компонентов, мас.%: Окись лития 2,6-4,3 Окись магния 01,-2,6 Окись марганца 0,1-9,7 Окись висмута 0,1-5,0 Двуокись кремния 0,1-4,0 Окись железа Остальное
Однако элементы памяти из известного материала трудно поддаются миниатюризации, в настоящее время ведется поиск новых материалов немагнитной записи памяти. Наиболее близким техническим решением является полупроводниковый материал для элементов памяти на основе поликристаллического диоксида ванадия. Недостатком известного материала является то, что кривая зависимости электросопротивления от температуры представляет собой одиночную петлю гистерезиса, что сужает объем записываемой информации для элементов памяти, изготовленных на его основе. Целью изобретения является увеличение объема записываемой информации. Цель достигается тем, что полупроводниковый материал дополнительно содержит эпоксидное связующее при следующем соотношении компонентов, мас.%:
Поликристаллический диоксид ванадия 93-97 Связующее 3-7 при этом связующее состоит из эпоксидной диановой смолы и титанорганического сложного полиэфира дикарбоновой кислоты и алкиленгликоля при следующем соотношении компонентов, мас.%:
Эпоксидная диановая смола 40-92
Титанорганический
сложный полиэфир ди-
карбоновой кислоты и алкиленгликоля Остальное
На чертеже (кривая 1) приведена кривая результатов измерения температурной зависимости удельного сопротивления для полупроводникового материала состава, мас.%:
Поликристаллический диоксид ванадия 93 Связующее 7 На чертеже (кривая 2) приведена кривая результатов измерения температурной зависимости сопротивления для полупроводникового материала состава, мас.%:
Поликристаллический диоксид ванадия 97 Связующее 3
При наличии связующего в материале более 7 мас.% наблюдается нестабильность параметров, а именно: невоспроизводимость кривой электропроводности, представленной на фиг.1, при наличии связующего менее 3 мас.%. Материал не может быть опрессован. Получение полупроводникового материала для элементов памяти осуществляется следующим образом. Эпоксидную диановую смолу, очищенную фильтрованием до постоянного веса, смешивают с необходимым количеством титанорганического полиэфира при 70-90^оС в течение 30-40 мин. Затем рассчитанное количество связующего добавляют к навеске диоксида ванадия. Смесь тщательно перемешивают и брикетируют таблетки. Отверждение проводят в токе аргона при нагревании от 150 до 200^оС. Полученный полупроводниковый материал проверяют на механическую прочность и исследуют его электрические свойства. П р и м е р 1. 93 мас.ч. поликристаллического диоксида ванадия смешивают с 7 мас.ч. связующего, содержащего 83,2 мас.% эпоксидной диановой смолы ЭД-20 и 11,8 мас.% титанорганического сложного полиэфира дикарбоновой фталевой кислоты и алкиленгликоля. Из полученной смеси прессуют цилиндры диаметром 8 и высотой 12 мм. Отверждение осуществляется нагреванием цилиндров по режиму: 150, 160, 170^оС по 1 ч; 180, 190^оС по 3 ч, 200^оС - 6 ч. Температурная зависимость удельного сопротивления полученного материала представлена на фиг.1, предел текучести при сжатии составляет 890 кгс/см². П р и м е р 2. 97 мас.ч. поликристаллического диоксида ванадия смешивают с 3 мас.ч. связующего, состоящего из 88,2 мас.% эпоксидной диановой смолы ЭЛ-20 и 11,8 мас.%, титанорганического сложного полиэфира фталевой кислоты и этиленгликоля. Из полученной смеси прессуют цилиндры диаметром 8 и высотой 12 мм. Отверждение осуществляют нагреванием цилиндров по режиму 150, 160, 170^оС по 1 ч, 180, 190^оС - по 3 ч, 200^оС - по 6 ч. Температурная зависимость электросопротивления данного материала представлена на фиг.1 (кривая 2). Предел текучести при сжатии составляет 780 кгс/см². Таким образом, полупроводниковый материал для элементов памяти дает, согласно настоящему изобретению, возможность увеличить объем записываемой информации, вследствие того, что кривая температурной зависимости электросопротивления материала имеет две противоположно направленные петли гистерезиса. Кроме того, материал обладает механической прочностью, достаточной для брикетирования и изготовления на его основе элементов памяти.

Формула изобретения

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ МАТЕРИАЛ ДЛЯ ЭЛЕМЕНТОВ ПАМЯТИ на основе поликристаллического диоксида ванадия, отличающийся тем, что, с целью увеличения объема записываемой информации, он дополнительно содержит связующее при следующем соотношении компонентов, мас.%:
Поликристаллический диоксид ванадия 93 - 97
Связующее 3 - 7
при этом связующее состоит из эпоксидной диановой смолы и титаноорганического сложного полиэфира дикарбоновой кислоты и алкиленгликоля при следующем соотношении компонентов, мас.%:
Эпоксидная диановая смола 40 - 92
Титаноорганический сложный полиэфир дикарбоновой кислоты и алкиленгл
иколя Остальное

РИСУНКИ

Рисунок 1