Способ регулирования процесса кристаллизации

 

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

CoIo3 CosQtcNkx

Социвлистическма

Респубпнм

741901

l (61) Дополнительное к авт. свил-ву № 581962 (22) Заявлено 04.01.76 (21)2307844/23-26 с присоелинением заявки ¹ (23) Приоритет

Опубликовано 25.06.80. Бюллетень № 23

Дата опубликования описания 25.06.80 (5! )М. Кл.

В 01 Il 9/02

4 05 l3 27/00

Гасударотввннмй комитет да делам изобретений и атврытнй (53) УДК66.012-52 (088.8) (72) Авторы изобретения

А. В. Николаев и Н. В. Матюхов (7l ) Заявитель (54) СПОСОБ РЕГУЛИРОВАНИЯ ПРОЦЕССА

КРИСТАЛЛИЗАЦИИ

Изобретение относится к способам управления процессами роста кристаллов в растворах при выпаривании, используемое преимушественно для получения тонко дисперсных вешеств, и может найти при менение в химической, металлургической, пищевой и других отраслях промышленности.

По основному авт. св. № 581962 иэвестен способ регулирования процесса

10 кристаллизации, в котором подачу тепла осуществляют ймпульсно в зависимости от от величины разности температур между нагревающим агентом и раствором.

Однако за счет низкого качества регулирования не обеспечивается получение продукта с однородным гранулометрическим составом.

Цель изобретения — получение продукта с однородным гранулометрическим составом за счет повышения качества регулирования .

Это достигается тем, что задаваемую разность температур корректируют дли«

2 тельностью выдержки образуемой суспенэии в аппарате с учетом изменения частоты тепловых импульсов.

На чертеже представлена схема реализации предлагаемого способа регулирования процесса кристаллизации.

Способ осуществляют следующим образом.

Через патрубок 1 в цплиндро-конический выпарной аппарат-кристаллиэатор

2 поступает периодически раствор иодис-того цезия и при перемешивании мешалкой

--3 с числом оборотов п 140 об/мин осуществляется его выпаривание, Соко» вый пар отводят через патрубок 4. Подача тепла к раствору осуществляется через стенку аппарата от алектрической спирали 5, выполняющей роль нагревающего агента.

Импульсная подача тепла осуществляется посредством включения или отключения электрической спирали прибором 6, измеряющим разность температур (bt) датчиками 7 и 8.

3 74

Датчик 7 замеряет температуру нагревающего агента, а датчик 8-температуру кипящего раствора в аппарате при атмосферном давлении.

После упаривания раствора иодистого цезия до состояния, близкого к насыщению, + „п 109 0 C при атмосферном давлений, когда дальнейшая подача тепла приводит к выделению твердой фазы (соли и т. д.) и достижению состояния пересыщения раствора, осуществляют управле,ние процессом роста зарождающихся кристаллов в растворе.

По прибору 6 задают разность температур ф Ь, равную 135 С, которая опрео деляет лимитированное количество импульсно подводимого тепла, Частота импульсов фиксируется реле 9 времечи через каждые 10 с.

После выдержки образуемой суспенэии в укаэанных режимах, работы, через 30 с производят вывод ее иэ аппарата 2

1901 4 через сливной патрубок 10 на классификацию.

Предлагаемый способ позволил получить тонкодисперсный продукт иодистого цезия со средним размером кристаллов, 8,9 мкм и при этом прямой выход указанной фракции составил 60,0%, несмотря на высокую растворимость иодистого цезия (при „109,1 С10 - 71,48 вес.%).

Формула изобрeòения

Способ регулирования процесса кристаллизации по авт; св. Уа 581962, о т—

15 л и ч а ю ш и и с я тем, что, с целью получения продукта с однородным грану, лометричесКим составом за счет повышения качества регулирования, задаваемую разность температур корректируют дли20 тельностью выдержки образуемой суспензии в аппарате с учетом изменения частоты тепловых импульсов.

ЦНИИПИ Заказ 3347/4 Тираж 809 Подписное

Филиал ППП Патент", r. Ужгород, ул. Проектная, 4