Параметрический усилитель
Параметрический усилитель по авт. св. N 657712, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности характеристик, в него введен управляющий элемент, который выполнен в виде расположенных в одной плоскости аксиально короткозамкнутому витку двух полуколец, одни противолежащие концы которых соединены перемычкой, а другие подсоединены к генератору накачки.
Похожие патенты:
Параметрический усилитель // 657712
Параметрический усилитель // 651735
Патент 346781 // 346781
Радиоприемное устройство сеч // 205080
Сверхпроводящий широкополосный свч-усилитель // 2353051
Изобретение относится к криогенной радиотехнике
Усилитель бегущей волны // 2022413
Усилитель // 1775845
Свч-усилитель на основе высокотемпературного сквида с четырьмя джозефсоновскими контактами // 2544275
Изобретение направлено на повышение линейности усиления в гигагерцовом диапазоне частот без использования цепей обратной связи. СВЧ-усилитель на основе высокотемпературного СКВИДа включает идентичные и параллельно соединенные первый и второй джозефсоновские контакты, образованные в слое высокотемпературного сверхпроводника (ВТСП) и размещенные вдоль бикристаллической границы подложки, и входной индуктивный элемент, включенный между смежными токоподводами джозефсоновских контактов. Дополнительно введены третий и четвертый джозефсоновские контакты, причем критический ток первого, второго джозефсоновских контактов совпадает, третьего - меньше этой величины, а четвертого контакта - превышает эту величину. Слой ВТСП имеет форму дорожки, которая дважды пересекает бикристаллическую границу и образует замкнутый контур с упомянутым индуктивным элементом, расположенным по одну сторону бикристаллической границы. Третий и четвертый джозефсоновские контакты размещены в местах пересечений упомянутой дорожки с бикристаллической границей, а ширина дорожки в месте размещения четвертого контакта превышает одноименную для третьего контакта. 4 з.п. ф-лы, 5 ил.
Изобретение относится к криогенной радиоэлектронике, в том числе к активным широкополосным устройствам, и может быть использовано для приема и усиления электромагнитных сигналов в диапазоне частот от единиц герц до 10 ГГц. Сверхпроводящая квантовая решетка на основе СКИФ-структур содержит две соединенные дифференциально последовательные цепочки СКИФ-структур, состоящих из параллельно соединенных джозефсоновских контактов, средство задания магнитного поля смещения, подключенное индуктивным образом к каждой СКИФ-структуре, сверхпроводящий трансформатор и средства задания постоянного тока питания и измерения напряжения. Технический результат изобретения состоит в повышении уровня выходного сигнала и линейности преобразования магнитного сигнала в отклик напряжения за счет использования многоэлементных джозефсоновских структур, состоящих из двух дифференциально соединенных последовательных цепочек СКИФ-структур, конструкция, рабочие режимы и характеристики которых подобраны определенным образом, описанным в изобретении. 9 з.п. ф-лы, 4 ил.
