Способ создания дрейфового поля в базах фотопреобразователей
1. Способ создания дрейфового поля в базах фотопреобразователей, включающий введение донорной примеси в базу с тыльной стороны исходной кремниевой пластины n-типа проводимости, отличающийся тем, что, с целью сохранения времени жизни неосновных носителей в базе и сокращения длительности процесса, в качестве донорной примеси используют натрий, который вводят в базе методом ионной имплантации с последующей диффузионной разгонки при температуре 600-700oС.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что доза ионов натрия составляет 100-200 мкКл/см2.
Похожие патенты:
Способ изготовления n-p-переходов // 719390
Способ обработки антимонида индия // 660499
Способ ионного легирования материалов // 591087
Способ легирования материалов // 531433
Способ изготовления омических контактов // 527988
Изобретение относится к области производства полупроводниковых приборов и может быть использовано в технологии изготовления дискретных приборов и интегральных схем для очистки (геттерирования) исходных подложек и структур на основе монокристаллического кремния от фоновых примесей и дефектов
Изобретение относится к методам формирования твердотельных наноструктур, в частности полупроводниковых и оптических, и может быть использовано при создании приборов нового поколения в микроэлектронике, а также в оптическом приборостроении
Установка для формирования наноструктур на поверхности полупроводниковых пластин ионными пучками // 2164718
Изобретение относится к электронной и вакуумной технике
Изобретение относится к способам образования квазиодномерных твердых кремниевых наноструктур
Способ получения кремниевых наноструктур // 2192689
Способ ионного легирования твердых тел // 2193080
Изобретение относится к области легирования твердых тел путем облучения ионами фазообразующих элементов и может быть использовано для ионной модификации структуры и физико-механических свойств металлов, полупроводников и сверхпроводников
Способ ионно-лучевого легирования кристаллов // 2258977
Изобретение относится к области производства полупроводниковых приборов и может быть использовано в технологии для формирования в кристаллах областей с различным типом и величиной электропроводности с помощью имплантации ионов средних (10-5000 кэВ) энергий
Способ формирования высокосовершенных кремниевых эпитаксиальных структур со скрытыми n+-слоями // 2265912
Изобретение относится к области микроэлектроники
Изобретение относится к области легирования твердых тел путем их облучения пучком ионов из фазообразующих атомов и может быть использовано для структурно-фазовой модификации твердых тел, например для улучшения их физико-механических, коррозионных и других практически важных свойств
