Панель узла силового полупроводникового устройства

Авторы патента:

H01L23/32 - держатели для крепления готовых приборов в процессе работы, т.е. съемные фиксаторы (H01L 23/40 имеет преимущество; соединители вообще H01R; для печатных схем H05K)

(i i) 77748

О П

Союз Советских

Социалистических

Республик

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 28.06.78 (21) 2635263/18-10 с присоединением заявки № (51) М Кт з

G 01К 15/00

СССР по делам изобретений и открытий (43) Опубликовано 07.11.80. Бюллетень ¹ 41 (45) Дата опубликования описания 07.10.80 (53) УДК 536.532 (088.8) (72) Авторы изобретения

В. Г. Зубов, К. С. Семенистый и Д. А. Юрковский

Физико-иехаиоиео) ЗйМ тзуию KH Украинской CCP (71) Заявитель (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ КОНТРОЛЯ ПАРАМЕТРОВ

ТЕРМОПАР

ГосУдаРстоеииый K0MN87 (23) гтриоритет

Изобретение относится к области электроизмерительной техники, в частности к устройствам для теплотехнических измерений, предназначенным для контроля параметров промышленных термопар.

Известны устройства для контроля параметров термопар, предусматривающие предварительный нагрев рабочего спая термопары с последующим измерением термоэдс (1).

Эти устройства требуют больших энергозатрат на нагрев спаев термопар и поэтому в условиях массового контроля параметров термопар на заводах-изготовителях применение их экономически невыгодно. 15

Известно также устройство для проверки полярности термоэлектрических датчиков температуры, содержащее нагретый измерительный щуп в виде электродов, выполненных из однородного материала (на- 20 пример, меди), соединенных с измерительным прибором (2).

Недостатком устройства является отсутствие возможности получить за короткий промежуток времени информацию о типе термопары и соответствие ее градуировки заводской маркировке.

Наиболее близким по технической сущности и достигаемому эффекту является устройство для измерения полярности и 30 материала термопар, содержащее измерительнь1й щуп в виде электрода, идентичного материалу электрода контролируемой термопары, соединенного с измерительным прибором (3).

Недостатком устройства является значительная длительность процесса определения параметров термопар.

Указанный недостаток особенно ощутим при массовом контроле типа и полярности термопар на заводах-изготовителях, а в условиях конвейерной сборки термопар становится основным препятствием на пути повышения эффективности производства.

Целью изобретения является сокращение времени контроля параметров термопар.

Указанная цель достигается тем, что в известном устройстве, содержащем измерительный щуп в виде электрода, идентичного материалу электрода контролируемой термопары, соединенного с измерительным прибором, щуп выполнен в виде двух электродов, идентичных материалу электродов контролируемой тер мопары.

На чертеже представлена схема предложенного устройства.

Устройство содержит измерительный щуп

1, электроды 2 и измерительный прибор 3.

Устройство работает следующим образом.

Fdpл ол

Формула изобретения

Составитель К. Бархударяи

Техред А. Камышникова

Редактор О. Филиппова

Корректор Л. Тарасова

Заказ 2530/10 Изд. № 577 Тираж 729 Подписное

НПО «Поиск» Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, )К-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2

Предварительно нагретые электроды 2 измерительного щупа 1 приводятся в тепловой и электрический контакт со свободными концами контролируемой термопары в соответствии с заводской маркировкой термопары. Например, при контроле термопары типа ХА материалом одного электрода измерительного щупа должен быть хромель, материалом другого электрода измерительного щупа вЂ” соответственно алюмель, при контроле термопар типа ХК вЂ” соответственно хромель и конель.

Контактирование электродов 2 щупа 1 со свободными концами тсрмопары должно производиться таким образом, чтобы хро- 15 мелевый электрод измерительного щупа совпадал с хромелевым концом термопары (+ по маркировке), при этом алюмелевый электрод щупа контактирует с алюмелевым концом термопары (вЂ” по маркировке) . 20

Термоэдс в замкнутой цепи, образованная контролируемой термопарой, электродами измерительного щупа и измерительным прибором, равна нулю, так как в электрической цепи, составленной из двух од1Гор зд- 25 ных электродов, но имеющих разную температуру, термоэдс не возникает.

Отсутствие в цепи термоэдс свидетельствует о соответствии контролируемой тсрмопары типу и полярности, указанным в за- 30 водской маркировке.

Наличие в цепи термоэдс, т. е. отклонение показания измерительного прибора 3 от нуля, свидетельствует о несоответствии либо типу, либо полярности контролируемой 35 термопары ее заводской маркировке.

Значение величины температуры электродов измерительного щупа, а также стабильность ее величины на правильность контроля не влияют. Минимальное значение величины температуры электродов измерительного щупа ограничивается температурой среды, в которой ведется контроль и чувствительностью измерительного прибора.

Использование предложенного устройства повышает производительность труда, что способствует повышению эффективности производства в условиях массового контроля термопар на заводах-изготовителях. 50

Устройство для контроля паоаметров термопар, содержащее измерительный щуп с электродом из материала, идентичного материалу электрода контролируемой термопары, соединенного с измерительным прибором, отличающееся тел, что, с целью уменьшения времени контроля параметров термопар, измерительный щуп выполнен с двумя электродами, каждьш из которых выполнен из материала, идентичного материалу электродов контролируемой термопары.

I. 1ñòî÷íèêè информации, принятно во внимание при экспертизе

1. Авторское свидетельство СССР № 302622, кл. G 01К 7/02, 1969.

2. Патент ПНР № 75831, кл. 42, 8/02, опублик. 23.12.74.

3. Дубас Н. В. Прибор для определения полярности и материала термопар. вЂ” «Энергетик», 1977, ¹ 5, с. 18, 19 (прототип).

Панель узла силового полупроводникового устройства

Выпрямительный блок электрической машины // 390599

Кассета для гальванического лужения баллончиков // 203079

Чашечка для кристаллического детектора // 6765

Устройство на интегральных схемах // 2032964

Конструкция системы концентраторных фотоэлектрических установок // 2474927

Изобретение относится к области солнечной энергетики и, в частности, к солнечным энергетическим установкам с концентраторами солнечного излучения и системами слежения, применяемым, например, в составе электростанций, предназначенных для выработки электроэнергии путем фотоэлектрического преобразования солнечной энергии

Солнечная фотоэнергоустановка // 2476957

Изобретение относится к солнечной фотоэнергетике и может найти применение как в мощных солнечных электростанциях, так и в качестве фотоэлектрической энергоустановки индивидуального пользования

Установка для генерирования электрической энергии с помощью фотогальванических элементов // 2483390

Мощная гибридная интегральная схема свч-диапазона // 2498455

Изобретение относится к электронной технике, а именно к конструкции мощных гибридных интегральных схем СВЧ-диапазона длин волн. Технический результат - улучшение тепловых и электрических характеристик. Достигается тем, что мощная гибридная интегральная схема СВЧ-диапазона содержит электро- и теплопроводящее основание с выступом, диэлектрическую подложку с топологическим рисунком металлизации на лицевой стороне и экранной заземляющей металлизацией на обратной стороне, разделенную, по меньшей мере, на две части, каждая из которых установлена на теплопроводящем основании с противоположных сторон выступа вплотную к нему, на выступе установлен и закреплен, по меньшей мере, один кристалл активного полупроводникового прибора, высота выступа выполнена такой, что лицевые поверхности кристаллов и диэлектрической подложки расположены в одной плоскости, выступ электро- и теплопроводящего основания выполнен в виде металлизированной алмазной вставки, расположенной и закрепленной в углублении основания, при этом глубина углубления h выбрана такой, что обеспечивается минимальная разность температур Δt (°C) кристалла активного полупроводникового прибора и обратной стороны электро- и теплопроводящего основания: где λ - удельная теплопроводность алмаза (коэффициент теплопроводности Вт/(м×град)), Q - мощность кристалла активного полупроводникового прибора (Вт), полиномиальные коэффициенты - A1=-17,44331; А2=31,36052; А3=-22,21548; А4=19,01102; А5=-995,19516; А6=-4,10308×103; А7=-1,56933×103; A8=4,81737×106; А9=-1,6359×109, что соответствует глубине углубления h от 0,001 до 0,8 мм, а толщина дна углубления выбрана равной или более 0,2 мм, 1 з.п. ф-лы, 5 ил., 3 табл.