Устройство для разламывания полупроводниковых пластин на кристаллы

Авторы патента:

H01L21/78 - с последующим разделением подложки на несколько отдельных приборов (резка, изменяющая физические свойства поверхности или форму полупроводниковых элементов,H01L 21/304)

Союз Советских

Социалистических республик

ОПИСАНИЕ

И ЗО БР ЕТ Е Н Ия

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (ii) 777756 (61) Дополнительное к авт. свид-вувЂ” (22) Заявлено 16.11.78 (21) 2685141/18-21 с присоединением заявки №вЂ” (23) ПриоритетвЂ” (43) Опубликовано 07.11.80. Бюллетень № 41 (45) Дата опубликования описания 04.01.81 (51) M Кч з Н 01 L 21(78

Гасударственный комитет па делам изобретений и открытий (53) УДК 621.382 (088.8) (72) Авторы изобретения

Г. A. Бобков и В. Т. Маханьков

Проектно-технологический и научно-исследовательский институт НПО «Темп» (71) Заявитель (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ РАЗЛАМЫВАНИЯ

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН НА КРИСТАЛЛЫ

Изобретение предназначено для использования в производстве полупроводниковых приборов и интегральных схем, в частности, для разламывания полупроводниковых пластин на кристаллы после операции скрайбированпя.

Известно устройство для разламывания полупроводниковых пластин на кристаллы после операции скрайбирования, содержащее упругую опору, например из резины, жесткие цилиндрические валики и привод для их перемещения под нагрузкой относительно опоры в двух взаимно перпендикулярных направлениях (1)..

Известно устройство для разламывания полупроводниковых пластин на кристаллы, содержащее опору с цилиндрической поверхностью, упругую диафрагму для пригкатия пластины к опоре и механизм возсйствия на диафрагму )2).

Недостатком этих устройств является их невысокая производительность, так как полупроводниковую пластину разламыва;от в две стадии: вначале на полосы, а затем на отдельные кристаллы.

Наиболее близкое по технической сущности и решаемой задаче к описываемому изобретению устройство для разламыванпя полупроводниковых пластин на кристаллы, содержащее крымску со сферической опорой и пневмокамеру, образованную основанием с упругой диафрагмой для при>катия полупроводниковой пластины к сферической опоре крышки 13).

5 Производительность этого устройства увеличивается, так как полупроводнаковая пластина при прижатии ее к опоре сферической формы разламывается на отдельные кристаллы сразу в двух направлениях. Одl0 пако для кристаллов различных типоразмеров требуется применение сферических опор с различным радиусом кривизны. 3амена сферических опор приводит к снижению производительности устройства.

)5 Цель изобретения вЂ” повышение производительности.

Поставленная цель достигается тем, что известное устройство для разламывания полупроводниковых пластин на кристаллы, 20 со;.сржащее крышку со сферической опорой и пневмокамеру, образованную основанием и диафрагмой для прижатия полупроводниковой пластины к сферической опоре крышки, снабжено механизмом формирования сферической опоры, выполненным в виде дополнительной пневмокамеры, образованной крышкой и нерабочей поверхностью сферической опоры, нагревательно".о элемента, расположенного в теле сферической опоры, и упругого элемента, раз777756 мещенно го на рабочей поверхности сферической опоры, при этом сферическая опора выполнена из легкоплавкого материала.

Сущность изобретения поясняется чертежом. 5

Устройство содержит пневмокамеру 1, образованную основанием 2 и упругой диафрагмой 8, выполненной, например, из резины, на которой расположена полупроводниковая пластина 4. На крышке 5 уст- 10 ройства закреплен упругий элемент б, выполненный, например, из термостойкой резины. Во внутренней части крышки 5 расположены нагревательный элемент 7 и сферическая опора 8, выполненная из легкоплавкого материала с температурой плавления 50 вЂ” 100 С, например из сплава Вуда. Пространство между крышкой 5 и сферической опорой 8 образует пневмокамеру

9, соединенную, как и пневмокамера 1, с пневмомагистралью (на чертеже не показана).

Устройство работает следующим образом.

Полупроводниковую пластину 4 после операции скрайбирования у кладывают на упругую диафрагму 8 так, чтобы нанесенные при скрайбировании риски были обращены к упругой диафрагме.

Сверху к полупроводниковой пластине подводят крышку 5 с расположенными в ней нагревательным элементом 7 и сферической опорой 8. Предварительно легкоплавкий материал сферической опоры 8 с помощью нагревательного элемента 7 на- N гревают до температуры плавления 50вЂ”

100 С и подают в пневмокамеру 9 сжатый воздух под некоторым давлением до тех пор, пока расплавленный материал, удерживаемый упругим элементом б, не при- 40 мет сферической фар мы требуемого радиуса кривизны (соотношение между давлением воздуха Р и заданной величиной радиуса кривизны сферы устанавливают заранее опытным путем). После этого отклю- 4 чают нагревательный элемент 7, охлаждают расплавленный материал, который при отверждении образует жесткую сферическую опору 8. В пневмокамеру 1, образуемую упругой диафрагмой 8 и основанием 2, подают сжатый воздух, диафрагма изгибается и прижимает полупроводниковую пластину 4 к ynpyiroMy элементу б и сферической опоре 8, в результате чего происходит разламывание полупроводниковой пластины на отдельные кристаллы сразу в двух направлениях.

Лля разламывания полупроводниковой пластины на кристаллы любого типоразмера достаточно при формировании сферической опоры изменить давление воздуха в пневмокамере крышки, т. е, замены сферической опоры не требуется; это увеличивает производительность устройства.

Формула изобретения

Устройство для разламывания полупроводниковых пластин на кристаллы, содержащее крышки со сферической опорой и пневмокамеру, образованную основанием и диафрагмой для прижатия полупроводниковой пластины к сферической опоре крышки, отличающееся тем, что, с целью повышения производительности устройства, оно снабжено механизмом формирования сферической опоры, выполненным в виде дополнительной пневмокамеры, образованной крышкой и нерабочей поверхностью сферической опоры, нагревательного элемента, расположенного в теле сферической опоры, и упругого элемента, размещенного на рабочей поверхности сферической опоры, при этом сферическая опора выполнена из легкоплавкого материала, Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:

1. Авторское свидетельство СССР № 233104, кл. 21 D 11/02, 18.04.69.

2. Слобандиевский А. Установка ЭМ-206 для разламывания п олупроводниковых пластин. вЂ” «Электронная промышленность», № 12, 1974, с. 73 вЂ” 74.

3. Патент США № 4393155, кл. 225-2, 03.02.70 (прототип) .

777756

) Составитель О. Бочкин

Техред А. Камышникова

Корректор С. Файн

Редактор Л. Ушакова

Тип Харьк. фил. пред. «Патент»

Заказ 1468/1482 Изд. № 540 Тираж 857 Подписное г1ПО «Поиск» Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Я-35, Раушская наб., д. 4/5

Устройство для разламывания полупроводниковых пластин на кристаллы

Способ разделения полупроводниковой пластины на кристаллы // 545020

Устройство для отделения модулей интегральных схем с консольными выводами от пленочного носителя // 515419

Способ разделения многослойных пластин // 459817

Способ разделения пластины на отдельные элементы // 351267

Способ разделения проскрайбированных полупроводниковых пластин на кристаллы // 298015

Способ изготовления полупроводникового фотоэлектрического генератора // 288160

Способ изготовления селеновых выпрямительных элементов // 126195

Интегральная схема и способ ее изготовления // 2117418

Способ обработки структур "кремний на сапфире" // 2185685

Изобретение относится к производству полупроводниковых приборов и может быть использовано при создании структур "кремний на сапфире", предназначенных для изготовления дискретных приборов и интегральных схем, стойких к воздействию дестабилизирующих факторов, например к радиации

Способ изготовления микросхем // 2244364

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано в производстве микросхем

Прибор для поверхностного монтажа // 2316846

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано в производстве электронных приборов и интегральных схем

Способ изготовления полупроводниковых приборов // 2321101

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано при изготовлении чувствительных элементов датчиков давлений

Способ изготовления чипов мощных нитридных свч-транзисторов // 2339116

Изобретение относится к технологии производства полупроводниковых приборов и может быть использовано при изготовлении мощных СВЧ-транзисторов с использованием гетероструктур на основе нитридов III группы

Запоминающее устройство с диэлектрическим слоем на основе пленок диэлектриков и способ его получения // 2343587

Изобретение относится к области полупроводниковой нанотехнологии и может быть использовано для прецизионного получения тонких и сверхтонких пленок полупроводников и диэлектриков в микро- и оптоэлектронике, в технологиях формирования элементов компьютерной памяти

Способ получения тонких монокристаллических полупроводниковых слоев на изоляторе или другом полупроводниковом материале // 2071145

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано в новом технологическом процессе: изготовлении структур кремний на изоляторе или кремний на арсениде галлия (через окисел) путем прямого соединения полупроводниковых пластин

Способ изготовления датчиков давления // 2075137

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано при изготовлении малогабаритных полупроводниковых датчиков давления

Способ изготовления полупроводниковых кристаллов // 2001467