Способ создания омических контактов к кремнию

Авторы патента:

H01L21/285 - из газа или пара, например способом конденсации

H01L21/28 - изготовление электродов на полупроводниковых подложках с использованием способов и устройств, не предусмотренных в H01L 21/20-H01L 21/268

Способ создания омических контактов к кремнию р-типа проводимости, включающий нанесение молибдена на кремниевую подложку катодным распылением, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности омического контакта, катодное распыление молибдена проводят путем создания в рабочей камере вакуума (1,3-6,7)10^-4 Па, введения фторосодержащего газа, BF₃, до создания вакуума (2,7-3,2)10^-2 Па, зажигания плазмы и последующей подачи высокого напряжения на мишень 2000-3000 В.

Похожие патенты:

Способ получения покрытия ^ // 317131

Способ изготовления диодов оптического диапазона // 786713

Способ изготовления металлических покрытий, балочных выводов и омических контактов к полупроводниковым структурам // 757048

Способ получения омического контакта // 698450

Способ изготовления полупроводниковых приборов // 673206

"способ создания контактов к полупроводниковым приборам // 664244

Способ изготовления устройств с жидкими кристаллами // 637103

Способ многоуровневой металлизации больших интегральных схем // 598458

Способ изготовления кремниевых многоэмиттерных транзисторов // 533157

Способ создания контакта // 447108

Электрохимический способ получения тонких слоев сплава теллура с висмутом // 439862

Полупроводниковое устройство, обладающее двухслойной силицидной структурой и способы его изготовления /варианты/ // 2113034

Изобретение относится к MOS полупроводниковому запоминающему устройству, в частности к полупроводниковому устройству, повышающему высокотемпературную стабильность силицида титана, применяемого для изготовления вентильной линии полицида в DRAM (памяти произвольного доступа)

Способ магнетронного распыления // 2114487

Изобретение относится к области тонкопленочной технологии и предназначено для использования в микроэлектронике и интегральной оптике

Способ изготовления полупроводниковых приборов // 2131631

Способ изготовления полупроводникового прибора // 2152108

Изобретение относится к электронной технике, более конкретно - к технологии производства интегральных схем (ИС) на кремнии, и может быть использовано для изготовления выпрямляющих и омических контактов к мелкозалегающим p-n переходам и межсоединений

Омическая контактная структура полупроводникового прибора и способ ее изготовления // 2155417

Способ изготовления элементов структур очень малого размера на полупроводниковой подложке // 2168797

Изобретение относится к микроэлектронике

Способ изготовления твердотельного прибора // 2189088

Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть использовано при изготовлении твердотельных приборов и их электродов

Способ формирования проводящего элемента нанометровых размеров // 2194334

Способ напыления рельефных подложек // 2229182

Изобретение относится к плазменной технологии производства изделий микроэлектроники и может быть использовано для процесса металлизации структур с субмикронными размерами элементов

Способ создания омических контактов в тонкопленочных устройствах на аморфных гидрогенизированных полупроводниках // 2229755

Изобретение относится к области электронной техники, микроэлектроники и может быть использовано для формирования поверхностных омических контактов в тонкопленочных полевых транзисторах, элементах памяти, солнечных элементах на барьере типа Шоттки и др