Способ высокочастотного нагрева проводящих тел, полупроводников и диэлектриков
М 85196
Класс 21h, 29,;
СССР .т Т
В. П. Вологдин и A. А, Фогель
СПОСОБ ВЫСОКОЧАСТОТНОГО НАГРЕВА ПРОВОДЯЩИХ ТЕЛ, ПОЛУПРОВОДНИКОВ И ДИЭЛЕКТРИКОВ
Заявлено 10 февраля 1948 г. за Ме 374094 с присоединением заявки ЛЪ 374100 в Комитет по изобретениям и открытиям при Совете Министров СССР
Способы высокочастотного нагрева электрических проводников, полупроводников и диэлектриков известны.
При нагреве токами высокой частоты в магнитном поле невозможно нагревать изделия на значительном расстоянии от индуктора, так как напряженность магнитного поля уже на очень небольшом р*асстоянии от индуктора составляет ничтожную долю напря кенности поля вблизи индуктора, Вследствие этого возника1от большие неудобства и затруднения при нагреве тел сложной конфигурации.
При нагреве токами высокой частоты в электрическом поле весьма затруднительно сосредоточить нагрев в нужных частях диэлектрика, особенно в том случае, если для помещения электрода доступна только одна сторона наг реваемого предмета.
С целью устранения указанных неудобств и затруднений прп осуществлении высокочастотного нагрева проводников, полупроводников н диэлектриков, предлагают использовать, для переноса энергии в нагреваемые предметы, электромагнитное излучение от соответствующего высокочастотного генератора.
Длину волны выбирают одного порядка с поперечными размерами нагреваемой поверхности.
Направление передающего энерггио луча и сосредоточение его в зоне нагрева достигают при помощи установки зеркал, линз и других средств, применяемых а радиолокационных ycTaHOBI Для повышения к. п. д. электромагнитного излучения при нагреве полупроводников и диэлектриков и уменьшения потери энергии, вследствие более глубокого проникновения ее, чем предусмотрено технолоU o 85196 -- 2— гическим процессом для термообработки нагреваемой поверхности, применяют следующие средства: а) установка за нагреваемым изделием металлических или иных проводящих отражателеи; o) пропитка нагреваемой 30ны изделия Веществами> уменьша10щими глубину проникновения электромагнитной энергии до величины одного порядка с толщиной нагреваемой зоны; в) в случае нагрева при сушке склеенных предметов, введение в клей веществ, уменьшающих глубину проникновения электромагнитной энергии до величины, одного порядка с толщиной нагреваемой зоны, или нанесение металлической краски на оборотную сторону склеенного изделия. Для повышения к. п. д. электромагнитного излучения при нагреве металлических изделий на их поверхность наносят покрытия в виде полупроводников со стороны нагрева и толщину этого покрытия подбирают одного порядка с глубиной проникновения электромагнитной энергии. В этом случае нагрев изделия будет происходить главным образом за счет тепла, выделяемого в покрытии вследствие поглощения последним излучаемой электромагнитной энергии. Предмет изобретения Редактор С. А. Барсуков. Техред А. А. Кудрявицкая. Корректор Г. Е. Кудрявпева Поди. к печ. 27/III — 61 г Зак. 798/24, Объем О,!7 уел. и, л. Цена 3 коп. Формат бум. 70 Q 108 /iq Тираж 220 ЦБТИ при Комитете по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Москва, Центр, И. Черкасский пер,, д. 2/6 Типография, пр. Сапунова, 2. 1. Способ высокочастотного нагрева проводящих тел, полупроводников и диэлектриков при помощи электромагнитного излучения, отл и ч а юшийся тем, что, с целью повышения использования электромагнитного излучения, при нагреве полупроводников и диэлектриков помещают металлические или иные проводящие отражатели позади нагреваемого изделия, т. е. со стороны, противоположной источнику нагрева, а в случае нагрева металлических изделий на их поверхности наносят покрытия в виде полупроводников со стороны источника нагрева. 2. Видоизменение способа по п. 1, отл и ч а ю щеес я тем, что, с целью увеличения поглощения электромагнитной энергии в покрытии, толщина после IHelo подбирается одного порядка с глубиной проникновения электромагнитной энергии. 3. Видоизменение способа по п. 1, отл и ч а ю щеес я тем; что, с целью увеличе1гия использования электромагнитной энергии в нагреваемой зоне при нагреве полупроводников и диэлектриков, нагреваемая зона пропитывается веществами, уменьшающими глубину проникновения электромагнитной энергии до величины одного порядка с толщиной нагреваемой зоны. 4. Видоизменение способа по п. 3, отл и ч а ющеес я тем, что в c1 ч" е clcлейки gpeBccHHBI BBOQHT в клей BcwecTB3, уменьша1ощие гаубину проникновения электромагнитной энергии до величины одного порядка с толщиной нагреваемой зоны. 5. Применение при осуществлении способа по п. 1, например в случае склейки древесины, металлической краски, наносимой на оборотную сторону склеивас»ol о изделия.
