Демпфер звукопровода магнито-стрикционной линии задержки

 

Союз Советских

Социалистических

Республик

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (11>801150 (63) Дополнительное к авт. свид-ву— (22) Заявлено 151079 (21) 2833413/18-23 с присоединением заявки Йо (23) Приоритет—

Опубликовано 300181 Бюллетень N9 4

Дата опубликования описания 300131 (51) М. Кл.з

H 01 L 41/06

Государственный комитет

СССР по делам изобретений и открытий (53) УДК 621.374.55 (088. 8) (72) Авторы изобретения ть"ева, В.A.Áàëoâ, E.Ë.Çàêãåéì, О.Н.Петрищев, P.È

Л.A.Ïðåñíîâà и A.Ï.Øïèíü (71) Заявитель (54) ДЕМПФЕР ЗВУКОПРОВОДА МАГНИТОСТРИКЦИОННОЙ

ЛИНИИ ЗАДЕРЖКИ

Изобретение относится к области радиоэлектроники и может использоваться в магнитострикционных линиях задержки (МЛЗ).

Известен демпфер звукопровода МЛЗ выполненный в виде эластичных обкладок, между которыми зажат конец звукопровода (1);

Недоотатками такого демпфера являются его большие габариты и значительное подавление полезного сигнала.

Известен также демпфер звукопровода МЛЗ, выполненный в виде нагрузочной массы грушевидной формы, .охватывающей конец звукопровода (2J,Íàгруэочная масса здесь является одйослойной и выполнена из твердого воска, шеллака, синтетической смолы или термопластичной массы типа гуттаперчи

Такой демпфер не обеспечивает высокого уровня затухания отраженных сигналов, свыше 25 дБ.

При чспользовании такого демпфера для звукопроводов из магнитострикционных ферритов уровейь затухания от-. раженных сигналов не превышает 3

4 дБ.

Целью изобретения является повышение уровня затухания отраженных сигналов.

Это достигается тем, что демпфер звукопровода МЛЗ выполнен многослойным,при этом нижний слой, примыкающий к звукопроводу, выполнен из глазури, а последующие слои выполнены из маf0 ,териала с меньшим коэффициентом упру- гости по сравнению с коэффициентбм упругости соседнего нижележащего слоя

На чертеже показана конструкция предложенного демпфера.

Он представляет собой нагрузочную

15 массу грушевидной формы, размещенную на конце звукопровода 1, состоящую из нижнего слоя глазури и последующих слоев 2 — 4.

Коэффициенты упругости материала

20 последующих слоев меньше по сравнению с предыдущим, Слой 3 выполнен, например, из шеллака, слой 4 — из герметика ВГ-1.

При распространении ультразвуковой

25 Волны по звукопроводу она отражается .от его концов. Наличие нагрузочной массы значительно ослабляет отражение сигнала. Материал слоя нагрузочной . массы, непосредственно прилегающий

30 к звукопроводу, должен иметь одинако

801150

Формула изобретения

Составитель В. Банков

ТехредН.Ковалева Корректор Е, Рошко

Редактор Н. Суханова,Заказ 10445/73 Тираж 795 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб,, д. 4/5

Филиал ППП Патент, r. Ужгород, ул. Проектная, 4 вый со звукопроводом температурный коэффициент расширения, чтобы не отслаиваться даже при передаче по звукопроводу сигналов больших мощностей.

Такому условию удовлетворяет глазурь.

Проникая в поры феррита, глазурь делает, кроме того, границу звукопроводдемпфер размытой с плавным переходОм акустических свойств от феррита.к глазури. Это обеспечивает значительное рассеивание мощности уже на саМой границе.

На единицу поверхности последующего слоя приходится значительно меньше энергии, что исключает отслоение последующих слоев и обеспечивает

15 требуемый эффект поглошения колебаний.

Предложенный демпфер обеспечивает высокий уровень затухания, сигналов. .Он особенно эффективен для использования в звукопроводах из феррита, Трехслойный демпфер на феррите обеспечивает затухание отраженных сигналов не менее 30 дБ.

Демпфер звукопровода магнитострикционной линии задержки, выполненный в виде нагрузочной массы грушевидной формы, охватывающей конец звукопровода, отличающийся тем, что, с целью повышения уровня затухания отраженных сигналовi,он выполнен многослойным, при этом нижний слой, примыкающий к звукопроводу, выполнен из глазури, а последующие слои выполнены из материала с меньшим коэффициентом упругости по сравнению с коэффициентом упругости соседнего нижележащего слоя.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Захарьящев Л.И. Конструирование,линий задержки. М., Сов„рг9 ио

1972, с. 54.

2. Там же, с. 51-53.