Способ получения электрографи-ческих слоев

 

,г

Сефз Советских

Сюцнайнстичвсинк

Республик

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСК©МУ СВИ ОИЛЬСТВУ (u)807201 (61) Дополнительное н авт. саид-ву— (22) Заявлено 040179 (21) 2709308/28-12 с присоединением заявки H9— (23) Приоритет

Опубликовано 230281,Бюллетень Ж

Дата опубликования описания 230281 Р М Кп.Ç

G 03 G 5/02

Гвсуяарстаекиый кемнтет

СССР яв ямам изабретеяяй н еткрмтий (53)НЖ 772 93 (088. 8) (72) Авторы изобретения

В.М.Медведев, G.N,Ïîäâèãàëêèí и Э.В.Тутова

{71) Заявитель (54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЭЛЕКТРОГРАФИЧЕСКИХ

СЛОЕВ

Изобретение относится к электрографии и может быть использовано в производстве электрофотографических цилиндров, пластин и лент электрофотоаппаратов.

В современных злектрофотоаппара» тах в качестве фоточувствительных элементов широко используются селеновые слои, нанесенные на цилиндры, пластины и ленты путем термического испарения s вакууме, Известен способ получения электрографических слоев, заключающийся в нагреве подложки до 120-150вС, выдержке при этой температуре 40- .

60 мин, охлаждении подложки до 7560оС, нанесении селена термическим испарением в вакууме прн этой температуре к резком охлаждении сжатым воздужом нлн водой прн температуре не веаае 15ВС за 1-2 мин.

Этот способ позволяет получать электрографические слои, обладающие светочувствнтельностью при обеих знаках полярности поверхностного заряда (1) .

Однако это способ характеризует" ся критичным температурно-временным режимом, допускакккнм разброс темпе.ратуры на подложке во время испаре2 нйя не более +2,5 С. Размеры примен яеьых в серййных электрофотоаппаратах цилиндров и пластин сравнительно велики (до 1 ° 104 см ), вслед5 ствне чего трудно выдержать температуру с укаэанной точностью по всей площади в течение времени нанесения селена (20-40 мин) . Выход температу1и подложки за пределы 75-80оС во тО время процесса испарения приводит к ухудшению параметров электрографических слоев для одной из полярностей поверхностного заряда и уменьшает выход слоев, удовлетворяющих техническим условиям. При выходе за верхний предел. температурного интервала образуется прослойка кристаллического селена на границе аморфного селенового слоя с подложкой, снижаю2(} щая начальную напряженность электрического поля при отрицательном поверхностном заряде, Выход за нижнюю границу температурного. интервала приводит к ухудшению светочувстви2з тельности слоя при положительном поверхностном заряде.

Цель изобретения — повышение светочувствительности слоя.

Поставленная цель достигается

З@,,тем, что в способе получения элект807201

Формула изобретения

10

Составитель Э.Тутова

Редактор Г.Кацалап Техред М.Лоя Корректор В.Бутяга

Тираж 517 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, РаУшскаЯ наб., д,4/5

Эаказ 280/69

Филиал ППП Патент, г,ужгород, ул,Проектная, 4 рографических слоев селен наносят

;со скоростью 25-80 мкм/мин одновременно с нагревом подложки, при этом нанесение селена начинают при температуре подложки 45-65ОС, а заканчивают при 80-95 С.

При таком способе получения селенового слоя, в отличие от известного, кристаллическая фаза селена не образует спл<ыной прослойки íà границе селена с подложкой, а диспергирована в объеме аморфного селена. Образование подобной структуры селенового слоя обусловлено тем,что температура подложки в момент начала нанесения селена .сравнительно низка (45-65оС) и только к концу 1$ процесса нанесения селена достигает своего максимального значения (8095 С) . Увеличение скорости конденсации селена до 25-80 мкм/мин приводит к значительному сокращению вре- Щ мени пребывания слоя при повьааенных температурах при одновременном расщирении температурного интервала процесса изготовления слоев. Такой режим упрощает операцию нанесения селена на п дложку и увеличивает выход годных слоев, позволяя получать высокие значения напряженности поля и светочувствительности при положительном и отрицательном знаке поверх- О ностного заряда слоя.

Пример . Проводится.термическое испарение в вакууме навески селена марки СВЧ-2 ГОСТ 6738-71, обеспечивающей получение слоя толщины 80 мкм. Цилиндр-подложка иэ дюраля, оксидированный, разогревается до 55 С, после чего начинается испарение селена, пары которого ковдемсируются на подложку со сковостью 25 мкм/мин. B процессе испарения подложка продолжает разогреваться, и к моменту окончания испарения ее температура достигает 82 С.

Полученный электрографический слой резко охлаждается до комнатной температуры. со скоростью 15-60 град/мин

r путем быстрого напуска воздуха в вакуумную установку и последующего охлаждения его сжатым воздухом со стороны подложки.

Слой имеет следующие параметры:

F 32 В/мкмжд Ро 27 B/мкм) Я+ 1,57

Ф о и S 0,8 (где Р, и F — начальная нао пряженность электрического поля при положительном и отрицательном заряде; S+ и S - светочувствительность по критерию 4 F.

10 В/мкм при цветовой температуре источника света Т< 2850 К)g время темнового полуспада при обеих полярностях поверхнсстного заряда 1-2 мин, Использование предлагаемого способа получения электрографического слоя обеспечивает повышение таких электрографических параметров слоя как светочувствительность и начальная напряженность поля и увеличает выход годных слоев в 1,5-2 раза по сравнению с известным способом за счет снижения требования к точности поддержания температуры на поверхности подложки.

Способ получения электрографи-,. ческих слоев, заключающийся в нагреве подложки, нанесении на нее селена путем термического испарения в вакууме и охлаждении подложки, о тл и ч а ю шийся тем, что, с целью повышения светочувствительности слоя, селен наносят со скоростью

25-80 мкм/мин одновременно с нагревом подложки, при этом нанесение селена начинают при температуре подложки 45-650С, а заканчивают при

80 95оС

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Авторское свидетельство СССР

9 236245, кл. G 03 G 5/02 1976.