Способ обработки полупроводниковых структур
Способ обработки полупроводниковых структур на основе соединений типа AIII BV, включающий приведение поверхности структуры в контакт с раствором-расплавом, содержащим 3-10 вес.% алюминия и 90-97 вес.% галлия и высокотемпературный отжиг, отличающийся тем, что, с целью получения варизонных гетероструктур с высоким градиентом ширины запрещенной зоны, отжиг проводят при температурах 850-1000oC в течение 10-100 минут.
Похожие патенты:
Изобретение относится к области микроэлектронной техники и может быть использовано при высокоплотном монтаже полупроводниковых кристаллов на различные платы с большим количеством контактных межсоединений, а также при 3-D монтаже кристалла на кристалл. Изобретение обеспечивает снижение трудоемкости изготовления вертикальных контактных структур, повышение их качества и повышение количества получаемых структур на единицу площади. В способе изготовления вертикальных контактных структур на полупроводниковых пластинах или печатных платах при электрохимическом осаждении материала вертикальной контактной структуры в постоянном магнитном поле силовые линии постоянного магнитного поля направлены перпендикулярно поверхности осаждения, при этом уже осажденный магнитный материал, являющийся основанием вертикальной контактной структуры, выступает как концентратор магнитного поля, а изменение боковой поверхности контактной структуры, формируемой выше толщины фоторезиста, может изменяться при создании градиента постоянного магнитного поля. 4 з.п. ф-лы, 12 ил.
