Способ изготовления накопителя дляферритовых запоминающих блоков иустройство для его осуществления

 

Союз Советских

Социалистических

Республик о>815768 (61) Дополнительное к авт. саид-ву— (22) Заявлено 02Р179 (21) 2704947/18-24 я)м. к .

G 11 С 5/02 с присоединением заявки HP— (23) Приоритет

Государственный комитет

СССР но делам иэобретений и открытий

Опубликовано 230381, Бюллетень Йо 11

Дата опубликования описания 25.0381 (53) УДК 681. 327.6 (088. 3) (72) Авторы изобретения

Я. М. Беккер, Н. И. Лычагин, И. К. Мешковский, Н. Д. Фролов и Е. Г. Якушенко (71) Заявитель, 54 ) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ НАКОПИТЕЛЯ ДЛЯ ФЕРРИТОВЫХ

ЗАПОМИНАЮЩИХ БЛОКОВ И УСТРОИСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУШЕСТВЛЕНИЯ

Изобретение относится к конструкциям запоминающих устройств и способу их изготовления.

Известны платы с Ферритовыми сердечниками, выполненными в виде керамической платы с отверстиями, в которых установлены ферритовые тороиды. Между тороидами, выполненными, например, в виде ферритовых слоев, и керамической платой расположены переходные слои(1 ., Недостатками данных плат являются: а) высокое тепловое сопротивление переходного аллоя; б) переходный слой увеличивает 15 коэрцитивную силу тороидального сердечника, что неизбежно приводит к увеличению перемагничивающих токов, т. е. к увеличению потребляемой мощности запоминающего устройства; 20 в) с уменьшением эффективной толщины тороидального сердечника увеличивается роль переходного слоя в возрастании коэрцитивной силы, что ограничивает миниатюризацию к повышению быстродействия.

Наиболее rëèçêèì по технической сущности к предлагаемому способу изготовления плаT является способ изготовления матрицы магнитной памяти, заключающийся в том, что из керамического материала изготавливают пластины, толщина которых должна соответствовать требуемой высоте тороидов. В этой пластине делают отверстия, диаметры которых соответствуют наружному диа: етру тороида. Затем керамическук. пластину помещают íà Ферритовую пластину, состав которой должен соответствовать составу с требуемыми характеристиками для тороидов и устанавливают в камеру для проведения химических транспортных реакций.

После проведения реекций внутренняя поверхность отверстий в керамической пластине покрывается слоем феррита.

Одновременно покрывается ферритовым слоем часть поверхности керамической пластины, обращенная к Аерритовой пластине. Этот слой удаляют шлиФованием Я .

Недостатком этого Способа является то, что высокотемпературный процесс химической транспортной реакции сложен и плохо поддается автоматиза-ции, что приводит к частому нарушению химического состава феррита. Другим недостатком является невозможность равномерного нанесения тонкого слоя меррита и возникновение микротре; ин, 815768

Ia o <.нижает быстродействие запоминаю,их элементов.

Цель изобретения — повышение надежности плат с Ферритовыми сердечниками и повышение инФормационной емкости накопителя.

Цель изобретения достигается тем, что подложку пластины памяти для за поминающе о устройства выполняют из стекла, например, натриевоборосиликатного. Путем химической обработки подложки внутри отверстий, просверленных ультразвуком на.ее поверхности, образук>т пористые слои, в которых

Формируют микросердечники, пропитывая пористые слои магнитным материалом, производят термическую обработку подложки, шлиФуют ее с обоих сторон и на поверхности подложки наносят печатные проводники.

На Фиг. 1 представлена плата с Ферритовыми сердечниками для запоминаю- 2О щих матриц; на фиг. 2 — последовательность обработки пластины.

Плата с Ферритовыми сердечниками для запоминающих матриц выполнена из стекла 1 с отверстиями 2, внутри которых образованы в пористых слоях микросврдечники 3.

Изготовление платы предлагаемой конструкции осуществляют следующим образом.

В плате из стекла, например, натриевоборосиликатного, в котором при химической обработке некоторая часть его (не менее 25-о- и не более 75-о. по объему) переходит в раствор, просверливают ультразвуком отверстия. Затем пластину опускают в растворитель, чхобь> со сторон61 цилиндрической поверхности отверстия образовался пористый слой (фиг. 2б). После промывки и сушки платы, пористые слои про- 40 питывают растворами металлических соединений. После этого плату сушат и ее поверхность подвергают химической обработке, в результате которой в порах образуются осадки, содержащие металлы (фиг. 2в), Далее плату промывают, подвергают термической обработке и механической шлиФовке (фиг. 2r). В заключение наносятся печатные проводники, чем-и завершается процесс изготовления платы (Фиг. 2д), Далее приводится пример конструктивного исполнения платы и способ ее изготовления. В подложке толщиной

1 мм из натриевоборосиликатного стекла марки ДВ-1N ультразвуком с помощью пуансона просверливают отверстия.

Поверхность платы подвергают химической обработке путем погружения ее в раствор 0,25Ъ соляной кислоты при ® комнатной температуре. При этом вокруг отверстий образуется пористый слой, состоящий иэ аморфного SiO толщиной 60 мкм. Плата промывается в дистиллированной воде и сушится при температуре около 70>С для. удаления влаги из пор. Затем плату опускают в раствор хлорного железа .ГеС комнатной емпературы (270 г

FeCR> на 1 л раствора). Пропитанную раствором хлорного железа плату помешают в раствор аммиака NH ОН при температуре примерно 23 С. При этом в порах происходит реакция

ГеС Я +ЗМН4 ОН Ге (ОН)8 + ЗНН СВ

Гидроксид железа,Fe(OH)> в виде осадка задерживается в порах, а легко растворимая соль NH CC вымывается.

Путем нагревания плата при температуре около 350ОC гидроксид железа

Fe(0Н) переводят в оксид железа

Fe<0> . После прокаливания Fe2 О> становится нерастворимым в кислотах, что позволяет повторить цикл обработки платы несколько раз до более полного . заполнения пор. Затем плату шлиФуют с обеих сторон и на ее поверхность наносят печатные проводники путем химического осаждения меди с даль— нейшим гальваническим ее наращиванием.

Предлагаемая пластина памяти и способ ее изготовления позволяют по— высить быстродействие магнитных запоминающих элементов примерно на 20%. формула изобретения

1. Способ изготовления накопителя для Ферритовых запоминающих блоков, заключающийся в выполнении отверстий в немагнитной подложке, о т л и ч а ю шийся тем, что, с целью повышения надежности накопителя, поверхность отверстий разрушают до образования пористых слоев, пропитывают их магнитным материалом, термообрабатывают подложку, шлифуют с обеих сторон и на ее поверхности наносят пе— чатные проводники.

2. Устройство для осуществления способа изготовления накопителя для ферритовых запоминающих блоков памяти, содержащее подло>кку с отверстиями, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью повышения инФормационной емкости накопителя, на поверхность отверстий нанесен магнитный материал, а на обе поверхности подложки — печатные проводники, при этом, подложка выполнеча из стекла, например, натриевоборосиликатного.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Авторское свидетельство СССР

Р 216800, кл. G 11 С 5/02, 1968.

2. Авторское свидетельство СССР

Р 208840, кл. G 11 С 5/02, 1968 (прототип). 815768 г)

Составитель 6. Розенталь

Редактор Л. Кеви Техред К.Табакович КорректорА. I pHIJBHKo

Заказ 1044/81

Тираж 645 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, _#_-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент", r. Ужгород, ул. Проектная, 4